CXK5T8512TM/TN
-10LLX/12LLX
65536-word
×
8位高速CMOS静态RAM
描述
该CXK5T8512TM / TN是一种高速CMOS
静态RAM组织为65536字×8位。
特殊特征是低功耗和
高速。
该CXK5T8512TM / TN是一个合适的RAM，用于
便携设备与备用电池。
特点
扩展工作温度范围：
-25至+ 85°C
宽电源电压范围内操作： 2.7 3.6V
快速存取时间：
（访问时间）
3.0V操作
CXK5T8512TM / TN- 10LLX为100ns （最大值）。
CXK5T8512TM / TN- 12LLX为120ns （最大值）。
3.3V操作
CXK5T8512TM / TN- 10LLX 85ns （最大）
CXK5T8512TM / TN- 12LLX为100ns （最大值）。
低待机电流：
14μA （最大值）。
低数据保持电流： 12μA （最大值）。
低功耗数据保持： 2.0V （最小值）
封装阵容
CXK5T8512TM
8mm
×
20毫米32引脚TSOP封装
CXK5T8512TN
8mm
×
13.4毫米32引脚TSOP封装
框图
CXK5T8512TM
32引脚TSOP （塑胶）
CXK5T8512TN
32引脚TSOP （塑胶）
初步
对于这款产品的供货情况，请联系销售办事处。
A15
A13
A8
A11
A9
A7
A6
A5
A14
A12
卜FF器
ROW
解码器
内存
矩阵
1024
×
512
V
CC
GND
A4
A3
A10
A0
A2
A1
OE
卜FF器
I / O门
COLUMN
解码器
卜FF器
WE
CE1
CE2
I / O缓冲器
I/O1
I/O8
功能
65536-word
×
8位的静态RAM
结构
硅栅CMOS IC
索尼保留更改产品规格，恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路，如果有的话，是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
PE96727-PS
CXK5T8512TM/TN
DC推荐工作条件
项
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
V
CC
= 2.7 3.6V
分钟。
2.7
2.4
–0.3
1
典型值。
3.3
—
—
马克斯。
3.6
V
CC
+ 0.3
0.4
分钟。
3.0
2.2
（大= -25 + 85°C ， GND = 0V ）
V
CC
= 3.3V ± 0.3V
典型值。
3.3
—
—
马克斯。
3.6
V
CC
+ 0.3
0.6
V
单位
–0.3
1
1
V
IL
= -3.0V最小。脉冲宽度小于50ns 。
电气特性
直流特性
项
输入漏电流
输出漏电流
符号
I
LI
I
LO
(V
CC
= 2.7 3.6V ， GND = 0V ，TA = -25至+ 85°C ）
测试条件
V
IN
= GND到V
CC
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
or
OE = V
IH
或WE = V
IL
V
I / O
= GND到V
CC
CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OUT
= 0毫安
分钟。周期
占空比= 100 ％
I
OUT
= 0毫安
周期时间为1μs
占空比= 100 ％
I
OUT
= 0毫安
CE1
≤
0.2V
CE2
≥
VCC - 0.2V
V
IL
≤
0.2V
V
IH
≥
VCC - 0.2V
-25至+ 85°C
CE2
≤
0.2V
CE1
≥
VCC - 0.2V -25至+ 70°C
or
CE2
≥
VCC - 0.2V
+25°C
10LLX
12LLX
分钟。
–1
–1
典型值。
1
—
—
马克斯。
+1
+1
单位
A
A
工作电源
当前
I
CC1
—
—
—
1
25
2
25
3
35
3
35
mA
I
CC2
mA
平均工作电流
I
CC3
—
5
10
mA
—
—
—
—
2.4
—
—
—
0.24
0.12
—
—
14
7
—
1.4
—
0.4
mA
V
V
A
待机电流
I
SB1
{
I
SB2
输出高电压
输出低电压
V
OH
V
OL
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
I
OH
= -2.0mA
I
OL
= 2.0毫安
1
V
CC
= 3.3V ， TA = 25℃
2
I
CC2
= 30毫安的3.3V工作电压（V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
3
I
CC2
= 40毫安的3.3V工作电压（V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
–3–
CXK5T8512TM/TN
读周期
（WE =“ H”），
V
CC
= 2.7 3.6V
项
符号
-10LLX
分钟。
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间（ CE1 ）
芯片使能存取时间（ CE2 ）
输出使能到输出有效
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
（ CE1 ， CE2 ）
输出使能在低Z输出（ OE ）
芯片禁用高Z输出
（ CE1 ， CE2 ）
输出禁止在高Z输出（ OE ）
马克斯。
—
100
100
100
50
—
—
—
40
35
-12LLX
分钟。
120
—
—
—
—
10
10
5
—
—
马克斯。
—
120
120
120
60
—
—
—
40
35
V
CC
= 3.3V ± 0.3V
-10LLX
分钟。马克斯。
85
—
—
—
—
10
10
5
—
—
—
85
85
85
40
—
—
—
35
30
-12LLX
分钟。
100
—
—
—
—
10
10
5
—
—
马克斯。
—
100
100
100
50
—
—
—
40
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
RC
t
AA
t
CO1
t
CO2
t
OE
t
OH
t
LZ1
t
LZ2
t
OLZ
t
HZ1
1
t
HZ2
1
t
OHZ
1
100
—
—
—
—
10
10
5
—
—
1
t
HZ1
, t
HZ2
和T
OHZ
被定义为所需的输出时间转向高阻抗状态，并且不
简称为输出电压电平。
写周期
V
CC
= 2.7 3.6V
项
符号
-10LLX
分钟。
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间（ WE）
写恢复时间（ CE1 ， CE2 ）
输出写入结束活动
写在高Z输出
100
t
WC
80
t
AW
80
t
CW
40
t
DW
0
t
DH
70
t
WP
0
t
AS
5
t
WR
5
t
WR1
5
t
OW
t
WHZ
2
—
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
40
-12LLX
分钟。
120
100
100
50
0
70
0
5
5
5
—
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
40
V
CC
= 3.3V ± 0.3V
-10LLX
分钟。马克斯。
85
70
70
35
0
60
0
5
5
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
35
-12LLX
分钟。
100
80
80
40
0
70
0
5
5
5
—
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
2
t
WHZ
被定义为所需的输出转向到高阻抗状态的时间，并且不被称为
输出电压电平。
–5–
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