CTLSMS05-M622
CTLSMS12-M622
CTLSMS15-M622
CTLSMS24-M622
表面安装TLM
QUAD硅TVS /齐纳阵列
5.0 THRU 24伏
TM
中央
描述：
TM
半导体公司
中央半导体CTLSMS05系列
是一个4线TVS /齐纳阵列封装在一个节省空间
TM
TM
TLM （无引线微型模块） TLM622情况。这些
设备被设计用于保护敏感设备
防止ESD ，并防止在CMOS闩锁事件
电路工作在5V ， 12V ， 15V和24V 。
标记代码：
CTLSMS05 - M622 ： CBC
CTLSMS12 - M622 ： CBD
CTLSMS15 - M622 ： CBF
CTLSMS24 - M622 ： CBH
应用范围：
PDA的
存储卡端口
- 手机
仪表
顶视图
底部视图
TLM622案例
产品特点：
极低的钳位电压
低漏电流
350W功耗
IEC61000-4-2 ESD 20kV的空气， 15kV的接触合规性
新的微型无引线模块（ TLM）封装，
足迹与SOT -363占位面积兼容。
最大额定值：
(TA=25°C)
峰值脉冲功率（ 8x20μsec波形）
电压ESD （HBM ）
工作温度范围
存储温度范围
每二极管电气特性：
型号
反向
反向
对峙击穿
电压
电压
符号
Ppp
VESD
TJ
TSTG
350
>25
-50至+125
-50至+150
单位
W
kV
°C
°C
（ TA = 25° C除非另有说明）
夹紧
电压
8x20sec
夹紧
电压
8x20sec
关国
记号
连接点
CODE
电容
VR=0V
f=1.0MHz
Cj
最大
（PF ）
200
90
70
50
CBC
CBD
CBF
CBH
反向
泄漏
当前
VWRM
最大
(V)
CTLSMS05-M622
CTLSMS12-M622
CTLSMS15-M622
CTLSMS24-M622
5
12
15
24
VBR IBR
IR
民
最大
（ V） （MA ） （ μA ）
6
13.3
16.7
26.7
1.0
1.0
1.0
1.0
5.0
5.0
5.0
5.0
VR
(V)
5.0
12
15
24
VCL
最大
(V)
9.5
17
22
35
IPP
(A)
5.0
5.0
5.0
5.0
VCL
最大
(V)
13
21
27
40
IPP
(A)
24
15
12
8
R1 （2006年10月）
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