CXK5V8257BTM/BYM/BM
-70LL/10LL
32768-word
×
8位高速CMOS静态RAM
对于这款产品的供货情况，请联系销售办事处。
描述
该CXK5V8257BTM / BYM / BM是262,144位
高速CMOS静态RAM组织为32768-
字由8位。
多晶硅TFT电池技术实现extermely
低待机电流和更高的数据保持稳定。
运行在3.3V单电源供电，直接LVTTL
兼容（所有输入和输出） 。
和特殊功能的，低功耗，
高速和广泛的封装阵容。
该CXK5V8257BTM / BYM / BM是一个合适的RAM
用于便携式设备，备用电池。
特点
+ 3.3V单电源： 3.3V ± 0.3V
直接LVTTL兼容：所有输入和输出
快速存取时间：
（访问时间）
CXK5V8257BTM/BYM/BM
-70LL
70ns的（最大）
-10LL
为100ns （最大值）。
低待机电流：
CXK5V8257BTM/BYM/BM
-70LL/10LL
3.5μA （最大值）。
低功耗数据保持： 2.0V （最小值）
可在许多包
CXK5V8257BTM / BYM 8毫米
×
13.4毫米28针
TSOP封装
CXK5V8257BM
450mil 28引脚
SOP封装
功能
32768-word
×
8位静态RAM
结构
硅栅CMOS IC
CXK5V8257BM
28引脚SOP （塑胶）
CXK5V8257BTM
28引脚TSOP （塑胶）
CXK5V8257BYM
28引脚TSOP （塑胶）
框图
A14
A13
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A10
A4
A3
A2
A1
A0
OE
WE
CE
I / O1 I / O8
卜FF器
ROW
解码器
内存
矩阵
512
×
512
V
CC
GND
卜FF器
I / O门
COLUMN
解码器
卜FF器
I / O缓冲器
索尼保留更改产品规格，恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路，如果有的话，是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
E93836A5Z-ST
CXK5V8257BTM/BYM/BM
引脚配置
（ TOP VIEW ）
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A3
A4
A5
A6
A7
A12
A14
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
7
6
5
4
3
2
1
28
27
26
25
24
23
22
21
A10
20
CE
19
I/O8
18
I/O7
17
I/O6
16
I/O5
15
I/O4
14
GND
13
I/O3
12
I/O2
11
I/O1
10
A0
9
A1
8
8
9
10
11
12
13
引脚说明
符号
A14
1
A12
2
A7
3
A6
4
A5
5
A4
6
A3
7
A2
8
A1
9
A0
10
I/O1
11
I/O2
12
I/O3
13
GND
14
28
VCC
27
WE
26
A13
25
A8
24
A9
23
A11
22
OE
21
A10
20
CE
19
I/O8
18
I/O7
17
I/O6
16
I/O5
15
I/O4
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
+ 3.3V电源
地
A0到A14
I / O1到I / O8
CE
WE
OE
V
CC
GND
CXK5V8257BTM
（标准引脚）
A2
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
CE
A10
CXK5V8257BYM
（镜像引脚）
14
15
16
17
18
19
20
21
CXK5V8257BM
绝对最大额定值
项
电源电压
输入电压
输入和输出电压
允许功耗
工作温度
储存温度
焊接温度·时间
符号
V
CC
V
IN
V
I / O
P
D
TOPR
TSTG
Tsolder
（ TA = 25℃ ， GND = 0V ）
等级
-0.5到+4.6
–0.5
1
到V
CC
+ 0.5
–0.5
1
到V
CC
+ 0.5
0.7
0至+70
-55到+150
235 · 10
单位
V
V
V
W
°C
°C
℃， s的
1
V
IN
, V
I / O
= -3.0V最小。脉冲宽度小于50ns 。
真值表
CE
H
L
L
L
OE
×
H
L
×
WE
×
H
H
L
模式
未选择
输出禁用
读
写
I / O1到I / O8
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
V
CC
当前
I
SB1
, I
SB2
I
CC1
, I
CC2
I
CC1
, I
CC2
I
CC1
, I
CC2
×
： “H”或“L”的
DC推荐工作条件
项
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
分钟。
3.0
2.0
–0.3
2
（大= 0至+ 70 ° C， GND = 0V ）
典型值。
3.3
—
—
马克斯。
3.6
V
CC
+ 0.3
0.8
V
单位
2
V
IL
= -3.0V最小。脉冲宽度小于50ns 。
–2–
CXK5V8257BTM/BYM/BM
电气特性
直流特性
项
符号
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V ， GND = 0V ，TA = 0 + 70 ° C）
测试条件
VIN = GND到VCC
CE = V
IH
,
OE = V
IH
或WE = V
IL
,
V
I / O
= GND到V
CC
CE = V
IL
,
V
IN
= V
IH
或V
IL
,
I
OUT
= 0毫安
分钟。周期，
占空比= 100％ ，余
OUT
= 0毫安
70LL
10LL
0至+ 70°C
待机电流
I
SB1
CE
≥
V
CC
– 0.2V
0至+ 40℃的
+25°C
I
SB2
输出高
电压
输出低
电压
V
OH
V
OL
CE = V
IH
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2.0毫安
分钟。
–0.5
–0.5
典型值。
1
—
—
马克斯。
0.5
0.5
单位
A
A
输入漏电流I
LI
输出漏
当前
I
LO
工作电源
电源电流
I
CC1
—
—
—
—
—
—
—
2.4
—
0.9
21
18
—
—
0.12
0.06
—
—
2
40
35
3.5
0.7
0.35
0.7
—
0.4
mA
平均开工
I
CC2
当前
mA
A
mA
V
V
1
V
CC
= 3.3V ， TA = 25℃
I / O容量
项
输入电容
I / O容量
符号测试条件
C
IN
C
I / O
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
分钟。
—
—
（ TA = 25 ° C，F = 1MHz的）
典型值。
—
—
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注）
这个参数进行采样，而不是100％测试。
AC特性
AC测试条件
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V ，TA = 0 + 70 ° C）
项
输入脉冲高电平
输入脉冲低电平
输入上升时间
输入下降时间
输入和输出参考电平
输出负载
条件
-70LL
-10LL
条件
V
IH
= 2.0V
V
IL
= 0.8V
TTL
t
R =为5ns
t
F =为5ns
1.4V
C
L
2
= 30pF的， 1TTL
C
L
2
= 100pF的， 1TTL
C
L
2
C
L
包括范围和夹具电容。
–3–
CXK5V8257BTM/BYM/BM
读周期
（WE =“ H”），
-70LL
项
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间（ CE ）
输出使能到输出有效
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出（ CE ）
输出使能在低Z输出（ OE ）
芯片禁用高Z输出（ CE ）
输出禁止在高Z输出（ OE ）
符号
分钟。
70
—
—
—
20
10
5
—
—
马克斯。
—
70
70
35
—
—
—
30
30
-10LL
分钟。
100
—
—
—
20
10
10
—
—
马克斯。
—
100
100
50
—
—
—
35
35
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
OH
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
1
t
OHZ
1
1
t
HZ
和
t
OHZ
被定义为所需的输出时间转向高阻抗状态，并且不
简称为输出电压电平。
写周期
-70LL
项
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间（ WE）
写恢复时间（ CE ）
输出写入结束活动
写在高Z输出
符号
分钟。
70
60
60
30
0
55
0
0
0
10
—
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
30
-10LL
分钟。
100
80
80
35
0
60
0
0
0
10
—
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
35
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
WC
t
AW
t
CW
t
DW
t
DH
t
WP
t
AS
t
WR
t
WR1
t
OW
t
WHZ
2
2
t
WHZ
被定义为所需的输出转向到高阻抗状态的时间，并且不被称为
输出电压电平。
–4–
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