我们所有的客户
关于文件中提到的名字，如三菱的变化
电气和三菱XX ，瑞萨科技公司
日立和三菱电机的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等
因此，虽然三菱电机，三菱电机株式会社，三菱
半导体及其他三菱品牌名称提到的文件中，这些名称
已在事实上，所有被更改为瑞萨科技公司感谢您的理解。
除了我们的企业商标，标识和公司声明，没有改变任何已经
到文档中的内容作出，而这些变化不构成任何改动的
文件本身的内容。
注：三菱电机将继续高频&光学器件的业务运营
与功率器件。
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
三菱绝缘栅双极晶体管
CT20VM-8
频闪闪光器使用
CT20VM-8
外形绘图
1.5MAX.
r
10.5MAX.
尺寸（mm）
1.3
1
13.2 ± 0.5
1.5MAX.
8.6 ± 0.3
9.8 ± 0.5
0.5
2.5
2.5
0.5
wr
q
q
门
w
集热器
e
辐射源
r
集热器
e
V
CES ................................................. ..............................
400V
I
厘米................................................. ..................................
130A
TO-220C
应用
频闪闪光。
最大额定值
符号
V
CES
V
GES
V
创业板
I
CM
T
j
T
英镑
（ TC = 25 ° C）
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
峰栅极 - 发射极电压
集电极电流（脉冲）
结温
储存温度
条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 0V ，见4通知
V
CE
= 0V ， TW = 0.5S
见图1
2.6 ± 0.4
q
w
e
评级
400
±30
±40
130
–40 ~ +150
–40 ~ +150
4.5
单位
V
V
V
A
°C
°C
电气特性
符号
V
（ BR ） CES
I
CES
I
GES
V
GE （日）
参数
（ TJ = 25 ° C）
测试条件
I
C
= 1mA时， V
GE
= 0V
V
CE
= 400V, V
GE
= 0V
V
GE
=
±40V,
V
CE
= 0V
V
CE
= 10V ，我
C
= 1毫安
范围
分钟。
450
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
马克斯。
—
10
±0.1
7.0
单位
V
A
A
V
Feb.1999
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
三菱绝缘栅双极晶体管
CT20VM-8
频闪闪光器使用
性能曲线
最大脉冲集电极电流
200
C
M
= 800F
160
＆ LT ;
T
C
=
50°C
脉冲集电极电流
CM
(A)
最大脉冲集电极电流
2000
主电容器C
M
(F)
1600
120
1200
80
＆ LT ;
T
C
=
70°C
800
40
400
V
CM
= 350V
T
C
＆ LT ;
70°C
=
V
GE
＆ GT ;
28V
=
80
100
120
140
160
0
0
10
20
30
40
50
0
60
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
脉冲集电极电流
CP
(A)
图1
图2
应用实例
IXE
触发Vtrig
信号
C
M
Vtrig
+
–
V
CM
IGBT的栅极V
G
电压
R
G
V
CE
V
G
IGBT
氙管
当前
IXE
RECOMMEND条件
V
CM
= 330V
I
P
= 120A
C
M
= 700F
V
GE
= 28V
最大条件
360V
130A
800F
在导通期间的通知1的栅极驱动电压必须施加到满足的最大脉冲集电极电流的额定值。
和关断过程中的反向栅极电流必须保持小于1A 。
（一般地，它是当R满足
G
≥
30)
通知2的IGBT具有MOS结构和其栅极由薄氧化硅绝缘。
所以，请小心处理不是从静电荷之苦。
注意事项3，使用寿命应该忍受在充电电流5000投篮
(I
xe
≤
130A ：全发光状态）主冷凝器（C
M
=800F).
全发光条件下重复周期为3秒以上。
注意事项4.运行总时间必须在5000小时内应用。
Feb.1999
三菱绝缘栅双极晶体管
CT20VM-8
频闪闪光器使用
CT20VM-8
外形绘图
1.5MAX.
r
10.5MAX.
尺寸（mm）
1.3
1
13.2 ± 0.5
1.5MAX.
8.6 ± 0.3
9.8 ± 0.5
0.5
2.5
2.5
0.5
wr
q
q
门
w
集热器
e
辐射源
r
集热器
e
V
CES ................................................. ..............................
400V
I
厘米................................................. ..................................
130A
TO-220C
应用
频闪闪光。
最大额定值
符号
V
CES
V
GES
V
创业板
I
CM
T
j
T
英镑
（ TC = 25 ° C）
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
峰栅极 - 发射极电压
集电极电流（脉冲）
结温
储存温度
条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 0V ，见4通知
V
CE
= 0V ， TW = 0.5S
见图1
2.6 ± 0.4
q
w
e
评级
400
±30
±40
130
–40 ~ +150
–40 ~ +150
4.5
单位
V
V
V
A
°C
°C
电气特性
符号
V
（ BR ） CES
I
CES
I
GES
V
GE （日）
参数
（ TJ = 25 ° C）
测试条件
I
C
= 1mA时， V
GE
= 0V
V
CE
= 400V, V
GE
= 0V
V
GE
=
±40V,
V
CE
= 0V
V
CE
= 10V ，我
C
= 1毫安
范围
分钟。
450
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
马克斯。
—
10
±0.1
7.0
单位
V
A
A
V
Feb.1999
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
三菱绝缘栅双极晶体管
CT20VM-8
频闪闪光器使用
性能曲线
最大脉冲集电极电流
200
C
M
= 800F
160
＆ LT ;
T
C
=
50°C
脉冲集电极电流
CM
(A)
最大脉冲集电极电流
2000
主电容器C
M
(F)
1600
120
1200
80
＆ LT ;
T
C
=
70°C
800
40
400
V
CM
= 350V
T
C
＆ LT ;
70°C
=
V
GE
＆ GT ;
28V
=
80
100
120
140
160
0
0
10
20
30
40
50
0
60
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
脉冲集电极电流
CP
(A)
图1
图2
应用实例
IXE
触发Vtrig
信号
C
M
Vtrig
+
–
V
CM
IGBT的栅极V
G
电压
R
G
V
CE
V
G
IGBT
氙管
当前
IXE
RECOMMEND条件
V
CM
= 330V
I
P
= 120A
C
M
= 700F
V
GE
= 28V
最大条件
360V
130A
800F
在导通期间的通知1的栅极驱动电压必须施加到满足的最大脉冲集电极电流的额定值。
和关断过程中的反向栅极电流必须保持小于1A 。
（一般地，它是当R满足
G
≥
30)
通知2的IGBT具有MOS结构和其栅极由薄氧化硅绝缘。
所以，请小心处理不是从静电荷之苦。
注意事项3，使用寿命应该忍受在充电电流5000投篮
(I
xe
≤
130A ：全发光状态）主冷凝器（C
M
=800F).
全发光条件下重复周期为3秒以上。
注意事项4.运行总时间必须在5000小时内应用。
Feb.1999
三菱绝缘栅双极晶体管
CT20VM-8
频闪闪光器使用
CT20VM-8
外形绘图
1.5MAX.
r
10.5MAX.
尺寸（mm）
1.3
1
13.2 ± 0.5
1.5MAX.
8.6 ± 0.3
9.8 ± 0.5
0.5
2.5
2.5
0.5
wr
q
q
门
w
集热器
e
辐射源
r
集热器
e
V
CES ................................................. ..............................
400V
I
厘米................................................. ..................................
130A
TO-220C
应用
频闪闪光。
最大额定值
符号
V
CES
V
GES
V
创业板
I
CM
T
j
T
英镑
（ TC = 25 ° C）
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
峰栅极 - 发射极电压
集电极电流（脉冲）
结温
储存温度
条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 0V ，见4通知
V
CE
= 0V ， TW = 0.5S
见图1
2.6 ± 0.4
q
w
e
评级
400
±30
±40
130
–40 ~ +150
–40 ~ +150
4.5
单位
V
V
V
A
°C
°C
电气特性
符号
V
（ BR ） CES
I
CES
I
GES
V
GE （日）
参数
（ TJ = 25 ° C）
测试条件
I
C
= 1mA时， V
GE
= 0V
V
CE
= 400V, V
GE
= 0V
V
GE
=
±40V,
V
CE
= 0V
V
CE
= 10V ，我
C
= 1毫安
范围
分钟。
450
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
马克斯。
—
10
±0.1
7.0
单位
V
A
A
V
Feb.1999
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
三菱绝缘栅双极晶体管
CT20VM-8
频闪闪光器使用
性能曲线
最大脉冲集电极电流
200
C
M
= 800F
160
＆ LT ;
T
C
=
50°C
脉冲集电极电流
CM
(A)
最大脉冲集电极电流
2000
主电容器C
M
(F)
1600
120
1200
80
＆ LT ;
T
C
=
70°C
800
40
400
V
CM
= 350V
T
C
＆ LT ;
70°C
=
V
GE
＆ GT ;
28V
=
80
100
120
140
160
0
0
10
20
30
40
50
0
60
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
脉冲集电极电流
CP
(A)
图1
图2
应用实例
IXE
触发Vtrig
信号
C
M
Vtrig
+
–
V
CM
IGBT的栅极V
G
电压
R
G
V
CE
V
G
IGBT
氙管
当前
IXE
RECOMMEND条件
V
CM
= 330V
I
P
= 120A
C
M
= 700F
V
GE
= 28V
最大条件
360V
130A
800F
在导通期间的通知1的栅极驱动电压必须施加到满足的最大脉冲集电极电流的额定值。
和关断过程中的反向栅极电流必须保持小于1A 。
（一般地，它是当R满足
G
≥
30)
通知2的IGBT具有MOS结构和其栅极由薄氧化硅绝缘。
所以，请小心处理不是从静电荷之苦。
注意事项3，使用寿命应该忍受在充电电流5000投篮
(I
xe
≤
130A ：全发光状态）主冷凝器（C
M
=800F).
全发光条件下重复周期为3秒以上。
注意事项4.运行总时间必须在5000小时内应用。
Feb.1999
QQ：2881677436 复制
