产品简介
CTLSH01-30L
30V ， 100毫安低VF肖特基二极管
在超小型封装TLM2D3D6
中环半导体的CTLSH01-30L是一种高效节能
肖特基二极管为应用而设计的超小尺寸，
出色的低正向电压和低反向漏电流是
基本要求。打包在TLM2D3D6无铅
情况下，该器件非常适用于要求最苛刻的空间
受限的应用。
TLM2D3D6
包
顶视图
底部视图
典型电气特性
产品特点：
正向电流（ IO = 100毫安）
低正向压降（ VF = 300mV的@ 10毫安）
低漏电流（ IR = 0.8μA @ 3.3V ）
应用范围：
DC- DC转换器
反极性保护
反激式二极管
电池电源管理
好处：
能源EF网络效率
节省空间的占用空间小
极薄型封装
理想的逻辑电平电路
包装尺寸和比较：
该TLM2D3D6利用
67%
比SOD- 882L少了电路板空间
样本
TLM2D3D6
SOD-882L
该TLM2D3D6有
20%
下廓比SOD- 882L
TLM2D3D6
SOD-882L
要订购此设备访问的样本：
www.centralsemi.com/info/CTLSH01-30L
热特性
@ VR
(μA)
最大
2.0
(V)
CT
（PF ）
典型值
7.0
PD
（ mW）的
最大
100
TJ
(C)
最大
-65到+125
TSTG
(C)
最大
-65到+150
Θ
JA
（ ° C / W）
最大
1,000
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
VRRM
(V)
最大
30
IO
（MA ）
最大
100
（毫伏）
典型值
70
300
VF
（毫伏）
最大
95
370
5.0μA
10mA
@如果
(μA)
典型值
0.8
IR
3.3
145亚当斯大街
哈帕克
纽约
11788
美国
www.centralsemi.com
CTLSH01-30L
30V ， 100毫安低VF肖特基二极管
在超小型封装TLM2D3D6
贴装焊盘几何
（单位：mm ）
机械制图 - TLM2D3D6
前导码：
1 ）阴极
2 ）阳极
标识代码：D
磁带尺寸和方向
（单位：mm ）
胶带宽度：8毫米
*设备可在录音
按照
电子工业
协会标准
EIA-481-1-A
包装基地/
订购信息
带尺寸
7”
QUANTITY
8,000
中央
ITEM NO 。
CTLSH01-30L TR
退绕方向
文学
新
SMD
选择
指南
卷筒包装信息
REEL
SIZE
每个卷轴箱
（最大）
9
18
40
108
每个箱体类零件
（最大）
72,000
144,000
320,000
864,000
箱体尺寸
寸
9x9x5
9x9x9
21x9x9
27x9x17
CM
23x23x13
23x23x23
53x23x23
69x23x43
商品重量（最大）
LB
3
6
13
34
KG
2
3
6
16
7”
为了你的选择指南今天。
访问： web.centralsemi.com/search/sample.php
可应要求提供样品装置。如需订购此样本
设备访问： www.centralsemi.com/info/CTLSH01-30L
创新离散
半导体
更多信息请联系：
中环半导体股份有限公司销售部
（ 631 ） 435-1110 ，或访问：
www.centralsemi.com
145亚当斯大街
哈帕克
纽约
11788
美国
联系电话： （ 631 ） 435-1110
传真： （ 631 ） 435-1824
PB CTLSH01-30L
CTLSH01-30L
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
表面贴装硅
低VF肖特基二极管
描述：
中央半导体CTLSH01-30L是
高质量肖特基二极管设计用于
其中，超小尺寸和低正向电压是
首要的要求。封装在一个小型无
包 ， TLP ，该组件提供
适用于大多数的性能特性
严格的尺寸限制的应用。
标识代码：D
TLM2D3D6案例
应用范围：
直流 - 直流转换器
电压钳位
保护电路
电池供电的应用，包括
手机，数码相机，寻呼机，
掌上电脑，笔记本电脑等。
最大额定值：
(TA=25°C)
反向重复峰值电压
阻断电压DC
平均正向电流
峰值正向浪涌电流， TP = 8.3ms的
功耗
工作结温
储存温度
热阻
产品特点：
电流（IO =百毫安）
低正向压降（ VF = 0.30V典型值@ 10毫安）
低反向电流（典型值1.3μA @ 10V ）
超小型，超薄型0.3× 0.6毫米X 0.3毫米
TLP
无引线表面贴装封装
符号
VRRM
VR
IO
IFSM
PD
TJ
TSTG
Θ
JA
30
30
100
500
100
-65到+125
-65到+150
1000
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
° C / W
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
典型值
IR
VR=3.3V
0.8
IR
BVR
VF
VF
CT
VR=10V
IR=100μA
IF=5.0μA
IF=10mA
VR = 0 ， F = 1.0MHz的
30
70
300
7.0
1.3
最大
2.0
7.0
单位
μA
μA
V
95
370
mV
mV
pF
R2 （ 26 - 2011年5月）
CTLSH01-30L
表面贴装硅
低VF肖特基二极管
TLM2D3D6案例 - 机械外形
前导码：
1 ）阴极
2 ）阳极
标识代码：D
R2 （ 26 - 2011年5月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
QQ：2880707522 复制
