CX1HSM水晶
10千赫至600千赫
小型表面安装
石英晶体的振荡器系列
描述
该CX1HSM石英晶体是一种高品质的音叉
谐振器系列中使用的（两个级联逆变器）
振荡器。该CX1HSM被密封在一个坚固的，
微型陶瓷封装。该CX1HSM水晶
使用STATEK开发的光电制造
光刻工艺，并设计了利用
通过产生数以百万计的晶体的获得的经验
工业，商业，军事和医疗应用。
最大过程温度应不超过260
O
C.
特点
实际尺寸
玻璃盖所示
包装尺寸
SIDE VIEW
D
A
顶部
底部
微型音叉设计
高抗震性
专为低功耗应用
兼容混合动力或PC板包装
低老化
提供完整的军事试验
设计的，并在美国制造的
暗淡
A
B
C
D
等效电路
E
D
B
典型值。
英寸
0.315
0.140
-
0.045
0.060
mm
8.00
3.56
-
1.14
1.52
英寸
0.330
0.155
0.055
0.070
E
C
马克斯。
mm
8.38
3.94
1.40
1.78
见下文
E
DIM“ C”
最大
SM1
SM2
SM3
C
0
1
L
1
C
1
R
1
2
玻璃盖
英寸
0.065
0.067
0.070
mm
1.65
1.70
1.78
陶瓷盖
英寸
0.070
0.072
0.075
mm
1.78
1.83
1.90
R
1
动感电阻率L
1
动态电感
C
1
动感电容C
0
旁路电容
常规系列
振荡器电路
建议提出的土地格局
0.070 (1.78)
0.160 (4.06)
振荡器
CX1H XTAL
卜FF器
请联络厂方
设计指南
英寸（毫米）
0.270 (6.86)
10122 - 修订版D
S
YS
统
C
ERT
I
F
I
C
AT
N
IO
STATEK公司512 N. MAIN ST ，橙色，CA 92868 714-639-7810传真： 714-997-1256
www.statek.com
IS
O
90
01
特定网络阳离子
图1
CX1H典型动态电阻（R
1
)
规格是典型的25
O
C除非另有说明。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
频带
10千赫至600千赫
标准校准公差* （见下表）
串联电阻（R
1
)
图1
MAX ： 10-169.9千赫，2个典型。
170-600 kHz时，典型值2.5倍。
动态电容（C
1
)
品质因数（Q ）
并联电容（C
0
)
驱动电平
转折点（T ） **
0
老龄化，第一年
冲击，生存***
振动，生存***
工作温度。范围
图2
科幻gure 3
分钟。为0.25X典型。
2.0 pF的MAX
10-24.9千赫1.5
W
最大
25-600千赫3.0
W
最大
图4
5 ppm的MAX
千克， 1毫秒，
1
/
2
正弦
20克RMS ， 10-2,000赫兹
-10
O
C至+70
O
C（商业）
-40
O
C至+ 85
O
C（工业级）
-55
O
C至+ 125
O
C（军事）
-55
O
C至+ 125
O
C
260 ℃20秒。
（ 1000年的）
O
1000
500
R
1
(k )
200
100
50
20
10
10
20
50
100 200
600
图2
CX1H典型的动态电容（C
1
)
频率（kHz ）
5
温度系数（ k）的-0.035 ppm的/
O
C
2
C
1
(fF)
2
1.0
0.5
10
20
50
100 200
600
频率（kHz ）
科幻gure 3
CX1H典型的品质因数（Q ）
储存温度。范围
最大过程温度
*更紧密的频率校准使用。
**其他的转折点可用。
***较高的冲击和振动提供。
50
20
10
5
2
10
20
50
100
200
600
图4
CX1H典型TURNING POINT TEMP （T
0
)
.
CX1HSM标准校准牛逼
olerance在25℃
O
频率范围（千赫）
10-74.9
30 PPM
(0.003%)
+
_
+
_
75-169.9
50ppm的
(0.005%)
+
_
+
_
170-249.9
+
_
250-600
+
_
100 ppm的
(0.01%)
200 ppm的
(0.02%)
200 ppm的
(0.02%)
500 ppm的
(0.05%)
频率（kHz ）
100 ppm的
(0.01%)
100 ppm的
(0.01%)
+
_
+
_
+
_
为1000ppm
(0.1%)
+
_
为1000ppm
(0.1%)
+
_
为2000ppm
(0.2%)
+
_
5000 PPM
(0.5%)
T
O
( C)
O
HOW TO ORDER CX1HSM晶体
CX1H
S
C
SM1
32.768K
频率
K =千赫
SM1 =镀金
SM2 =焊接镀
SM3 =浸焊
,
30
/
M
“S”如有特殊或
定制设计。
空白，如果标准。
校准
公差
@ 25
O
C
（单位：ppm ）
工作温度。范围：
C = -10
O
C至+70
O
C
I = -40
O
C至+ 85
O
C
M = -55
O
C至+ 125
O
C
S =客户指定
+80
+70
+60
+50
+40
+30
+20
+10
0
-10
-20
10
20
50
100
200
600
频率（kHz ）
注意：在温度T的频率f被涉及到频率f
0
at
拐点温度T
0
方式：
f-f
2
0
=
K（ T形
0
)
空白=玻璃盖
C =陶瓷盖
终端
f
0
包装
称号
SM1
SM2
SM3
终止
镀金
焊接镀
浸焊剂
CX1HSM
- 托盘包装
- 16毫米胶带，7“或13”的卷轴
（参考磁带和卷轴数据表10109 ）
10122 - 修订版D
S
YS
统
C
ERT
I
F
I
C
AT
N
IO
STATEK公司512 N. MAIN ST ，橙色，CA 92868 714-639-7810传真： 714-997-1256
www.statek.com
IS
O
90
01
欧元
石英
超小型SMD晶体
特点
频率范围的32.768kHz和100kHz至180kHz
高抗震性
超小型陶瓷封装
低老化
专为低功耗应用
全MIL测试可用
CX11SM水晶
的32.768kHz ， 100kHz至180kHz
轮廓尺寸&
描述
CX11SM晶体是专为表面贴装无铅器件
PCB上或混合基质。该晶体具有非常小的外形和
低轮廓，并适用于所有的低频应用。
规范
规格说明是典型的25°C时，除非另有说明。
规格如有变更，恕不另行通知。
参数
频率（kHz ） ：
串联电阻R1 （ kΩ）连接：
动态电容C1（ fF的） ：
QualityFactor Q（ K） ：
并联电容C0 （PF ） ：
负载电容（PF ）
1
:
质量（陶瓷盖， SM1 ）
Turover温度（℃ ）
2,3
:
校准公差：
4
基本
32.768
50
3.5
25
1.0
9
12mg
25
±20ppm
100.0
20
1.0
70
0.8
9
12mg
18
±100ppm
暗淡。
SM1
SM2
SM3
SM4
SM5
玻璃
LID
0.74
0.77
0.81
0.77
0.81
陶瓷薄玻璃
LID
LID
驱动电平：
。频率/温度常数（K ） ：
老龄化，第一年：
冲击，生存：
振动，生存：
工作温度范围
商业：
工业：
军事：
存储温度范围：
最大过程温度：
1.
2.
0.5μW最大。
-0.035ppm/°C
2
3ppm的最大
5,000G ， 0.3ms ， ＆ frac12 ;正弦
20克RMS ， 10 2000Hz的正弦扫频
-10 °至+ 70°C
-40 °C至+ 85°C
-55到+ 125°C
-55 °C至+ 125°C
+ 260℃ 20秒
0.77
0.79
0.84
0.79
0.84
0.77
0.79
0.71
0.79
0.71
端子的 - 电镀
称号
终止
SM1
SM2
SM3
SM4
SM5
镀金（无铅）
焊接镀
浸焊剂
镀焊锡（无铅）
焊锡浸胶（无铅）
3.
4.
其他的负载电容值是可用的。
晶体频率f为温度T的函数如下
抛物线关系：
F（T） = F（T
0
） [ 1 + K （T牛逼
0
)
2
]
其中， T0为营业额tmperature NA DK是频
温度恒定。
其他营业温度可用。
提供严格的公差。
晶体等效电路
封装选项
CX11SM晶体，可无论是纸盒包装（ <250pcs ）或磁带
和卷轴（ >250件） 。
12毫米磁带， 178毫米或330毫米卷轴（ EIA 418 ） 。
R1串联电阻
C1动态电容
L1动态电感
C0并联电容
HOW TO ORDER CX11SM晶体
CX11 - S
'S'如有特殊，
定制设计。
否则保留
空白
-
C
空白=玻璃盖
C =陶瓷盖
-
SM1
-
32.768K, 100 /
频率
K =千赫
I
TEMP 。 RANGE
C = -10° ~ +70°C
I = -40 ° + 85°C
M = -55 ° + 125°C
S =客户指定
终端
SM1 =镀金*
SM2 =焊接镀
SM3 =浸焊
SM4 =焊接镀*
SM5 =焊接蘸*
* =无铅
校准
宽容*
A
B
C
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