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100MHz的CMOS / DMOS
宽带模拟开关
公司
CWB211
特点
描述
该Calogic CWB211为设计人员提供高性能,低
成本。该CWB211是一个很好的选择,其中电容和
切换时间是至关重要的。该设备从执行行业
标准DG211类型,提供更快的开关速度,低
R
DS ( ON)
和更低的电容,同时保持高关
隔离和良好的带宽。该Calogic CWB211配置
是一个引脚对引脚替代现有的模拟开关
并同时提升的高频性能。
在Calogic专有的低电压CMOS制造
结合高速DMOS FET的,该装置为TTL
使用兼容的片上基准,以提供恒定
逻辑开关在宽范围的电源电压和
温度,而不需要单独的电源。
订购信息
部分
CWB211CP
CWB211CY
XCWB211
引脚配置
塑料16引脚DIP
SO- 16塑料
在运营商排序芯片
温度范围
0至+85
o
C
0至+85
o
C
0至+85
o
C
超低漏电。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ID (
OFF )
200PA典型
低电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 CD 0.3pf典型
抗性
低兼容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
典型
TTL
无干扰模拟开关
RF &视频开关
采样 - 保持开关
通信系统
磁盘驱动器
应用
功能框图
S
1
16引脚DIP
IN1
D1
S1
V-
GND
S4
D4
IN4
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
CWB211CP
16 IN2
15 D2
14 S2
13 V+
12 N / C
11 S3
10 D3
9
IN3
IN1
D1
S1
V-
GND
S4
D4
IN4
1
2
3
4
5
6
7
8
SO-16
16 IN2
15 D2
14 S2
13 V+
12 N / C
11 S3
10 D3
9
顶视图
CWB211CY
IN3
IN
1
D
1
S
2
IN
2
D
2
S
3
IN
3
D
3
S
4
IN
4
D
4
每包四通道SPST开关。
交换机在逻辑“1”输入位置显示。
逻辑表
CWB
注意:
所有设备包括二极管,以防止输入
由于高的静态电压或电场损坏;
但是,建议采取预防措施不
超过最大推荐的输入电压。所有
未使用的输入端必须连接到一个适当的逻辑
电平(V
DD
或GND ) 。
逻辑
0
1
开关
ON
关闭
逻辑“0”的
0.8V
逻辑“1”的
2.42V
CWB211
公司
绝对最大额定值
V-
V+
V
IN
I
L
I
S
I
S
T
J
T
S
P
D
负电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -20V
正电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 20V
控制输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V + + 0.3V
V- -0.3V
连续电流,除S或D.任何引脚。 。 。 。 。 20毫安
连续电流,S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值脉冲电流,S或D, 80μsec ,1%,
占空比。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90毫安
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55到+125
o
C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55到+125
o
C
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500mW的
推荐工作条件
V-
V+
V
IN
T
OP
负电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -8.0至-15V
正电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +8.0至+ 15V
控制输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到+ 5V
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至+85
o
C
电气特性
( V - = -15V , V + = + 15V ,除非另有说明,T
A
= +25
o
C)
符号
STATIC
V
类似物
r
DS ( ON)
V
IH
V
IL
I
IN
I
D(关闭)
I
S( OFF)
I-
I+
动态
t
ON
t
关闭
O
IRR
C
CRR
C
d
C
s
开关导通时间
开关关断时间
关闭隔离抑制比
交叉耦合抑制比
漏极节点电容
源节点电容
60
400
70
66
80
0.3
3.0
600
300
纳秒
dB
pF
见开关时间测试电路
F = 10MHz时,R
L
= 50
V
D
= V
S
= 0
F = 1MHz的
V
IN
=
+2.4V
参数
模拟信号范围
Channel开启电阻
高电平输入电压
低电平输入电压
逻辑输入漏电流
关机漏电流
负电源静态电流
正电源静态电流
0.01
0.02
0.2
0.4
-0.3
0.6
2.4
0.8
0.1
0.1
5.0
5.0
-1.0
2.0
-10
40
45
100
典型值
最大
+10
80
80
160
V
A
nA
mA
V
IN
= +2.4V
V
IN
= +15V
V
D
= +10V, V
S
= -10V
V
S
= +10V, V
D
= -10V
V
IN
= 0或+ 2.4V
V
IN
=
+2.4V
单位
V
V
S
= -10V
V
S
= +2.0V
V
S
= +10V
V
IN
= 0
测试条件
电气特性
( V - = -15V , V + = + 15V ,除非另有说明)
极限温度下
符号
STATIC
V
类似物
r
DS ( ON)
模拟信号范围
开关导通电阻
逻辑输入
漏电流
关闭
漏电流
负电源静态电流
正电源静态电流
±10
120
120
240
I
IN
I
D(关闭)
I
S( OFF)
I-
I+
1.0
2.0
100
100
-1.0
2.0
A
nA
mA
V
V
S
= -10V
V
S
= +2.0V
V
S
= +10V
V
IN
= +2.4V
V
IN
= +15V
V
D
= +10V, V
S
= -10V
V
S
= +10V, V
D
= -10V
V
IN
= 0或+ 2.4V
V
IN
= +2.4V
V
IN
= 0
参数
最大@ T
A
=
+85
o
C
单位
测试条件
CWB211
公司
典型性能特性
(T
A
= +25
o
C除非另有说明)
开关时间测试电路
测试波形
3.0V
+15V
(V
S
)
开关
输入
+3V
开关
产量
V
0
R
L
=
50
C
L
=
12pF
逻辑输入
t
上升
< 6nSEC
t
秋天
< 4nSEC
50%
0
(V
S
)开关输入
逻辑
输入
V
0
开关输出
0.9
-15V
开关表示逻辑“1” ,
开关,位置
V
0
=
0
R
L
L
t
ON
(
R
+ r
DS ( ON)
V
S
)
t
关闭
800
700
600
切换时间( nSec的)
开关时间
-VS-
电源电压
V
S
= 3V
R
L
= 50
C
L
=为12pF
切换时间( nSec的)
开关时间
-VS-
环境温度
800
700
600
500
t
ON
400
300
200
100
0
-50
t
关闭
V-, V+ = +15V
_
R
L
= 50
C
L
=为12pF
V
S
= 3V
500
t
ON
400
300
200
100
0
_
+5
t
关闭
_
+7.5
_
+10
_
+12.5
_
+15
-25
V- ,V + - 电源电压(伏特)
0 +25 +50 +75 +100 +125 +150
T
A
- 环境温度(
o
C)
CWB211
公司
典型性能特性
(T
A
= +25
o
C除非另有说明)
2.2
V
IN
= - 逻辑阈值(伏特)
逻辑阈值
-VS-
电源电压
电源电流
-VS-
环境温度
0.7
0.6
我 - 电源电流(mA )
2.1
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
_
+8
I+
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-50
V-, V+ = +15V
_
V
IN
= +2.4V
-25
+25 +50 +75 +100 +125
T
A
- 环境温度(
o
C)
0
I-
_
+9 +10 +11 +12 +13 +14 +15
_
_
_
_
_
_
V- ,V + - 电源电压(伏特)
开关关断隔离抑制比
-VS-
频率
100
OIRR - 关闭隔离抑制比(dB )
插入损耗
-VS-
频率
0
1
I
L
- 插入损耗(dB )
90
80
70
60
50
40
30
20
1
2
5
10
20
的F - 频率(MHz)
50
100
V-, V+ = _
+15V
R
L
= 50
R
L
= 1K
V-, V+ = _
+15V
V
S
= 0.1V
RMS
2
3
4
5
6
7
8
1
R
L
= 50
2
5
10
20
的F - 频率(MHz)
50
100
CWB211
公司
典型性能特性
(T
A
= +25
o
C除非另有说明)
160
r
DS ( ON)
- 开关导通电阻(欧姆)
开关导通电阻
-VS-
模拟电压
r
DS ( ON)
- 开关导通电阻(欧姆)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
+
_5
开关导通电阻
-VS-
电源电压
140
120
100
80
60
40
20
0
-10
V-, V+ = +15V
_
R
L
= 50
R
L
= 50
V
S
= 0.1V
RMS
F = 1kHz时
-5.0
0
+5.0
+10
_
+7.5
_
+10
+12.5
_
_
+15
V
S
- 源极电压(伏特)
V- ,V + - 电源电压(伏特)
开关导通电阻
-VS-
频率
80
70
_
V-, V+ = +8V
r
DS ( ON)
- 开关导通电阻
总谐波失真( %)
总谐波失真
-VS-
频率
0.8
V-, V+ = _
+15V
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
R
L
= 1K
, V
S
= 1V
RMS
1
4
10
的F - 频率(MHz)
40
R
L
= 50
, V
S
= 1V
RMS
60
50
V-, V+ = _
+15V
40
30
20
10
0
1
2
5
10
20
的F - 频率(MHz)
50
100
R
L
= 50
V
S
= 0.1V
RMS
R
L
= 50
, V
S
= 0.3V
RMS
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    联系人:杨小姐
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    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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