SPICE模型： CTA2P1N
CTA2P1N
复合晶体管阵列
特点
新产品
·
·
·
·
结合MMBT4403型晶体管用2N7002型MOSFET
小型表面贴装封装
NPN / P沟道互补可用： CTA2N1P
无铅/符合RoHS （注1 ）
A
SOT-363
暗淡
A
B
C
D
G
H
K
M
民
0.10
1.15
2.00
0.30
1.80
0.90
0.25
0.10
0°
最大
0.30
1.35
2.20
0.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.25
8°
机械数据
·
·
·
·
·
·
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·
案例： SOT- 363
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金42
引线框架） 。
终端连接：见图
标记： A80 ，见第3页
订购信息：见第3页
重0.006克数（大约）
Q1
A80
B C
0.65标称
F
H
J
K
L
M
a
J
D
G
Q2
F
S
Q2
L
C
Q1
尺寸：mm
Q2
E
Q1
B
Q1
D
Q2
最大额定值，器件总
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
功率耗散（注2 ）
热阻，结到环境（注2 ）
操作和储存和温度范围内
符号
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
150
833
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
最大额定值， Q1 ， MMBT4403 PNP晶体管元件
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
-40
-40
-5.0
-600
单位
V
V
V
mA
最大额定值，Q2 ， 2N7002 N沟道MOSFET元件
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压
GS
1.0MW
栅源电压
漏电流（注2 ）
连续
脉冲
连续
连续@ 100℃
脉冲
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
60
60
±20
±40
115
73
800
单位
V
V
V
mA
注： 1。没有刻意添加铅。
DS30296启示录7 - 2
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CTA2P1N
Diodes公司
电气特性， Q1 ， MMBT4403 PNP晶体管元件
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
新产品
特征
开关特性（注3 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
基本特征（注3 ）
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
BL
民
-40
-40
-5.0
30
60
100
100
20
-0.75
1.5
0.1
60
1.0
200
最大
-100
-100
300
-0.40
-0.75
-0.95
-1.30
8.5
30
15
8.0
500
100
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= -100mA ，我
E
= 0
I
C
= -1.0mA ，我
B
= 0
I
E
= -100mA ，我
C
= 0
V
CE
= -35V, V
EB （O FF ）
= -0.4V
V
CE
= -35V, V
EB （O FF ）
= -0.4V
I
C
= -100μA ，V
CE
=
I
C
= -1.0mA ，V
CE
=
I
C
= -10mA ，V
CE
=
I
C
= -150mA ，V
CE
=
I
C
= -500mA ，V
CE
=
-1.0V
-1.0V
-1.0V
-2.0V
-2.0V
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
电流增益带宽积
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
V
I
C
= -150mA ，我
B
= -15mA
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
I
C
= -150mA ，我
B
= -15mA
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
V
CB
= -10V ， F = 1.0MHz的，我
E
= 0
V
EB
= -0.5V ， F = 1.0MHz的，我
C
= 0
C
cb
C
eb
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
f
T
pF
pF
kW
x 10
-4
mS
兆赫
V
CE
= -10V ，我
C
= -1.0mA ，
F = 1.0kHz
V
CE
= -10V ，我
C
= -20mA ，
F = 100MHz的
t
d
t
r
t
s
t
f
15
20
225
30
ns
ns
ns
ns
V
CC
= -30V ，我
C
= -150mA ，
V
BE （OFF）的
= -2.0V ，我
B1
= -15mA
V
CC
= -30V ，我
C
= -150mA ，
I
B1
= I
B2
= -15mA
电气特性，Q2 ， 2N7002 N沟道MOSFET元件
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性（注3 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征（注3 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
通态漏电流
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
t
D（上）
t
D（关闭）
7.0
11
20
20
ns
ns
V
DD
= 30V ，我
D
= 0.2A,
R
L
= 150W ，V
根
= 10V,
R
根
= 25W
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
22
11
2.0
50
25
5.0
pF
pF
pF
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
V
GS （ TH）
@ T
j
= 25°C
@ T
j
= 125 ° C R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
1.0
0.5
80
3.2
4.4
1.0
2.0
7.5
13.5
V
W
A
mS
V
DS
= V
GS
, I
D
=-250mA
V
GS
= 5.0V ，我
D
= 0.05A
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5A
V
GS
= 10V, V
DS
= 7.5V
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.2A
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
60
70
1.0
500
±10
V
A
nA
V
GS
= 0V时，我
D
= 10毫安
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
符号
民
典型值
最大
单位
测试条件
注： 2.设备安装在FR- 4 PCB ;图所示，二极管Inc.的焊垫布局建议的焊垫布局文件AP02001 ，可以发现
在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
3.短测试脉冲用来减小自加热效应。
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CTA2P1N
订购信息
（注4 ）
包装
SOT-363
航运
3000 /磁带&卷轴
新产品
设备
CTA2P1N-7-F
注意事项：
4.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
A80
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2001
M
JAN
1
2002
N
FEB
2
2003
P
三月
3
APR
4
A80 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
2004
R
五月
5
YM
2005
S
JUN
6
2006
T
JUL
7
八月
8
2007
U
SEP
9
2008
V
十月
O
NOV
N
2009
W
DEC
D
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