【CTT60可控硅晶闸管模块尺寸mm （高度仅1mm = 0.0394" ）TYPEVRSM】,IC型号CTT60GK08,CTT60GK08 PDF资料,CTT60GK08经销商,ic,电子元器件-51电子网

CTT60

可控硅晶闸管模块

尺寸mm （高度仅1mm = 0.0394" ）

TYPE

V

RSM

V

帝斯曼

V

900

1300

1500

1700

1900

V

RRM

V

DRM

V

800

1200

1400

1600

1800

CTT60GK08

CTT60GK12

CTT60GK14

CTT60GK16

CTT60GK18

符号

I

真有效值

, I

疲劳风险管理

T

VJ

=T

VJM

I

TAVM

, I

FAVM

T

C

=85

o

C; 180

o

正弦

T

VJ

=45

o

C

V

R

=0

T

VJ

=T

VJM

V

R

=0

T

VJ

=45

o

C

V

R

=0

T

VJ

=T

VJM

V

R

=0

T

VJ

=T

VJM

F = 50Hz的，T

p

=200us

V

D

=2/3V

DRM

I

G

=0.45A

di

G

/dt=0.45A/us

测试条件

最大额定值

100

60

单位

A

I

TSM

, I

FSM

T = 10ms的（ 50赫兹），正弦

T = 8.3ms的（ 60赫兹），正弦

T = 10ms的（ 50赫兹），正弦

T = 8.3ms的（ 60赫兹），正弦

T = 10ms的（ 50赫兹），正弦

T = 8.3ms的（ 60赫兹），正弦

T = 10ms的（ 50赫兹），正弦

T = 8.3ms的（ 60赫兹），正弦

重复的，我

T

=150A

1500

1600

1350

1450

11200

10750

9100

8830

150

A

i

2

dt

A

2

s

（ di / dt的）

cr

A /美

非重复性的，我

T

=I

TAVM

500

1000

10

5

0.5

10

-40...+125

125

-40...+125

V /美

W

V

o

（ dv / dt的）

cr

P

GM

P

GAV

V

RGM

T

VJ

T

VJM

T

英镑

V

ISOL

M

d

重量

T

VJ

=T

VJM

;

V

DR

=2/3V

DRM

R

GK

= ;方法1 （线性电压升高）

T

VJ

=T

VJM

I

T

=I

TAVM

t

p

=30us

t

p

=300us

C

50 / 60赫兹， RMS

_

I

ISOL

<1mA

t=1min

t=1s

3000

3600

2.5-4.0/22-35

90

V~

纳米/ lb.in 。

g

安装扭矩（ M5 ）

终端连接扭矩（ M5 ）

典型的包括螺钉

DEECorp 。

CTT60

可控硅晶闸管模块

符号

测试条件

特征值

5

1.57

0.85

3.7

V

D

=6V;

V

D

=6V;

T

VJ

=T

VJM

;

T

VJ

=25

o

C

T

VJ

=-40

o

C

T

VJ

=25

o

C

T

VJ

=-40

o

C

V

D

=2/3V

DRM

1.5

1.6

100

200

0.2

10

T

VJ

=25

o

℃;吨

p

= 10us的; V

D

=6V

I

G

= 0.45A ;迪

G

/dt=0.45A/us

T

VJ

=25

o

℃; V

D

= 6V ;

GK

=

T

VJ

=25

o

℃; V

D

=1/2V

DRM

I

G

= 0.45A ;迪

G

/dt=0.45A/us

T

VJ

=T

VJM

; I

T

= 150A ;吨

p

= 200us的; -di / DT = 10A /美

V

R

= 100V ;的dv / dt = 20V / us的; V

D

=2/3V

DRM

T

VJ

=T

VJM

; I

T

, I

F

= 50A ; -di / DT = 3A /美

典型值。

450

200

2

150

100

24

每个晶闸管/二极管;直流电流

每个模块

每个晶闸管/二极管;直流电流

每个模块

匍匐于地面的距离

通过空袭距离

最大允许的加速度

0.45

0.225

0.65

0.325

12.7

9.6

50

单位

mA

V

m

V

mA

V

mA

us

uC

A

K / W

mm

M / S

2

I

RRM

, I

DRM

T

VJ

=T

VJM

; V

R

=V

RRM

; V

D

=V

DRM

V

T

, V

F

V

TO

r

T

V

GT

I

GT

V

GD

I

GD

I

L

I

H

t

gd

t

q

Q

S

I

RM

R

thJC

R

thJK

d

S

d

A

a

I

T

, I

F

= 200A ;牛逼

VJ

=25

o

C

对于只功率损耗的计算（T

VJ

=125

o

C)

特点

*国际标准套餐

*直接键合铜铝

2

O

3

- 陶瓷

BASE PLATE

*平面钝化芯片

*隔离电压3600 V

* UL注册，E 72873

*门阴极双引脚1版

应用

*直流电机控制

*软启动交流电机控制器

*光，热，温

控制

优势

*空间和减轻重量

*安装简单用两个螺丝

*改进的温度和功率

循环

*降低保护电路

DEECorp 。

CTT60

可控硅晶闸管模块

图。 1浪涌过载电流

I

TSM

, I

FSM

：峰值，T ：时间

图。 2我

2

dt的随时间的变化（1-10毫秒）

图。图2a最大正向电流

在外壳温度

10

1: I

GT

, T

VJ

= 125

o

C

2: I

GT

, T

VJ

= 25

o

C

3: I

GT

, T

VJ

= -40

o

C

V

G

3

1

4

2

5

6

4: P

GAV

= 0.5 W

I

GD

, T

VJ

= 125 C

0.1

10

0

10

1

10

2

o

5: P

GM

=

5W

6: P

GM

= 10 W

10

3

I

G

mA

10

4

图。 3功耗与通态电流和环境温度

（每晶闸管或二极管）

图。 4门极触发特性

1000

T

VJ

= 25

o

C

s

t

gd

典型值。

100

极限

10

3× CTT60

1

10

100

I

G

mA

1000

图。 5三相整流桥：功耗与直接输出电流

和环境温度

图。 6门极触发延迟时间

DEECorp 。

CTT60

可控硅晶闸管模块

图。 7三相交流控制器：

功耗与RMS

输出电流和环境

温度

3× CTT60

CTT60

图。 8瞬态热阻抗

结到外壳（每晶闸管或

二极管）

R

thJC

各种导通角D：

d

DC

180

o

C

120

o

C

60

o

C

30

o

C

R

thJC

（K / W）

0.45

0.47

0.49

0.505

0.52

常量Z的

thJC

计算方法：

i

1

2

3

R

THI

（K / W）

0.014

0.026

0.41

t

i

(s)

0.015

0.0095

0.175

CTT60

图。 9瞬态热阻抗

结到散热器（每晶闸管

或二极管）

R

thJK

各种导通角D：

d

DC

180

o

C

120

o

C

60

o

C

30

o

C

R

thJK

（K / W）

0.65

0.67

0.69

0.705

0.72

常量Z的

thJK

计算方法：

i

1

2

3

4

R

THI

（K / W）

0.014

0.026

0.41

0.2

t

i

(s)

0.015

0.0095

0.175

0.67

DEECorp 。

CTT60

可控硅晶闸管模块

尺寸mm （高度仅1mm = 0.0394" ）

TYPE

V

RSM

V

帝斯曼

V

900

1300

1500

1700

1900

V

RRM

V

DRM

V

800

1200

1400

1600

1800

CTT60GK08

CTT60GK12

CTT60GK14

CTT60GK16

CTT60GK18

符号

I

真有效值

, I

疲劳风险管理

T

VJ

=T

VJM

I

TAVM

, I

FAVM

T

C

=85

o

C; 180

o

正弦

T

VJ

=45

o

C

V

R

=0

T

VJ

=T

VJM

V

R

=0

T

VJ

=45

o

C

V

R

=0

T

VJ

=T

VJM

V

R

=0

T

VJ

=T

VJM

F = 50Hz的，T

p

=200us

V

D

=2/3V

DRM

I

G

=0.45A

di

G

/dt=0.45A/us

测试条件

最大额定值

100

60

单位

A

I

TSM

, I

FSM

T = 10ms的（ 50赫兹），正弦

T = 8.3ms的（ 60赫兹），正弦

T = 10ms的（ 50赫兹），正弦

T = 8.3ms的（ 60赫兹），正弦

T = 10ms的（ 50赫兹），正弦

T = 8.3ms的（ 60赫兹），正弦

T = 10ms的（ 50赫兹），正弦

T = 8.3ms的（ 60赫兹），正弦

重复的，我

T

=150A

1500

1600

1350

1450

11200

10750

9100

8830

150

A

i

2

dt

A

2

s

（ di / dt的）

cr

A /美

非重复性的，我

T

=I

TAVM

500

1000

10

5

0.5

10

-40...+125

125

-40...+125

V /美

W

V

o

（ dv / dt的）

cr

P

GM

P

GAV

V

RGM

T

VJ

T

VJM

T

英镑

V

ISOL

M

d

重量

T

VJ

=T

VJM

;

V

DR

=2/3V

DRM

R

GK

= ;方法1 （线性电压升高）

T

VJ

=T

VJM

I

T

=I

TAVM

t

p

=30us

t

p

=300us

C

50 / 60赫兹， RMS

_

I

ISOL

<1mA

t=1min

t=1s

3000

3600

2.5-4.0/22-35

90

V~

纳米/ lb.in 。

g

安装扭矩（ M5 ）

终端连接扭矩（ M5 ）

典型的包括螺钉

DEECorp 。

CTT60

可控硅晶闸管模块

符号

测试条件

特征值

5

1.57

0.85

3.7

V

D

=6V;

V

D

=6V;

T

VJ

=T

VJM

;

T

VJ

=25

o

C

T

VJ

=-40

o

C

T

VJ

=25

o

C

T

VJ

=-40

o

C

V

D

=2/3V

DRM

1.5

1.6

100

200

0.2

10

T

VJ

=25

o

℃;吨

p

= 10us的; V

D

=6V

I

G

= 0.45A ;迪

G

/dt=0.45A/us

T

VJ

=25

o

℃; V

D

= 6V ;

GK

=

T

VJ

=25

o

℃; V

D

=1/2V

DRM

I

G

= 0.45A ;迪

G

/dt=0.45A/us

T

VJ

=T

VJM

; I

T

= 150A ;吨

p

= 200us的; -di / DT = 10A /美

V

R

= 100V ;的dv / dt = 20V / us的; V

D

=2/3V

DRM

T

VJ

=T

VJM

; I

T

, I

F

= 50A ; -di / DT = 3A /美

典型值。

450

200

2

150

100

24

每个晶闸管/二极管;直流电流

每个模块

每个晶闸管/二极管;直流电流

每个模块

匍匐于地面的距离

通过空袭距离

最大允许的加速度

0.45

0.225

0.65

0.325

12.7

9.6

50

单位

mA

V

m

V

mA

V

mA

us

uC

A

K / W

mm

M / S

2

I

RRM

, I

DRM

T

VJ

=T

VJM

; V

R

=V

RRM

; V

D

=V

DRM

V

T

, V

F

V

TO

r

T

V

GT

I

GT

V

GD

I

GD

I

L

I

H

t

gd

t

q

Q

S

I

RM

R

thJC

R

thJK

d

S

d

A

a

I

T

, I

F

= 200A ;牛逼

VJ

=25

o

C

对于只功率损耗的计算（T

VJ

=125

o

C)

特点

*国际标准套餐

*直接键合铜铝

2

O

3

- 陶瓷

BASE PLATE

*平面钝化芯片

*隔离电压3600 V

* UL注册，E 72873

*门阴极双引脚1版

应用

*直流电机控制

*软启动交流电机控制器

*光，热，温

控制

优势

*空间和减轻重量

*安装简单用两个螺丝

*改进的温度和功率

循环

*降低保护电路

DEECorp 。

CTT60

可控硅晶闸管模块

图。 1浪涌过载电流

I

TSM

, I

FSM

：峰值，T ：时间

图。 2我

2

dt的随时间的变化（1-10毫秒）

图。图2a最大正向电流

在外壳温度

10

1: I

GT

, T

VJ

= 125

o

C

2: I

GT

, T

VJ

= 25

o

C

3: I

GT

, T

VJ

= -40

o

C

V

G

3

1

4

2

5

6

4: P

GAV

= 0.5 W

I

GD

, T

VJ

= 125 C

0.1

10

0

10

1

10

2

o

5: P

GM

=

5W

6: P

GM

= 10 W

10

3

I

G

mA

10

4

图。 3功耗与通态电流和环境温度

（每晶闸管或二极管）

图。 4门极触发特性

1000

T

VJ

= 25

o

C

s

t

gd

典型值。

100

极限

10

3× CTT60

1

10

100

I

G

mA

1000

图。 5三相整流桥：功耗与直接输出电流

和环境温度

图。 6门极触发延迟时间

DEECorp 。

CTT60

可控硅晶闸管模块

图。 7三相交流控制器：

功耗与RMS

输出电流和环境

温度

3× CTT60

CTT60

图。 8瞬态热阻抗

结到外壳（每晶闸管或

二极管）

R

thJC

各种导通角D：

d

DC

180

o

C

120

o

C

60

o

C

30

o

C

R

thJC

（K / W）

0.45

0.47

0.49

0.505

0.52

常量Z的

thJC

计算方法：

i

1

2

3

R

THI

（K / W）

0.014

0.026

0.41

t

i

(s)

0.015

0.0095

0.175

CTT60

图。 9瞬态热阻抗

结到散热器（每晶闸管

或二极管）

R

thJK

各种导通角D：

d

DC

180

o

C

120

o

C

60

o

C

30

o

C

R

thJK

（K / W）

0.65

0.67

0.69

0.705

0.72

常量Z的

thJK

计算方法：

i

1

2

3

4

R

THI

（K / W）

0.014

0.026

0.41

0.2

t

i

(s)

0.015

0.0095

0.175

0.67

DEECorp 。