大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 ， ISO 9001和ISO 14001认证的公司
高速硅开关二极管轴向引线
CTZ 2.6 47
500mW
DO- 35
轴向玻璃封装
特点
这些齐纳二极管最适合工业用途，军事&空间应用。
密封的玻璃双螺柱和玻璃钝化芯片提供了出色的Stabililty和
可靠性。
绝对最大额定值（Ta = 25℃除非另有规定）
描述
符号
价值
功耗@T
A
=25C
P
TA
500
P
S
浪涌功耗
5
tp=8.3mS
T
J
结温
175
T
英镑
储存温度
-65到+ 175
电气特性（Ta = 25℃除非另有规定）
描述
符号
R
号（j -a）的
热阻
交界处的环境
正向电压
在我
F
=200mA
单位
mW
W
C
C
数值单位
0.3 C / MW
V
F
1.5
V
电气特性（Ta = 25℃除非另有规定）
r
ZK
@
I
ZK
I
ZT
I
R
@
V
ZT
@ r
ZT
@
设备
温度。
I
ZK
*
V
R
I
ZT
*
I
ZT
*
Coeff.of
最大
最大
齐纳电压
典型值
(V)
()
（MA ）
()
（MA ）
(%/C )
(A)
CTZ2.6
2.6
30
20
600
1
-0.085
75
CTZ2.7
2.7
30
20
600
1
-0.085
75
CTZ3.0
3.0
48
20
600
1
-0.075
20
CTZ 3.3
3.3
44
20
600
1
-0.070
10
CTZ 3.6
3.6
42
20
600
1
-0.065
5
CTZ3.9
3.9
40
20
600
1
-0.060
5
CTZ 4.3
4.3
36
20
600
1
-0.055
0.5
CTZ 4.7
4.7
32
20
600
1
-0.043
10
CTZ 5.1
5.1
28
20
550
1
+/-0.030
5
CTZ 5.6
5.6
16
20
450
1
+/-0.028
10
CTZ 6.2
6.2
6
210
200
1
+0.045
10
CTZ 6.8
6.8
6
20
150
1
+0.050
5
CTZ2.6_47Rev081001
V
R
I
ZM
最大
I
ZSM
最大
（MA ）
(V)
1
1
1
1
1
1
1
2
2
3
4
5
（MA ）
147.8
168.3
148.5
135
126
115
105
95
87
80
72
65
1500
1375
1260
1165
1060
965
890
810
730
665
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数据表
第1页4
高速硅开关二极管轴向引线
CTZ 2.6 47
500mW
DO- 35
轴向玻璃封装
设备
V
ZT
@
I
ZT
*
r
ZT
@
I
ZT
*
最大
()
8
10
12
14
15
19
23
27
31
35
39
67
75
77
93
96
146
192
246
286
I
ZT
r
ZK
@
I
ZK
*
最大
()
50
50
50
70
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
I
ZK
CTZ 7.5
CTZ 8.2
CTZ9.1
CTZ 10
CTZ 11
CTZ 12
CTZ 13
CTZ 15
CTZ 16
CTZ 18
CTZ 20
CTZ 22
CTZ 24
CTZ27
CTZ30
CTZ33
CTZ36
CTZ39
CTZ43
CTZ 47
(V)
705
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
（MA ）
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
（MA ）
1
1
1
1
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
I
R
@
温度。
V
R
Coeff.of
齐纳电压
典型值
(%/C )
(A)
+0.058
1.0
+0.062
0.52
+0.068
0.1
+0.075
0.1
+0.073
0.1
0.076
0.1
+0.079
0.1
+0.082
0.1
+0.083
0.1
+0.085
0.1
+0.086
0.1
+0.087
0.1
+0.088
0.1
+0.090
0.1
+0.091
0.1
+0.092
0.1
+0.093
0.1
+0.094
0.1
+0.095
0.1
+0.095
0.1
V
R
I
ZM
最大
I
ZSM
最大
（MA ）
605
555
500
455
410
380
350
300
285
250
225
205
190
170
150
135
125
115
105
95
(V)
6
7
7
8
9
10
11
13
14
16
18
19
20
22
24
26
28
30
35
42
（MA ）
60
55
49
45
41
37
35
30
28
25
22
20
18.6
16.5
15
13.5
12.4
11.4
10.4
9.5
可用ILN L' + - 10 ％容差。添加后缀"A"为“ + - 5％的容差
*脉冲条件： 20毫秒< 50毫秒，占空比<2 ％
CTZ2.6_47Rev081001
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数据表
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CTZ 2.6 47
500mW
组件处置说明
1. CDIL半导体器件均符合RoHS标准，客户要求来取悦处置
按照现行的国家的环境立法。
2，在欧洲，请处置按照欧盟指令2002/ 96 / EC关于报废电子电气设备（ WEEE ） 。
客户注意事项
放弃
该产品的信息和选择指南方便选择CDIL的半导体器件（ S）最适合于应用在
你的产品（ S）按您的要求。我们建议你彻底检讨我们的数据表（S ），以确认
装置（S ）满足功能参数为您的应用。装修中的数据表和CDIL网站/ CD上的信息
被认为是准确和可靠。 CDIL然而，不承担不准确或不完整信息的责任。
此外， CDIL不承担任何责任，所产生的任何CDIL产品的应用或使用的;它也没有传达
根据其专利权或他人权利的任何许可。这些产品不是设计用于救生/支持设备或
系统。 CDIL客户销售这些产品（或者作为单独的分立半导体器件，或在他们的最终合并
产品），在任何救生/支持设备或系统或应用程序这样做在自己的风险和CDIL将不承担任何责任
损失从这些销售（ S）产生。
CDIL求持续改进，并保留更改产品规格，恕不另行通知。
CDIL是公司的注册商标
大陆设备印度有限公司
C- 120 Naraina工业区，新德里110 028 ，印度。
电话：+ 91-11-2579 6150 ，
4141
1112传真：+ 91-11-2579 5290 ，
4141
1119
email@cdil.com
www.cdilsemi.com
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