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CUS03
东芝肖特基整流器
肖特基势垒二极管
CUS03
开关电源的应用
便携式设备电池的应用
正向电压: V
FM
= 0.52 V @ I
F
= 0.7 A
平均正向电流:I
F( AV)
= 0.7A
重复峰值反向电压: V
RRM
= 40 V
适用于紧凑的组件,由于小型表面贴装封装
“ US- FLAT
TM
“ (东芝包名)
单位:mm
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
反向重复峰值电压
平均正向电流
峰值一个周期正向电流浪涌
结温
存储温度范围
符号
V
RRM
I
F( AV)
I
FSM
T
j
T
英镑
等级
40
0.7
(注1 )
20( 50赫兹)
40
150
40
150
单位
V
A
A
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
注1 :大= 53 ° C:
设备安装在玻璃环氧基板
板尺寸为50mm ×50毫米,
土地面积为6mm × 6毫米
矩形波形( α = 180° ),V
R
= 20 V
3-2B1A
重0.004克(典型值)。
注2 :负荷下连续使用(例如应用
高温度/电流/电压和温度等的显著变化)可能会导致此产品
减少在可靠性显著即使操作条件(即操作
温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” /降级的概念和方法)和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
电气特性
( TA = 25°C )
特征
峰值正向电压
符号
V
调频(1)
V
调频(2)
I
RRM (1)
I
RRM (2)
C
j
I
FM
= 0.1 A
I
FM
= 0.7 A
V
RRM
= 5 V
V
RRM
= 40 V
V
R
= 10 V , F = 1.0 MHz的
设备安装在陶瓷基板
(板尺寸为50mm
×
50 mm)
(焊接土地: 2毫米
×
2 mm)
(板厚度: 0.64吨)
设备安装在玻璃环氧基板
(板尺寸为50mm
×
50 mm)
(焊接土地: 6毫米
×
6 mm)
(板厚度:2.6 T)
交界处领导阴极侧
测试条件
典型值。
0.37
0.48
0.4
3.0
45
最大
0.52
100
单位
V
反向重复峰值电流
结电容
μA
pF
75
° C / W
热阻
(结到环境)
R
号(j -a)的
150
热阻(结带领)
R
号(j - )
30
° C / W
1
2006-11-13
CUS03
记号
缩写代码
3
产品型号
CUS03
标准焊垫
单位:mm
2.0
0.5
0.8
1.1
0.8
操作注意事项
1)
相对于其他二极管的肖特基势垒二极管的反向电流特性。
存在这样的可能性的SBD可能引起热失控,当它在高温或高压下使用。
请大家转发,并在设计过程中反向损失考虑在内。
绝对最大额定值表示绝对最大额定值,它们的额定值,并不得
操作过程中超标,甚至瞬间。下面是一般的降额的方法,我们
当你设计一个装置的电路建议。
V
RRM
:使用此等级,参照上述(1) 。 V
RRM
为0.1 %/ ℃的温度系数。拿
在低温下该温度系数考虑设计一个设备时。
I
F( AV)
:我们建议在最坏的情况下电流不大于80 %的绝对最大的
评级
I
F( AV)
和T
j
低于120℃。使用本设备时,请采取保证金考虑
通过使用一个允许的TAMAX -我
F( AV)
曲线。
I
FSM
:这个等级规定了非重复峰值电流。这仅适用于异常
操作,这很少的设备的寿命期间发生。
T
j
:使用设备时,确保高可靠性降容这个等级。
我们建议该设备可在T中使用
j
低于120℃。
3)
结点和环境之间的热阻波动取决于设备的安装条件。
当使用一个设备,设计一电路板以及一焊接焊盘尺寸相匹配的适当的热
电阻值。
请参阅整流器数据手册了解更多信息。
2)
4)
2
2006-11-13
CUS03
i
F
– v
F
10
0.5
P
F( AV)
– I
F( AV)
DC
0.4
120°
0.3
α
= 60°
0.2
矩形
波形
180°
i
F
(A)
正向电流
TJ = 150℃
1
75°C
100°C
0.1
25°C
正向平均功耗
P
F( AV)
(W)
0.1
α
360°
传导
角度:
α
0.01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
正向电压V
F
(V)
平均正向电流
I
F( AV)
(A)
钽最大 - 我
F( AV)
160
钽最大 - 我
F( AV)
160
最大允许环境温度
最大的Ta ( ° C)
140
120
100
80
60
40
α
360°
20
0
0.0
传导
角度:
α
VR = 20 V
0.2
0.4
α
= 60°
矩形
波形
IF( AV)
最大允许环境温度
最大的Ta ( ° C)
设备安装在陶瓷基板
(板尺寸为50mm ×50毫米,
土地面积为2mm × 2mm)的
140
120
100
80
60
40
20
α
360°
α
= 60°
矩形
波形
设备安装在玻璃环氧基板
(板尺寸为50mm ×50毫米,
土地面积为6mm × 6毫米)
120°
180°
DC
IF( AV)
120°
180°
DC
0.6
0.8
1.0
1.2
传导
角度:
α
VR = 20 V
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
平均正向电流
I
F( AV)
(A)
平均正向电流
I
F( AV)
(A)
T最大 - 我
F( AV)
160
10000
r
号(j -a)的
– t
(1)设备安装在陶瓷基板
焊接土地: 2.0毫米× 2.0毫米
( 2)设备安装在玻璃环氧基板
焊接土地: 6.0毫米× 6.0毫米
(3 )设备安装在玻璃环氧基板
标准焊垫
(3)
(2)
100
(1)
最高允许温度铅
T MAX( ° C)
140
瞬态热阻抗
r
号(j -a)的
( ° C / W)
1.2
120
100
80
60
40
α
360°
20
0
0.0
传导
角度:
α
VR = 20 V
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
α
= 60°
矩形
波形
IF( AV)
120°
180°
DC
1000
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
平均正向电流
I
F( AV)
(A)
时间t (S )
3
2006-11-13
CUS03
正向浪涌电流(不重复)
24
TA = 25°C
F = 50赫兹
20
1000
C
j
– V
R
(典型值)。
TA = 25°C
F = 1 MHz的
I
FSM
(A)
峰值正向电流浪涌
16
12
结电容
C
j
(PF )
100
10
1
8
4
0
1
10
100
10
100
周期数
反向电压
V
R
(V)
I
R
– T
j
100
脉冲测试
10
(典型值)。
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
α
360°
传导
角度:
α
TJ = 150℃
矩形
波形
P
R( AV )
– V
R
(典型值)。
(MA )
VR = 40 V
30 V
平均反向功率耗散
P
R( AV )
(W)
DC
300°
240°
180°
1
反向电流I
R
0.1
10 V
0.01
5V
20 V
0.3
0.2
0.1
0.0
0
60°
120°
0.001
0.0001
0
20
40
60
80
100
120
140
160
10
20
30
40
结温度T
j
(°C)
反向电压
V
R
(V)
4
2006-11-13
CUS03
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
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可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
5
2006-11-13
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CUS03
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CUS03
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2025+
7695
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