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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第565页 > CV211-2A
CV211-2A
UMTS / WiMax的频段双科下变频器
通信EDGE
TM
产品信息
产品特点
高动态范围下变频转换器
集成LO和IF放大器
产品说明
该CV211-2A是一个双通道的高线性度向下
转换器专为满足苛刻的性能,
当前和下一代的功能性,和成本目标
移动基础架构基站。它提供了高
低调的表面贴装动态范围性能
无铅封装,尺寸为6 ×6平方毫米。
它非常适用于高动态范围接收机前端
结束使用分集接收通道。功能
包括频率转换和中频放大,
而集成的LO驱动器放大器的权力
无源混频器。在MCM与可靠的实现
和成熟的GaAs MESFET和的InGaP HBT技术。
典型的应用包括下变频
在W-CDMA的3G和WiMax移动基站使用
收发站。
工作原理图
IF1
产量
23
混频器
IF1
AMP1
输入
GND
GND
28
RF 1
1
输入
GND 2
BIAS 3
GND 4
GND 5
GND 6
RF 2 7
输入
RF
8
GND
9
混频器
IF2
27
26
25
24
GND
22
21 BIAS
双通道分集
+30 dBm的输入IP3
12.5 dBm的P1dB为输入
RF :一九零零年至2700年兆赫
IF : 65 - 300兆赫
+ 5V单电源供电
无铅6毫米28引脚QFN封装
低端LO配置
与其他常见的足迹
PCS /蜂窝版本
IF
RF
IF放大器1
GND
20 GND
19 GND
18 GND
17 LO
16 GND
15 GND
14
GND
LO驱动放大器
IF放大器2
IF
10
GND
11
AMP2
输入
12
GND
13
IF2
产量
顶视图
特定网络阳离子
(1)
参数
RF频率范围
LO频率范围
IF频率范围
%左右的带宽IF中心频率
IF测试频率
SSB转换增益
增益漂移,温度( -40 85°C )
输入IP3
输入IP2
输入1 dB压缩点
噪声系数
LO输入驱动电平
LO-RF隔离
LO- IF隔离
科兴科隔离
回波损耗: RF端口
回波损耗: LO端口
回波损耗: IF端口
工作电源电压
电源电流
热阻
结温
单位
兆赫
兆赫
兆赫
%
兆赫
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
dB
V
mA
C / W
°C
典型值
1900 – 2200
1600 – 2135
65 – 300
±7.5
最大
典型值
最大
评论
8
-1.5
+25
+33
-2.5
320
240
10
±0.6
+30
+37
+12.5
11
0
12
26
44
15
18
14
+5
380
12
+1.5
8
-1.5
+17
+33
+2.5
-2.5
475
27
160
320
2500 – 2700
2200 – 2565
135 – 300
±12
155
12
10
+1.5
±0.6
+22
+37
+7.0
12
+2.5
0
9
17
40
14
12
10
+5
475
380
27
160
见注2
见注3
TEMP = 25°C
引用到+25°C时
见注4
见注4
见注4
见注5
P
LO
= 0 dBm的
P
LO
= 0 dBm的
见注6
使用该应用程序的特定电路时(如图3页上)配有一个低侧LO = 0 dBm的和1.规格的IF = 240兆赫,在25下变频应用
°C.
2.如果匹配元件影响IF中心频率。可以通过发送电子邮件至applications.engineering@wj.com提供其他IF中心频率比显示正确的元件值。
3.转换器的IF带宽被定义为15%左右任意中心频率在其操作的IF频率范围。带宽与外部组件来确定。技术指标是有效的身边
总的± 7.5 %的带宽。 IE浏览器。以240兆赫的中心频率,该规范是从240 ± 18兆赫有效。
4.假设电源电压= + 5V IIP3的测量条件
f
= 1 MHz的RF
in
= -5 dBm的/音。
5.假设LO注入噪声过滤的热噪声基底, -174 dBm / Hz表示,在RF ,IF和图像频率。
6.最高结温确保100万小时的使用时间最少MTTF评级。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
直流电压
结温
订购信息
产品型号
CV211-2AF
等级
-40至+85
°C
-55至+150°C
+5.5 V
+220 °C
描述
UMTS / WiMax的频段双科Dwncvtr 。
(无铅/符合RoHS标准的采用6x6mm QFN封装)
CV211-2APCB75完全组装的评估和演示。板, IF = 75MHz的
CV211-2APCB240完全组装的评估和演示。板, IF = 240MHz的
规格和信息如有变更,恕不另行通知
该设备上面这些参数的操作可能会造成永久性的损害。
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真: 408-577-6621
电子信箱: sales@wj.com
网站: www.wj.com
分页: 9 1 2007年6月
CV211-2A
UMTS / WiMax的频段双科下变频器
IF1
产量
混频器
IF1
AMP1
输入
GND
GND
28
RF 1
1
输入
GND 2
BIAS 3
GND 4
N / C 5
GND 6
RF 2 7
输入
RF
8
GND
9
混频器
IF2
27
26
25
24
GND
23
22
21 BIAS
GND
通信EDGE
TM
产品信息
设备架构/应用电路信息
典型的2.1 GHz的性能下变频器链分析(每科)
20 GND
19 N / C
18 GND
IF
RF
IF放大器1
舞台
LO放大器/混频器MMIC
IF放大器
CV211-2A
收益
( dB)的
输入
P1dB
( dBm的)
输入
IP3
( dBm的)
NF
( dB)的
当前
(MA )
80
150
380*
LO驱动放大器
IF放大器2
IF
10
GND
11
AMP2
输入
12
GND
13
IF2
产量
14
GND
17 LO
16 GND
15 N / C
-8.7
20
35
9.0
18.7
4.6
23
2.1
累积表现
累积表现
输入
输入
收益
NF
P1dB
IP3
( dB)的
( dB)的
( dBm的)
( dBm的)
-8.7
20.0
35
9
10.0
12.5
30
11
10.0
12.5
30
11
* 2个
nd
分支包括另一个混频器和IF放大器,这增加了总的电流消耗
所述的MCM到380毫安。
印刷电路板材料:
0.014 “的FR-4 ,第4层, 0.062 ”总厚度
中频放大器匹配
频率(MHz)
L7 ( NH)
C17 (PF )
R 8 (欧姆)
L4 ( NH)
40
470
24
4.7
470
50
430
15
4.7
240
75
150
22
3.3
330
100
150
10
2.2
330
125
120
8.2
2.2
330
130
120
6.8
2.2
330
155
100
5.6
2.2
330
180
82
4.7
2.2
330
210
82
3.3
2.2
220
240
56
3.9
2.2
220
CV211-2A :
应用电路可以被分为三个主要
射频/中频双工:如表示在上述的着色点的区域的功能
(蓝色) , IF放大器匹配(绿)和直流偏压(紫色) 。有
不同的占位符中的电路原理图,使片状元件
一个普通的PCB可以被用于所有的WJ双分支转换器。进一步
细节在位于标题网站上的应用说明给出
“ CV2xx系列 - 印刷电路板设计指南” 。
WiMax的操作:
没有变化的应用电路
2.5 GHz至2.7 GHz的操作。
外部双工器:
这将只与蜂窝频段的CV使用
产品。该混频器内部进行双工的
CV211-2A ;因此,在双工器的截面中所示的组件
应该不会,除了L3 , L10 , L7 , L11和,其中装
应包含0
跳线。
规格和信息如有变更,恕不另行通知
第9 2 2007年6月
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真: 408-577-6621
电子信箱: sales@wj.com
网站: www.wj.com
CV211-2A
UMTS / WiMax的频段双科下变频器
中频放大器匹配:
IF放大器需要匹配
元件,以优化该放大器的性能,所期望的
IF中心频率。因为如果带宽通常的顺序
的5 %至10% ,一个简单的两元件的匹配网络,在形式
无论是高通或低通滤波器的结构,是足以匹配
在MMIC IF放大器在这些狭窄的带宽。
通信EDGE
TM
产品信息
直流偏置:
直流偏置必须提供本振和中频放大器
在该转换器。 R1设置的操作电流的最后阶段
LO放大器和被选择为优化混频器的LO驱动电平。
正确的RF扼流圈和旁路电容均选用适当的
放大器的偏置在操作的预定频率。在“ +5 V”
直流偏置应直接从电压调节器提供。
应用电路: IF = 75兆赫( CV211-2APCB75 )
RF =一九零零年至2700年兆赫, IF = 75 MHz的
PCB布局
材料清单
参考文献。 DESIG 。
R1
R 2, R 3 ,R 4 ,L3, L7
L10, L11
R6, R7
C1, C5, C10, C15
C4, C11
C6, C12, C14
C7, C13
L1
L4, L8
L5, L9
C2, C3, C8, C9, C16
C17, C19, C20, C21
C22 ,L2 ,L6
U1
部件
11.3
贴片电阻
0
贴片电阻
3.3
贴片电阻
1000 pF的电容芯片
22 pF的贴片电容
.018
F
贴片电容
100 pF的电容芯片
120 nH的片式电感器
150 nH的片式电感器
220 nH的片式电感器
显示在丝网印刷,但
在实际电路中不使用。
CV211-2A WJ转换器
QFN
SIZE
0805
0603
0603
0603
0603
0603
0603
0603
0603
0805
电路板材料: 0.014 “ FR- 4 , 4层, .062 ”总厚度
规格和信息如有变更,恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真: 408-577-6621
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第9 3 2007年6月
CV211-2A
UMTS / WiMax的频段双科下变频器
转换增益VS IF频率
LO = 0 dBm时, LO = 1875 MHz的低端LO
通信EDGE
TM
产品信息
CV211-2APCB75应用电路的性能曲线
输入IP3 VS IF频率
LO = 0 dBm时, LO = 1875 MHz的低端LO
输入IP2 VS IF频率
LO = 0 dBm时, LO = 1875 MHz的低端LO
转换增益(dB )
11
输入IP3 ( dBm的)
10
9
8
7
6
65
-40°C
+25°C
+85°C
32
30
28
26
24
22
85
65
-40°C
+25°C
+85°C
40
输入IP2 ( DBM)
38
36
34
32
30
85
65
-40°C
+25°C
+85°C
70
75
IF频率(MHz )
80
70
75
IF频率(MHz )
80
70
75
IF频率(MHz )
80
85
转换增益VS RF频率
25℃下, IF = 75兆赫,低端LO
输入IP3 VS RF频率
25℃下, IF = 75兆赫,低端LO
输入IP2 VS RF频率
25℃下, IF = 75兆赫,低端LO
转换增益(dB )
11
输入IP3 ( dBm的)
10
9
8
7
6
1900
1950
2000
2050
LO = -2.5 dBm的
LO = 0 dBm的
LO = 2.5 dBm的
32
30
28
26
24
22
1900
1950
2000
2050
LO = -2.5 dBm的
LO = 0 dBm的
LO = 2.5 dBm的
40
输入IP2 ( DBM)
38
36
34
32
30
1900
1950
2000
2050
LO = -2.5 dBm的
LO = 0 dBm的
LO = 2.5 dBm的
2100
2150
2200
2100
2150
2200
2100
2150
2200
射频频率( MHz)的
转换增益VS RF频率
LO = 0 dBm时, IF = 75兆赫,低端LO
射频频率( MHz)的
输入IP3 VS RF频率
LO = 0 dBm时, IF = 75兆赫,低端LO
射频频率( MHz)的
输入IP2 VS RF频率
LO = 0 dBm时, IF = 75兆赫,低端LO
转换增益(dB )
11
输入IP3 ( dBm的)
10
9
8
7
6
1900
-40°C
+25°C
+85°C
32
30
28
26
24
22
2200
1900
-40°C
+25°C
+85°C
40
输入IP2 ( DBM)
38
36
34
32
30
2200
1900
-40°C
+25°C
+85°C
1950
2000
2050
2100
2150
1950
2000
2050
2100
2150
1950
2000
2050
2100
2150
2200
射频频率( MHz)的
转换增益VS RF频率
25℃下, LO = 0 dBm时, IF = 75兆赫,低端LO
射频频率( MHz)的
输入IP3 VS RF频率
25℃下, LO = 0 dBm时, IF = 75兆赫,低端LO
射频频率( MHz)的
输入IP2 VS RF频率
25℃下, LO = 0 dBm时, IF = 75兆赫,低端LO
11
转换增益(dB )
输入IP3 ( dBm的)
10
9
8
7
6
1900
1950
2000
2050
2100
32
30
28
26
24
22
1900
1950
2000
2050
2100
输入IP2 ( DBM)
40
38
36
34
32
30
1900
1950
2000
2050
2100
VDD = 4.9 V
VDD = 5.0 V
VDD = 5.1 V
2150
2200
VDD = 4.9 V
VDD = 5.0 V
VDD = 5.1 V
2150
2200
VDD = 4.9 V
VDD = 5.0 V
VDD = 5.1 V
2150
2200
射频频率( MHz)的
射频频率( MHz)的
射频频率( MHz)的
规格和信息如有变更,恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真: 408-577-6621
电子信箱: sales@wj.com
网站: www.wj.com
第9 4 2007年6月
CV211-2A
UMTS / WiMax的频段双科下变频器
L-R隔离VS LO频率
引用与LO = 0 dBm的
通信EDGE
TM
产品信息
CV211-2APCB75应用电路的性能曲线(续)
L-1的分离VS LO频率
引用与LO = 0 dBm的
科兴科隔离VS RF频率
25°C
25
L-R隔离度( dB)的
20
15
10
5
0
1600
-40°C
+25°C
+85°C
30
L-1隔离度(dB )
隔离度(dB )
-40°C
+25°C
+85°C
50
40
30
20
10
0
2200
1900
1950
2000
2050
2100
2150
2200
25
20
15
10
5
1700
1800
1900
2000
2100
2200
1600
1700
1800
1900
2000
2100
LO频率(MHz)
如果返回损耗VS RF频率
25°C
LO频率(MHz)
RF回波损耗VS RF频率
25°C
射频频率( MHz)的
LO回波损耗VS LO频率
25°C
0
回波损耗(分贝)
回波损耗(分贝)
5
10
15
20
25
30
65
70
75
IF频率(MHz )
80
85
0
5
10
15
20
25
30
1900
1950
2000
2050
2100
2150
2200
回波损耗(分贝)
0
10
20
30
40
1600
1700
1800
1900
2000
2100
2200
射频频率( MHz)的
噪声系数与温度
输入P1dB为与温度
RF = 1950 MHz的IF = 75 MHz时, LO = 0 dBm的@ 1875 MHz的
LO频率(MHz)
RF = 1950 MHz的IF = 75 MHz时, LO = 0 dBm的@ 1875 MHz的
14
12
10
8
6
4
-40
-20
0
20
40
60
80
输入P1dB的( DBM)
噪声系数(dB )
14
12
10
8
6
4
-40
-20
0
20
40
60
80
perature ( °
C)
perature ( °
C)
规格和信息如有变更,恕不另行通知
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第9 5 2007年6月
CV211-2A
产品特点
高动态范围下变频转换器
集成LO和IF放大器
通信EDGE
TM
产品信息
UMTS波段双科下变频器
产品说明
该CV211-2A是一个双通道的高线性度向下
转换器专为满足苛刻的性能,
当前和下一代的功能性,和成本目标
移动基础架构基站。它提供了高
低调的表面贴装动态范围性能
无铅封装,尺寸为6 ×6平方毫米。
它非常适用于高动态范围接收机前端
结束使用分集接收通道。功能
包括频率转换和中频放大,
而集成的LO驱动器放大器的权力
无源混频器。在MCM与可靠的实现
和成熟的GaAs MESFET和的InGaP HBT技术。
典型的应用包括下变频
在W-CDMA的2.5G和3G移动基站收发信机中使用
站。
工作原理图
AMP1
输入
IF1
产量
23
GND
混频器
IF1
GND
28
RF 1
1
输入
GND 2
BIAS 3
GND 4
GND 5
GND 6
RF 2 7
输入
27
GND
26
25
24
双通道分集
+30 dBm的输入IP3
12.5 dBm的P1dB为输入
RF : 1900年至2200年兆赫
IF : 65 - 300兆赫
+ 5V单电源供电
无铅6毫米28引脚QFN封装
低端LO配置
与其他常见的足迹
PCS /蜂窝版本
RF
IF
IF放大器1
GND
22
21 BIAS
20 GND
19 GND
18 GND
17 LO
16 GND
15 GND
14
GND
LO驱动放大器
IF放大器2
RF
8
GND
9
混频器
IF2
IF
10
GND
11
AMP2
输入
12
GND
13
IF2
产量
顶视图
特定网络阳离子
(1)
参数
RF频率范围
LO频率范围
IF频率范围
%左右的带宽IF中心频率
IF测试频率
SSB转换增益
增益漂移,温度( -40 85°C )
输入IP3
输入IP2
输入1 dB压缩点
噪声系数
LO输入驱动电平
LO-RF隔离
LO- IF隔离
科兴科隔离
回波损耗: RF端口
回波损耗: LO端口
回波损耗: IF端口
工作电源电压
电源电流
热阻
结温
单位
兆赫
兆赫
兆赫
%
兆赫
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
dB
V
mA
C / W
°C
典型值
1900 – 2200
1600 – 2135
65 – 300
±7.5
240
10
±0.6
+30
+37
+12.5
11
0
12
26
44
15
18
14
+5
380
最大
评论
见注2
见注3
12
+1.5
TEMP = 25°C
引用到+25°C时
见注4
见注4
见注4
见注5
P
LO
= 0 dBm的
P
LO
= 0 dBm的
8
-1.5
+25
+33
-2.5
+2.5
320
475
27
160
见注6
使用该应用程序的特定电路时(如图3页上)配有一个低侧LO = 0 dBm的和1.规格的IF = 240兆赫,在25下变频应用
°C.
2.如果匹配元件影响IF中心频率。可以通过发送电子邮件至applications.engineering@wj.com提供其他IF中心频率比显示正确的元件值。
3.转换器的IF带宽被定义为15%左右任意中心频率在其操作的IF频率范围。带宽与外部组件来确定。技术指标是有效的身边
总的± 7.5 %的带宽。 IE浏览器。以240兆赫的中心频率,该规范是从240 ± 18兆赫有效。
4.假设电源电压= + 5V IIP3的测量条件
Δf
= 1 MHz的RF
in
= -5 dBm的/音。
5.假设LO注入噪声过滤的热噪声基底, -174 dBm / Hz表示,在RF ,IF和图像频率。
6.最高结温确保100万小时的使用时间最少MTTF评级。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
直流电压
结温
-40至+85
°C
-55至+150°C
+5.5 V
+220 °C
订购信息
产品型号
CV211-2AF
等级
描述
UMTS波段双科下变频器
(无铅/符合RoHS标准的采用6x6mm QFN封装)
CV211-2APCB75完全组装的评估和演示。板, IF = 75MHz的
CV211-2APCB240完全组装的评估和演示。板, IF = 240MHz的
规格和信息如有变更,恕不另行通知
该设备上面这些参数的操作可能会造成永久性的损害。
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分页: 9 1 2006年3月
CV211-2A
AMP1
输入
IF1
产量
GND
混频器
IF1
GND
28
RF 1
1
输入
GND 2
BIAS 3
GND 4
N / C 5
GND 6
RF 2 7
输入
27
GND
26
25
24
23
GND
22
21 BIAS
通信EDGE
TM
产品信息
UMTS波段双科下变频器
设备架构/应用电路信息
IF
IF放大器1
典型的下变频器性能链分析(每科)
20 GND
19 N / C
18 GND
RF
舞台
LO放大器/混频器MMIC
IF放大器
CV211-2A
收益
( dB)的
输入
P1dB
( dBm的)
输入
IP3
( dBm的)
NF
( dB)的
当前
(MA )
80
150
380*
LO驱动放大器
IF放大器2
RF
8
GND
9
混频器
IF2
17 LO
16 GND
15 N / C
-8.7
20
35
9.0
18.7
4.6
23
2.1
累积表现
累积表现
输入
输入
收益
NF
P1dB
IP3
( dB)的
( dB)的
( dBm的)
( dBm的)
-8.7
20.0
35
9
10.0
12.5
30
11
10.0
12.5
30
11
IF
10
GND
11
AMP2
输入
12
GND
13
IF2
产量
14
GND
* 2个
nd
分支包括另一个混频器和IF放大器,这增加了总的电流消耗
所述的MCM到380毫安。
印刷电路板材料:
0.014 “的FR-4 ,第4层, 0.062 ”总厚度
CV211-2A :
应用电路可以被分为三个主要
射频/中频双工:如表示在上述的着色点的区域的功能
(蓝色) , IF放大器匹配(绿)和直流偏压(紫色) 。有
不同的占位符中的电路原理图,使片状元件
一个普通的PCB可以被用于所有的WJ双分支转换器。进一步
细节在位于标题网站上的应用说明给出
“ CV2xx系列 - 印刷电路板设计指南” 。
外部双工器:
这将只与蜂窝频段的CV使用
产品。该混频器内部进行双工的
CV211-2A ;因此,在双工器的截面中所示的组件
应该不会,除了L3 , L10 , L7 , L11和,其中装
应包含0
Ω
跳线。
中频放大器匹配:
IF放大器需要匹配
元件,以优化该放大器的性能,所期望的
IF中心频率。因为如果带宽通常的顺序
的5 %至10% ,一个简单的两元件的匹配网络,在形式
无论是高通或低通滤波器的结构,是足以匹配
在MMIC IF放大器在这些狭窄的带宽。正确
可以通过提供用于其它IF中心频率分量值
通过电子邮件发送给applications.engineering@wj.com 。
直流偏置:
直流偏置必须提供本振和中频放大器
在该转换器。 R1设置的操作电流的最后阶段
LO放大器和被选择为优化混频器的LO驱动电平。
正确的RF扼流圈和旁路电容均选用适当的
放大器的偏置在操作的预定频率。在“ +5 V”
直流偏置应直接从电压调节器提供。
规格和信息如有变更,恕不另行通知
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第9 2 2006年3月
CV211-2A
通信EDGE
TM
产品信息
UMTS波段双科下变频器
应用电路: IF = 75兆赫( CV211-2APCB75 )
RF = 1900年至2200年兆赫, IF = 75 MHz的
PCB布局
材料清单
参考文献。 DESIG 。
R1
R 2, R 3 ,R 4 ,L3, L7
L10, L11
R6, R7
C1, C5, C10, C15
C4, C11
C6, C12, C14
C7, C13
L1
L4, L8
L5, L9
C2, C3, C8, C9, C16
C17, C19, C20, C21
C22 ,L2 ,L6
U1
部件
11.3
Ω
贴片电阻
0
Ω
贴片电阻
3.3
Ω
贴片电阻
1000 pF的电容芯片
22 pF的贴片电容
.018
μF
贴片电容
100 pF的电容芯片
120 nH的片式电感器
150 nH的片式电感器
220 nH的片式电感器
显示在丝网印刷,但
在实际电路中不使用。
CV211-2A WJ转换器
QFN
SIZE
0805
0603
0603
0603
0603
0603
0603
0603
0603
0805
电路板材料: 0.014 “ FR- 4 , 4层, .062 ”总厚度
规格和信息如有变更,恕不另行通知
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第9 3 2006年3月
CV211-2A
转换增益VS IF频率
LO = 0 dBm时, LO = 1875 MHz的低端LO
通信EDGE
TM
产品信息
UMTS波段双科下变频器
CV211-2APCB75应用电路的性能曲线
输入IP3 VS IF频率
LO = 0 dBm时, LO = 1875 MHz的低端LO
输入IP2 VS IF频率
LO = 0 dBm时, LO = 1875 MHz的低端LO
转换增益(dB )
11
输入IP3 ( dBm的)
10
9
8
7
6
65
-40° C
+25° C
+85° C
32
30
28
26
24
22
85
65
-40° C
+25° C
+85° C
40
输入IP2 ( DBM)
38
36
34
32
30
85
65
-40° C
+25° C
+85° C
70
75
IF频率(MHz )
80
70
75
IF频率(MHz )
80
70
75
IF频率(MHz )
80
85
转换增益VS RF频率
25℃下, IF = 75兆赫,低端LO
输入IP3 VS RF频率
25℃下, IF = 75兆赫,低端LO
输入IP2 VS RF频率
25℃下, IF = 75兆赫,低端LO
转换增益(dB )
11
输入IP3 ( dBm的)
10
9
8
7
6
1900
1950
2000
2050
LO = -2.5 dBm的
LO = 0 dBm的
LO = 2.5 dBm的
32
30
28
26
24
22
1900
1950
2000
2050
LO = -2.5 dBm的
LO = 0 dBm的
LO = 2.5 dBm的
40
输入IP2 ( DBM)
38
36
34
32
30
1900
1950
2000
2050
LO = -2.5 dBm的
LO = 0 dBm的
LO = 2.5 dBm的
2100
2150
2200
2100
2150
2200
2100
2150
2200
射频频率( MHz)的
转换增益VS RF频率
LO = 0 dBm时, IF = 75兆赫,低端LO
射频频率( MHz)的
输入IP3 VS RF频率
LO = 0 dBm时, IF = 75兆赫,低端LO
射频频率( MHz)的
输入IP2 VS RF频率
LO = 0 dBm时, IF = 75兆赫,低端LO
转换增益(dB )
11
输入IP3 ( dBm的)
10
9
8
7
6
1900
-40° C
+25° C
+85° C
32
30
28
26
24
22
2200
1900
-40° C
+25° C
+85° C
40
输入IP2 ( DBM)
38
36
34
32
30
2200
1900
-40° C
+25° C
+85° C
1950
2000
2050
2100
2150
1950
2000
2050
2100
2150
1950
2000
2050
2100
2150
2200
射频频率( MHz)的
转换增益VS RF频率
25℃下, LO = 0 dBm时, IF = 75兆赫,低端LO
射频频率( MHz)的
输入IP3 VS RF频率
25℃下, LO = 0 dBm时, IF = 75兆赫,低端LO
射频频率( MHz)的
输入IP2 VS RF频率
25℃下, LO = 0 dBm时, IF = 75兆赫,低端LO
11
转换增益(dB )
输入IP3 ( dBm的)
10
9
8
7
6
1900
1950
2000
2050
2100
32
30
28
26
24
22
1900
1950
2000
2050
2100
输入IP2 ( DBM)
40
38
36
34
32
30
1900
1950
2000
2050
2100
VDD = 4.9 V
VDD = 5.0 V
VDD = 5.1 V
2150
2200
VDD = 4.9 V
VDD = 5.0 V
VDD = 5.1 V
2150
2200
VDD = 4.9 V
VDD = 5.0 V
VDD = 5.1 V
2150
2200
射频频率( MHz)的
射频频率( MHz)的
射频频率( MHz)的
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第9 4 2006年3月
CV211-2A
L-R隔离VS LO频率
引用与LO = 0 dBm的
通信EDGE
TM
产品信息
UMTS波段双科下变频器
CV211-2APCB75应用电路的性能曲线(续)
L-1的分离VS LO频率
引用与LO = 0 dBm的
科兴科隔离VS RF频率
25° C
25
L-R隔离度( dB)的
20
15
10
5
0
1600
-40° C
+25° C
+85° C
30
L-1隔离度(dB )
隔离度(dB )
-40° C
+25° C
+85° C
50
40
30
20
10
0
2200
1900
1950
2000
2050
2100
2150
2200
25
20
15
10
5
1700
1800
1900
2000
2100
2200
1600
1700
1800
1900
2000
2100
LO频率(MHz)
如果返回损耗VS RF频率
25° C
LO频率(MHz)
RF回波损耗VS RF频率
25° C
射频频率( MHz)的
LO回波损耗VS LO频率
25° C
0
回波损耗(分贝)
回波损耗(分贝)
5
10
15
20
25
30
65
70
75
IF频率(MHz )
80
85
0
5
10
15
20
25
30
1900
1950
2000
2050
2100
2150
2200
回波损耗(分贝)
0
10
20
30
40
1600
1700
1800
1900
2000
2100
2200
射频频率( MHz)的
噪声系数与温度
输入P1dB为与温度
RF = 1950 MHz的IF = 75 MHz时, LO = 0 dBm的@ 1875 MHz的
LO频率(MHz)
RF = 1950 MHz的IF = 75 MHz时, LO = 0 dBm的@ 1875 MHz的
14
12
10
8
6
4
-40
-20
0
20
40
60
80
输入P1dB的( DBM)
噪声系数(dB )
14
12
10
8
6
4
-40
-20
0
20
40
60
80
温度(℃)
温度(℃)
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