CTLDM7181-M832D
表面贴装
n沟道和p沟道
增强型
互补硅MOSFET
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体
CTLDM7181 - M832D是一款双通道互补
N沟道和P沟道增强模式
MOSFET ，专为高速脉冲放大器
和驱动器应用。这些MOSFET具有低
RDS（ON）和低阈值电压。
标识代码： CFK
TLM832D案例
应用范围：
开关电路
直流 - 直流转换器
电池供电的便携式设备
最大额定值：
(TA=25°C)
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（稳态）
连续漏电流， t<5.0s
连续源电流（体二极管）
最大漏电流脉冲， TP = 10微秒
最大脉冲电流源， TP = 10微秒
功率耗散（注1 ）
工作和存储结温
热阻（注1 ）
电气特性：
(TA=25°C)
符号
测试条件
IGSSF ， IGSSR VGS = 8.0V ， VDS = 0
IDSS
VDS = 20V ， VGS = 0
BVDSS
VGS = 0时， n = 250μA
VGS （ TH）
VDS = 10V ，ID = 1.0毫安
VGS （ TH）
VDS = VGS ，ID = 250μA
VSD
VGS = 0时， IS = 1.0A
VSD
VGS = 0时， IS = 360毫安
RDS （ ON）
VGS = 4.5V ，ID = 0.5A
RDS （ ON）
VGS = 4.5V ，ID = 0.95A
RDS （ ON）
VGS = 2.5V ，ID = 0.5A
RDS （ ON）
VGS = 4.5V ，ID = 0.77A
RDS （ ON）
VGS = 1.5V ，ID = 0.1A
RDS （ ON）
VGS = 2.5V ，ID = 0.67A
RDS （ ON）
VGS = 1.8V ， ID = 0.2A
QG （ TOT ）
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 1.0A
QGS
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 1.0A
QGD
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 1.0A
设备是
无卤
通过设计
产品特点：
双互补的MOSFET
低RDS （ON ）
HIGH CURRENT
逻辑电平兼容
符号
VDS
VGS
ID
ID
IS
IDM
ISM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
N-CH （ Q1 ） P- CH （ Q2 ）
20
20
8.0
8.0
1.0
0.86
-
0.95
-
0.36
4.0
4.0
-
4.0
1.65
-65到+150
76
P- CH （ Q2 ）
最小典型最大
-
.001 .05
-
.005 0.5
20
24
-
-
-
-
0.45 0.76 1.0
-
-
-
-
-
0.9
-
-
-
-
.085 0.15
-
-
-
-
.085 0.142
-
-
-
-
0.13 0.20
-
0.19 0.24
-
3.56
-
-
0.36
-
-
1.52
-
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
° C / W
N-CH （ Q1 ）
最小典型最大
-
-
10
-
-
10
20
-
-
0.5
-
1.2
-
-
-
-
-
1.1
-
-
-
-
.075 0.10
-
-
-
-
0.10 0.14
-
-
-
-
0.17 0.25
-
-
-
-
-
-
-
2.4
-
-
0.25
-
-
0.65
-
单位
μA
μA
V
V
V
V
V
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
nC
nC
nC
注：（1 ）的FR-4环氧树脂印刷电路板用54毫米的铜安装焊盘面积
2
.
R2 （ 2011年2月）
CTLDM7181-M832D
表面贴装
n沟道和p沟道
增强型
互补硅MOSFET
电气特性 - 续：
符号测试条件
政府飞行服务队
VDS = 10V ，ID = 0.5A
政府飞行服务队
VDS = 10V ，ID = 810毫安
CRSS
VDS = 10V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
CRSS
VDS = 16V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
西塞
VDS = 10V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
西塞
VDS = 16V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
科斯
VDS = 10V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
科斯
VDS = 16V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
吨
VDD = 10V ， VGS = 5.0V ， ID = 0.5A
吨
VDD = 10V ， VGS = 4.5V ， ID = 950毫安， RG = 6.0Ω
花花公子
VDD = 10V ， VGS = 5.0V ， ID = 0.5A
花花公子
VDD = 10V ， VGS = 4.5V ， ID = 950毫安， RG = 6.0Ω
N-CH （ Q1 ）
典型值
4.2
-
45
-
220
-
120
-
25
-
140
-
P- CH （ Q2 ）
民
典型值
-
-
2.0
-
-
-
-
80
-
-
-
200
-
-
-
60
-
-
-
20
-
-
-
25
单位
S
S
pF
pF
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
TLM832D案例 - 机械外形
引脚配置
前导码：
1 ）栅极Q1
2 ）资料来源Q1
3 ） Q2门
4）源Q2
5 ）排水Q2
6 ）排水Q2
7 ）排水Q1
8 ）排水Q1
标识代码： CFK
R2 （ 2011年2月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
QQ：2881677436 复制
