CXG1144EN
大功率双刀双掷开关与逻辑控制
描述
该CXG1144EN是一款高功率DPDT开关
MMIC 。该IC可以在无线通信中使用
系统，例如， CDMA手机具有GPS 。
该CXG1144EN可以由一个CMOS操作
控制线。索尼的J- FET的方法用于低
插入损耗和片上逻辑电路。
特点
低插入损耗： 0.30分贝@ 900MHz的，
0.45分贝@ 1900MHz的
高线性度： IIP3 （典型值） = 65dBm
1 CMOS兼容的控制线
小尺寸封装： 10引脚VSON
应用
双频蜂窝手机
CDMA与GPS，双频CDMA
结构
砷化镓J-FET MMIC
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
偏压
V
DD
7
控制电压
工作温度
储存温度
VCTL
TOPR
TSTG
5
-35至+85
-65到+150
10引脚VSON （塑胶）
V
V
°C
°C
砷化镓MMIC产品的ESD敏感设备。特殊处理的预防措施是必需的。
索尼保留更改产品规格，恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路，如果有的话，是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
E02748-PS
CXG1144EN
电气特性
项
插入损耗
隔离
VSWR
符号
IL
ISO 。
VSWR
2fo
谐波
3fo
输入IP3
1dB压缩输入功率
开关速度
偏置电流
控制电流
IIP3
P1dB
TSW
I
DD
ICTL
V
DD
= 3.0V
VCTL （H） = 3V
900MHz
1.9GHz
900MHz
1.9GHz
50
1
3
1
3
2
4
V
DD
= 2.8V
55
55
32
18
14
条件
分钟。
（ TA = 25 ° C，V
DD
= 3.0V)
典型值。
0.30
0.45
21
16
1.2
–75
–75
–75
–75
65
65
35
1
55
40
5
200
100
–60
–60
–60
–60
马克斯。
0.55
0.70
单位
dB
dB
dB
dB
—
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
DBM
DBM
DBM
s
A
A
条件
1
PIN = 25dBm的， 0 / 3V控制，V
DD
= 3.0V ， 900MHz的
2
PIN = 25dBm的（ 900MHz的） + 25dBm的（ 901MHz ） ， 0 / 3V控制，V
DD
= 3.0V
3
PIN = 25dBm的， 0 / 3V控制，V
DD
= 3.0V ， 1.9GHz的
4
PIN = 25dBm的（ 1.9GHz的） + 25dBm的（ 1.901GHz ） ， 0 / 3V控制，V
DD
= 3.0V
–4–
CXG1144EN
电气特性测量电路
GND （推荐）
RF3
C
RF
(100pF)
GND
6
5
C
RF
(100pF)
RF2
7
4
GND
GND
8
3
GND
RF4
C
RF
(100pF)
V
DD
醉倒（ 100pF的）
9
2
C
RF
(100pF)
RCTL （为1kΩ ）
RF1
10
1
CTL
醉倒（ 100pF的）
GND （推荐）
当使用这种集成电路，以下的外部元件，应使用：
RCTL ：
此电阻器用于改善ESD性能。 1kΩ的建议。
C
RF
:
该电容器用于射频去耦合，并且必须被用于所有的应用程序。
100pF的建议。
醉倒：该电容用于直流线路滤波。 100pF的建议。
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