CXK5B16120J/TM
-12
65536-word
×
16位高速双CMOS静态RAM
对于这款产品的供货情况，请联系销售办事处。
描述
CXK5B16120J / TM是一个高速1M位的双
CMOS静态RAM由16组织为65536字
位。运行在一个单一的3.3V电源本
异步集成电路是适合于高速应用
和低功耗应用。
特点
3.3V单电源供电
快速访问时间
CXK5B16120J
44引脚SOJ （塑胶）
CXK5B16120TM
44引脚TSOP （塑胶）
3.3V±0.3V
为12ns （最大）
功能
65536-word
×
16位静态RAM
结构
硅栅双CMOS IC
低待机电流：
10mA（最）
低功耗工作972mW （最大）
封装阵容
双重的Vcc / VSS
CXK5B16120J
CXK5B16120TM
400mil 44PIN SOJ包装
400mil 44pin的TSOP封装
框图
A14
A15
A9
A8
A12
A13
A11
A10
卜FF器
ROW
解码器
内存
VCC
矩阵
256
×
4096
引脚配置
（ TOP VIEW ）
A4
1
A3
2
A2
3
A1
4
A0
5
CE
6
GND I / O1
7
I/O2
8
I/O3
9
I/O4
1
VCC
11
I / O门
COLUMN
解码器
GND
12
I/O5
13
I/O6
14
I/O7
15
I/O8
16
WE
17
A15
18
A14
19
I / O
卜FF器
A13
20
A12
21
NC
22
0
44
A5
43
A6
42
A7
41
OE
40
UB
39
LB
38
I/O16
37
I/O15
36
I/O14
35
I/O13
34
GND
33
VCC
32
I/O12
31
I/O11
30
I/O10
29
I/O9
28
NC
27
A8
26
A9
25
A10
24
A11
23
NC
引脚说明
符号
描述
A0到A15地址输入
I/O1
到I / O8
数据的输入输出
（低字节I / O）
I/O9
数据的输入输出
到I / O16 （高字节的I / O）
CE
WE
OE
LB
UB
VCC
GND
NC
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
低字节选择输入
高字节选择输入
+ 3.3V电源
地
无连接
A5
A4
A3
A0
A2
A1
A6
A7
UB
LB
WE
OE
CE
I / O1 I / O16
卜FF器
索尼保留更改产品规格，恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路，如果有的话，是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
E93605A57-PK
CXK5B16120J/TM
绝对最大额定值
项
电源电压
输入电压
输入和输出电压
允许功耗
工作温度
储存温度
焊接温度·时间
符号
V
CC
V
IN
V
I / O
P
D
TOPR
TSTG
Tsolder
J
TM
（ TA = 25℃ ， GND = 0V ）
等级
–0.5
1
到4.6
–0.5
1
到V
CC
+ 0.5
–0.5
1
到V
CC
+ 0.5
1.5
2
0至+70
-55到+150
260 10
235 10
单位
V
V
V
W
°C
°C
° C秒
° C秒
1 VCC ，V
IN
, V
I / O
= -2.0V最小。脉冲宽度小于5ns的
2气流
≥
1m/s
真值表
CE
H
OE
×
WE
×
LB
×
L
L
L
H
L
H
H
L
L
×
L
L
H
L
L
H
×
H
×
×
H
UB
×
L
H
L
H
L
H
L
×
H
模式
未选择
读
读
读
未选择
写
写
写
输出禁用
未选择
I / O1到I / O8
高Z
数据输出
数据输出
高Z
高Z
DATA IN
DATA IN
高Z
高Z
高Z
的I / O9到I / O16
高Z
数据输出
高Z
数据输出
高Z
DATA IN
高Z
DATA IN
高Z
高Z
当前
I
SB1
, I
SB2
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
~
： “H”或“L”的
推荐工作条件
项
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
分钟。
3.0
2.0
–0.3
（大= 0至+ 70 ° C， GND = 0V ）
典型值。
3.3
—
—
马克斯。
3.6
V
CC
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
V
IL
= -2.0V最小。脉冲宽度小于5ns的
–2–
CXK5B16120J/TM
电气特性
DC特性
项
输入漏电流
输出漏电流
符号
I
LI
I
LO
（VCC = 3.3V ± 0.3V ， GND = 0V ，TA = 0 + 70 ° C）
典型值。
条件
分钟。
MAX 。 UNIT
V
IN
= GND到Vcc
CE = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
or
UB = V
IH
或LB = V
IH
V
I / O
= GND到Vcc
分钟。周期
占空比= 100 ％
I
OUT
= 0毫安，CE = V
IL
, V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
VCC - 0.2V
V
IN
≥
VCC - 0.2V或V
IN
≤
0.2V
分钟。周期
占空比= 100 ％
CE = V
IH
, V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -2.0mA
I
OL
= 2.0毫安
–10
–10
—
—
+10
+10
A
A
平均开工
当前
I
CC
—
—
270
mA
I
SB1
待机电流
I
SB2
输出高电压
输出低电压
*
VCC = 3.3V ， TA = 25℃
V
OH
V
OL
—
—
10
mA
—
2.4
—
—
—
—
100
—
0.4
mA
V
V
I / O容量
项
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
条件
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
分钟。
—
—
（ TA = 25 ° C，F = 1MHz的）
典型值。
—
—
马克斯。
5
7
单位
pF
pF
注）
这个参数进行采样，而不是100％测试。
AC特性
AC测试条件
项
输入脉冲高电平
输入脉冲低电平
输入上升时间
输入下降时间
（VCC = 3.3V ± 0.3V ，TA = 0 + 70 ° C）
条件
V
IH
= 3.0V
V
IL
= 0.0V
I / O
输出负载（ 1 ）
Zo=50
R
L
=50
V
L
=1.4V
输出负载（ 2 ） *
1
3.3V
1179
t
R = 2ns的
t
F = 2ns的
1.4V
图。 1
输入和输出参考电平
输出负载条件
I / O
5pF*
2
868
* 1 。对于T
LZ
, t
OLZ
, t
LBLZ
, t
UBLZ
, t
HZ
, t
OHZ
, t
LBHZ
, t
UBHZ
, t
OW
, t
WHZ
* 2 。包括范围和夹具电容。
图。 1
–3–
CXK5B16120J/TM
读周期
项
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出使能到输出有效
字节选择到输出有效
输出数据保持时间
芯片使能在低Z输出（ CE ）
输出使能在低Z输出（ OE ）
字节选择在低Z输出（ LB ， UB ）
芯片禁用高Z输出（ CE ）
输出禁止在高Z输出（ OE ）
字节选择在高Z输出（ LB ， UB ）
符号
-12
分钟。
12
—
—
—
—
3
3
0
0
0
0
0
马克斯。
—
12
12
6
6
—
—
—
—
6
6
6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LB
C
t
UB
t
OH
t
LZ
t
OLZ
t
LBLZ
,
t
UBLZ
t
HZ
t
OHZ
t
LBHZ
,
t
UBHZ
转变是从与图规定的装货稳定的电压测量± 200mV的。 1-（2） 。
这个参数进行采样，而不是100％测试。
写周期
项
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
字节选择要写入的结束
数据有效结束写
从写结束数据保持
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间
输出写入结束活动
写在高Z输出
符号
-12
分钟。
12
10
10
10
8
0
10
0
0
4
0
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
WC
t
AW
t
CW
t
LBW
,
t
UBW
t
DW
t
DH
t
WP
t
AS
t
WR
t
OW
*
t
WHZ
*
转变是从与图规定的装货稳定的电压测量± 200mV的。 1-（2） 。
这个参数进行采样，而不是100％测试。
–4–
QQ：2880707522 复制
