CXK5T81000ATM/AYM/AM
-10LLX/12LLX
131072-word
×
8位高速CMOS静态RAM
描述
该CXK5T81000ATM / AYM / AM是一个高速
CMOS静态RAM组织为131072字经
8-bits.
特殊特征是低功耗和
高速。
该CXK5T81000ATM / AYM / AM是一个合适的RAM
用于便携式设备，备用电池。
特点
扩展工作温度范围：
-25至+ 85°C
宽电源电压范围内操作： 2.7 3.6V
快速存取时间：
（访问时间）
3.0V操作-10LLX
为100ns （最大值）。
-12LLX
为120ns （最大值）。
3.3V操作-10LLX
85ns （最大）
-12LLX
为100ns （最大值）。
低待机电流：
28μA （最大值）。
低数据保持电流： 24μA （最大值）。
低电压数据保留： 2.0V
（分）
封装阵容
CXK5T81000ATM/AYM
8mm
×
20毫米32引脚TSOP封装
CXK5T81000AM
525mil 32引脚SOP封装
CXK5T81000AM
32引脚SOP （塑胶）
CXK5T81000ATM
32引脚TSOP （塑胶）
初步
CXK5T81000AYM
32引脚TSOP （塑胶）
对于这款产品的供货情况，请联系销售办事处。
框图
A10
A11
A9
A8
A13
A15
A16
A14
A12
A7
卜FF器
ROW
解码器
内存
矩阵
1024
×
1024
V
CC
GND
功能
131072-word
×
8位的静态RAM
结构
硅栅CMOS IC
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
OE
卜FF器
I / O门
COLUMN
解码器
卜FF器
WE
CE1
CE2
I / O缓冲器
I/O1
I/O8
索尼保留更改产品规格，恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路，如果有的话，是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
PE96324-ST
CXK5T81000ATM/AYM/AM
DC推荐工作条件
项
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
V
CC
= 2.7 3.6V
分钟。
2.7
2.4
–0.3
1
典型值。
3.3
—
—
马克斯。
3.6
V
CC
+ 0.3
0.4
分钟。
3.0
2.2
（大= -25 + 85°C ， GND = 0V ）
V
CC
= 3.3V ± 0.3V
典型值。
3.3
—
—
马克斯。
3.6
V
CC
+ 0.3
0.6
V
单位
–0.3
1
1
V
IL
= -3.0V最小。脉冲宽度小于50ns 。
电气特性
直流特性
项
输入漏电流
输出漏电流
符号
I
LI
I
LO
(V
CC
= 2.7 3.6V ， GND = 0V ，TA = -25至+ 85°C ）
测试条件
V
IN
= GND到V
CC
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
or
OE = V
IH
或WE = V
IL
V
I / O
= GND到V
CC
CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OUT
= 0毫安
分钟。周期
占空比= 100 ％
I
OUT
= 0毫安
周期时间为1μs
占空比= 100 ％
I
OUT
= 0毫安
CE1
≤
0.2V
CE2
≥
VCC - 0.2V
V
IL
≤
0.2V
V
IH
≥
VCC - 0.2V
-25至+ 85°C
CE2
≤
0.2V
CE1
≥
VCC - 0.2V -25至+ 70°C
or
CE2
≥
VCC - 0.2V
+25°C
10LLX
12LLX
分钟。
–1
–1
典型值。
1
—
—
马克斯。
+1
+1
单位
A
A
工作电源
当前
I
CC1
—
—
—
1
25
2
25
3
35
3
35
mA
I
CC2
mA
平均工作电流
I
CC3
—
5
10
mA
—
—
—
—
2.4
—
—
—
0.48
0.12
—
—
28
14
—
1.4
—
0.4
mA
V
V
A
待机电流
I
SB1
{
I
SB2
输出高电压
输出低电压
V
OH
V
OL
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
I
OH
= -2.0mA
I
OL
= 2.0毫安
1
V
CC
= 3.3V ， TA = 25℃
2
I
CC2
= 30毫安的3.3V工作电压（V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
3
I
CC2
= 40毫安的3.3V工作电压（V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
–3–
CXK5T81000ATM/AYM/AM
读周期
（WE =“ H”），
V
CC
= 2.7 3.6V
项
符号
-10LLX
分钟。
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间（ CE1 ）
芯片使能存取时间（ CE2 ）
输出使能到输出有效
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
（ CE1 ， CE2 ）
输出使能在低Z输出（ OE ）
芯片禁用高Z输出
（ CE1 ， CE2 ）
输出禁止在高Z输出（ OE ）
马克斯。
—
100
100
100
50
—
—
—
40
35
-12LLX
分钟。
120
—
—
—
—
10
10
5
—
—
马克斯。
—
120
120
120
60
—
—
—
40
35
V
CC
= 3.3V ± 0.3V
-10LLX
分钟。马克斯。
85
—
—
—
—
10
10
5
—
—
—
85
85
85
40
—
—
—
35
30
-12LLX
分钟。
100
—
—
—
—
10
10
5
—
—
马克斯。
—
100
100
100
50
—
—
—
40
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
RC
t
AA
t
CO1
t
CO2
t
OE
t
OH
t
LZ1
t
LZ2
t
OLZ
t
HZ1
1
t
HZ2
1
t
OHZ
1
100
—
—
—
—
10
10
5
—
—
1
t
HZ1
, t
HZ2
和T
OHZ
被定义为所需的输出时间转向高阻抗状态，并且不
简称为输出电压电平。
写周期
V
CC
= 2.7 3.6V
项
符号
-10LLX
分钟。
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间（ WE）
写恢复时间（ CE1 ， CE2 ）
输出写入结束活动
写在高Z输出
100
t
WC
80
t
AW
80
t
CW
40
t
DW
0
t
DH
70
t
WP
0
t
AS
0
t
WR
0
t
WR1
5
t
OW
t
WHZ
2
—
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
40
-12LLX
分钟。
120
100
100
50
0
70
0
0
0
5
—
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
40
V
CC
= 3.3V ± 0.3V
-10LLX
分钟。马克斯。
85
70
70
35
0
60
0
0
0
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
35
-12LLX
分钟。
100
80
80
40
0
70
0
0
0
5
—
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
2
t
WHZ
被定义为所需的输出转向到高阻抗状态的时间，并且不被称为
输出电压电平。
–5–
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