CXK591000TM/YM/M
-55LL/70LL/10LL
131,072-word
×
9位高速CMOS静态RAM
对于这款产品的供货情况，请联系销售办事处。
描述
该CXK591000TM / YM / M是一款高速CMOS
静态RAM由9位组织为131,072字。
A
多晶硅
TFT
CELL
技术
实现
非常低的待机电流和更高的数据
保持稳定性。
特殊特征是低功耗和
高速。
该CXK591000TM / YM / M是一个合适的RAM，用于
便携式设备，电池备份和校验
位。
特点
快速访问时间
CXK591000TM/YM/M
（访问时间）
CXK591000M
32引脚SOP （ PIastic ）
CXK591000TM
32引脚TSOP （ PIastic ）
CXK591000YM
32引脚TSOP （ PIastic ）
-55LL
55ns （最大）
-70LL
70ns的（最大）
-10LL
为100ns （最大值）。
低待机电流
CXK591000TM/YM/M
-55LL/70LL/10LL
24μA （最大值）。
低数据保持电流
CXK591000TM/YM/M
-55LL/70LL/10LL
14μA （最大值）。
+ 5V单电源： 5V ±10 ％ 。
低电压保日期： 2.0V （最小值）
广阔的封装阵容
CXK591000TM/YM
8mm
×
20毫米32引脚TSOP封装
CXK591000M
525mil 32引脚SOP
包
框图
A10
A11
A9
A8
A13
A15
A16
A14
A12
A7
卜FF器
ROW
解码器
内存
矩阵
1024
×
1152
V
CC
GND
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
OE
WE
CE1
CE2
卜FF器
I / O门
COLUMN
解码器
功能
131072字
×
9位静态RAM
结构
硅栅CMOS IC
卜FF器
I / O缓冲器
I / O1 I / O9
索尼保留更改产品规格，恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路，如果有的话，是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
E93X06-PS
CXK591000TM/YM/M
引脚配置
（ TOP VIEW ）
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VCC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A3
A4
A5
A6
A7
A12
A14
A16
VCC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
OE
31
A10
30
CE1
29
I/O9
28
I/O8
27
I/O7
引脚说明
符号
A16
1
A14
2
A12
3
A7
4
A6
5
A5
6
A4
7
A3
8
A2
9
A1
10
A0
11
I/O1
12
32
VCC
31
A15
30
CE2
29
WE
28
A13
27
A8
26
A9
25
A11
24
OE
23
A10
22
CE1
21
I/O9
20
I/O8
19
I/O7
18
I/O6
17
I/O5
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能1 ， 2输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
A0到A16
I / O1到I / O9
CE1 ， CE2
WE
OE
V
CC
GND
CXK591000TM
（标准引脚）
26
I/O6
25
I/O5
24
GND
23
I/O4
22
I/O3
21
I/O2
20
I/O1
19
A0
18
A1
17
A2
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
17
A2
18
A1
19
A0
20
I/O1
21
I/O2
22
I/O3
23
I/O4
24
GND
25
I/O5
26
I/O6
27
I/O7
28
I/O8
29
I/O9
30
CE1
31
A10
32
OE
I/O2
13
I/O3
14
I/O4
15
GND
16
CXK591000YM
（镜像引脚）
CXK591000M
绝对最大额定值
项
电源电压
输入电压
输入和输出电压
允许功耗
工作温度
储存温度
焊接temperrature ·时间
符号
V
CC
V
IN
V
I / O
P
D
TOPR
TSTG
Tsolder
（ TA = 25℃ ， GND = 0V ）
等级
-0.5到+7.0
–0.5
到V
CC
+ 0.5
–0.5
到V
CC
+ 0.5
0.7
0至+70
-55到+150
235 · 10
单位
V
V
V
W
°C
°C
℃， s的
V
IN
, V
I / O
= -3.0V最小。脉冲宽度小于50ns 。
真值表
CE1 CE2
H
×
L
L
L
×
L
H
H
H
OE
×
×
H
L
×
WE
×
×
H
H
L
模式
未选择
未选择
输出禁用
读
写
I / O引脚
高Z
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
V
CC
当前
I
SB1
, I
SB2
I
SB1
, I
SB2
I
CC1
, I
CC2
, I
CC3
I
CC1
, I
CC2
, I
CC3
I
CC1
, I
CC2
, I
CC3
×:
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;或\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;
–2–
CXK591000TM/YM/M
DC推荐工作条件
项
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
分钟。
4.5
2.2
–0.3
（大= 0至+ 70 ° C， GND = 0V ）
典型值。
5.0
—
—
马克斯。
5.5
V
CC
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
V
IL
= -3.0V最小。脉冲宽度小于50ns 。
电气特性
直流特性
项
输入漏电流
输出漏
当前
工作电源
当前
系统
I
LI
I
LO
测试条件
V
IN
= GND到V
CC
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
or
OE = V
IH
或WE = V
IL
V
I / O
= GND到V
CC
CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OUT
= 0毫安
分钟。周期
占空比= 100 ％
I
OUT
= 0毫安
周期时间为1μs
占空比= 100 ％
I
OUT
= 0毫安
CE1
≤
0.2V
CE2
≥
VCC - 0.2V
V
IL
≤
0.2V
V
IH
≥
VCC - 0.2V
CE2
≤
0.2V
CE1
≥
VCC - 0.2V
CE2
≥
VCC - 0.2V
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
I
OH
= -1.0mA
I
OL
= 2.1毫安
0至+ 70°C
0至+ 40℃的
+25°C
-55LL
-70LL
-10LL
(V
CC
= 5V ±10 ％ ， GND = 0V ，TA = 0 + 70 ° C）
分钟。
–1
–1
典型值。
—
—
马克斯。
+1
+1
单位
A
A
I
CC1
—
—
—
—
8
50
45
40
17
100
80
70
mA
I
CC2
mA
平均工作电流
I
CC3
—
12
24
mA
—
—
—
—
2.4
—
—
—
0.8
0.6
—
—
24
5
2.4
3
—
0.4
mA
V
V
A
I
SB1
待机电流
I
SB2
输出高电压
输出低电压
V
CC
= 5V ， TA = 25℃
V
OH
V
OL
–3–
CXK591000TM/YM/M
I / O容量
项
输入电容
I / O容量
符号测试条件
C
IN
C
I / O
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
分钟。
—
—
（ TA = 25 ° C，F = 1MHz的）
典型值。
—
—
马克斯。
7
8
单位
pF
pF
注）
这个参数进行采样，而不是100％测试。
AC特性
AC测试条件
项
输入脉冲高电平
输入脉冲低电平
输入上升时间
输入下降时间
输入和输出参考电平
输出负载条件
-55LL
-70LL/10LL
C
L
包括范围和夹具电容。
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，TA = 0 + 70 ° C）
条件
V
IH
= 2.2V
V
IL
= 0.8V
TTL
测试电路
TR =为5ns
TF =为5ns
C
L
1.5V
C
L
= 30pF的， 1TTL
C
L
= 100pF的， 1TTL
–4–
CXK591000TM/YM/M
读周期
（WE = ＆ QUOT ; H ＆ QUOT ; ）
项
读周期时间
地址访问时间
符号
t
RC
-55LL
分钟。
55
—
—
—
—
15
10
5
—
—
马克斯。
—
55
55
55
30
—
—
—
25
25
-70LL
分钟。
70
—
—
—
—
15
10
5
—
—
马克斯。
—
70
70
70
40
—
—
—
25
25
-10LL
分钟。
100
—
—
—
—
15
10
5
—
—
马克斯。
—
100
100
100
50
—
—
—
35
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
AA
t
CO1
芯片使能存取时间（ CE1 ）
t
CO2
芯片使能存取时间（ CE2 ）
t
OE
输出使能到输出有效
t
OH
从地址变更输出保持
t
LZ1
,
t
LZ2
芯片使能在低Z输出（ CE1 ， CE2 ）
t
OLZ
输出使能在低Z输出（ OE ）
芯片禁用高Z输出（ CE1 ， CE2 ）
t
HZ1
,
t
HZ2
t
OHZ
输出禁止在高Z输出（ OE ）
t
HZ1
, t
HZ2
和T
OHZ
被定义为所需的输出时间转向高阻抗状态，并且不
简称为输出电压电平。
写周期
项
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间（ WE）
写恢复时间（ CE1 ， CE2 ）
输出写入结束活动
写在高Z输出
符号
-55LL
分钟。
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25
-70LL
分钟。
70
60
60
30
0
50
0
0
0
10
—
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25
-10LL
分钟。
100
70
70
40
0
60
0
0
0
10
—
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
WC
t
AW
t
CW
t
DW
t
DH
t
WP
t
AS
t
WR
t
WR1
t
OW
t
WHZ
55
50
50
25
0
40
0
0
0
10
—
t
WHZ
被定义为所需的输出转向到高阻抗状态的时间，并且不被称为
输出电压电平。
–5–
QQ：2881677436 复制
