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300W瞬态电压抑制器
COMCHIP
SMD二极管专家
CT系列-G
器件符合RoHS
特点
- （ 16kV的） IEC 61000-4-2等级。
-8/20
μS
短暂的评级。
-SiX工作电压（ 3.3 ， 5 ， 12 ， 24） 。
应用
-transient / ESD抑制。
-LAN / WAN 。
-Peripherals 。
- 设置机顶盒。
电路原理图
1
1
1
1
1
CTA
- 14针
SOIC
CTB
= 8引脚
SOIC
CTC
= 8引脚
SOIC
CTD
= 6针
SOT23-6
CTE
- 3针
SOT-23
应用原理
双向
GND
收发器
连接器
收发器
连接器
单向
GND
Vp
（瞬态）
VCLAMP
0V
REV ： B
QW-BTV12
第1页
COMCHIP科技有限公司。
300W瞬态电压抑制器
最大额定值和电气特性
产品规格： （ TA = 25 ° C）
等级
峰值脉冲功率（ 8 / 20μS ）
工作温度。范围
焊接温度
COMCHIP
SMD二极管专家
符号
P
PK
T
J
T
L
价值
300
-55至+125°C
260 （ 10秒）
单位
瓦
°C
°C
3.3V伏特性（ 3V3 ）
符号
V
BD
I
L
C
T
V
C
I
PP
特征
反向击穿电压
反向漏电流
电容
通道钳位电压
峰值脉冲电流
民
4.0
最大
50
350
8
17
单位
V
μA
pF
V
A
测试条件
I
F
=1mA
@V
BD
=3.3V
@1MHz
8 / 20μS ， 1A
8/20μS
5V伏特性（ 5V0 ）
符号
V
BD
I
L
C
T
V
C
I
PP
特征
反向击穿电压
反向漏电流
电容
通道钳位电压
峰值脉冲电流
民
6.0
最大
10
350
10
17
单位
V
μA
pF
V
A
测试条件
I
F
=1mA
@V
BD
=5V
@1MHz
8 / 20μS ， 1A
8/20μS
12V伏特性（ 12V ）
符号
V
BD
I
L
C
T
V
C
I
PP
特征
反向击穿电压
反向漏电流
电容
通道钳位电压
峰值脉冲电流
民
13.3
最大
1
120
20
12
单位
V
μA
pF
V
A
测试条件
I
F
=1mA
@V
BD
=12V
@1MHz
8 / 20μS ， 1A
8/20μS
24V伏特性（ 24V）
符号
V
BD
I
L
C
T
V
C
I
PP
特征
反向击穿电压
反向漏电流
电容
通道钳位电压
峰值脉冲电流
民
26.7
最大
1
50
43
5
单位
V
μA
pF
V
A
测试条件
I
F
=1mA
@V
BD
=24V
@1MHz
8 / 20μS ， 1A
8/20μS
订货信息：
CTA
N14
24V
-G
类型封装代码
CTA从见下表
CTB
CTC
CTD
CTE
电压
3V3
5V0
12V
24V
符合RoHS
REV ： B
QW-BTV12
第2页
COMCHIP科技有限公司。
300W瞬态电压抑制器
COMCHIP
SMD二极管专家
包装信息：
尺寸（毫米）
L
a
p
c
w
W
p
d
e
H
d
p
e
W
SOT-23
W
SOT23-6
L
L
PACK
AGE
CODE
N08
N14
S03
S06
PAC
卡格
动力
0.4W
0.6W
0.225W
0.225W
Nu
的MBER
引脚
8
14
3
6
L ± 0.2
4.83
8.66
2.92
2.92
W ± 0.2
5.99
5.99
2.30
2.80
w ± 0.2
3.81
3.81
0.95
1.20
p ± 0.2
1.60
1.60
1.91
1.91
e ± 0.1
1.27
1.27
0.95
0.95
A ± 0.1
0.41
0.41
0.53
0.53
d ± 0.1
0.66
0.66
0.43
0.43
H ± 0.2
0.95
0.95
0.95
0.95
REV ： B
QW-BTV12
第3页
COMCHIP科技有限公司。
300瓦的瞬态电压抑制器
CT系列-G
指令（RoHS设备）
特点
（ 16kV的） IEC 61000-4-2等级
美国的8/20额定瞬态
五个工作电压（ 5 ，12，15 ，24， 36）的
应用
瞬态/ ESD抑制
局域网/广域网
外设
机顶盒
电路原理图
1
1
1
1
1
CTA
- 14针
SOIC
CTB
= 8引脚
SOIC
CTC
= 8引脚
SOIC
CTD
= 6针
SOT23-6
CTE
- 3针
SOT-23
应用原理
双向
GND
收发器
连接器
收发器
连接器
单向
GND
Vp
（瞬态）
V
钳
0
v
300瓦的瞬态电压抑制器
产品规格:(
TA = 25
o
C )
等级
峰值脉冲功率（ 8/20美国）
工作温度。范围
焊接温度
5V伏特性（ 5V0 ）
符号
特征
反向击穿电压
V
BD
反向漏电流
I
L
电容
C
T
通道钳位电压
V
C
峰值脉冲电流
I
PP
12伏特性（ 12V ）
符号
特征
反向击穿电压
V
BD
反向漏电流
I
L
电容
C
T
V
C
通道钳位电压
峰值脉冲电流
I
PP
15伏特性（ 15V ）
符号
特征
反向击穿电压
V
BD
反向漏电流
I
L
C
T
电容
通道钳位电压
V
C
峰值脉冲电流
I
PP
24伏特性（ 24V）
符号
特征
反向击穿电压
V
BD
反向漏电流
I
L
电容
C
T
通道钳位电压
V
C
峰值脉冲电流
I
PP
36伏的特性（ 24V）
符号
特征
反向击穿电压
V
BD
反向漏电流
I
L
电容
C
T
通道钳位电压
V
C
I
PP
峰值脉冲电流
符号
P
PK
T
J
T
L
价值
300
-55到+125
260 （10秒）
单位
瓦
o
C
o
C
民
6.0
典型值
最大
10
350
10
17
单位
V
uA
pF
V
安培
测试条件
I
F
= 1毫安
@ V
BD
= 5v
@ 1MHz的
8 / 20us的， 1安培
8月20日美国
民
13.3
典型值
最大
1
120
20
12
单位
V
uA
pF
V
安培
测试条件
I
F
= 1毫安
@ V
BD
= 12v
@ 1MHz的
8 / 20us的， 1安培
8月20日美国
民
16.7
典型值
最大
1
75
24
10
单位
V
uA
pF
V
安培
测试条件
I
F
= 1毫安
@ V
BD
= 15v
@ 1MHz的
8 / 20us的， 1安培
8月20日美国
民
26.7
典型值
最大
1
50
43
5
单位
V
uA
pF
V
安培
测试条件
I
F
= 1毫安
@ V
BD
= 24v
@ 1MHz的
8 / 20us的， 1安培
8月20日美国
民
37
典型值
最大
1
40
40
3
单位
V
uA
pF
V
安培
测试条件
I
F
= 1毫安
@ V
BD
= 36v
@ 1MHz的
8 / 20us的， 1安培
8月20日美国
订货信息：
CTA
TYPE
CTA
CTB
CTC
CTD
CTE
N14
封装代码
从下面的表
24V
电压
5V0, 12V
15V, 24V, 36V
-G
符合RoHS
300瓦
瞬态电压抑制器
包装信息：
尺寸（毫米）
L
a
p
c
w
W
p
d
e
H
d
p
e
W
SOT-23
W
SOT23-6
L
L
包
CODE
N08
N14
S03
S06
包
动力
0.4 w
0.6 w
0.225 w
0.225 w
数
引脚
08
14
3
6
L + 0.2
4.83
8.66
2.92
2.92
W + 0.2
5.99
5.99
2.30
2.80
w + 0.2
3.81
3.81
0.95
1.20
p + 0.2
1.60
1.60
1.91
1.91
e
+ 0.1
1.27
1.27
0.95
0.95
A + 0.1
0.41
0.41
0.53
0.53
d
+ 0.1
0.66
0.66
0.43
0.43
H
+ 0.2
0.95
0.95
0.95
0.95
查看更多CTCN145V0-GPDF信息
推荐型号
CPC100GC
CD4780A
COP8SGH840N3
CY54FCT841BTDM
CB2RFU4315533290653
C1812C104F3RAC
COP8SGB5DWF8
CAT5419WI-10
CAT5419WI10
CCL200DNY1-ACF2
CSR21B563MP
CD6303C
CM322522-4R7K
CY7C439-40DC
CDCLVC1103PWR
CR100AL-8
CCL450DG3-A
C202G102B2CH5CP
CEP125-1R0MC-H
CDRH2D14NP-1R2NC
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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