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三菱绝缘栅双极晶体管
CT20ASL-8
频闪闪光器使用
CT20ASL-8
外形绘图
6.5
5.0 ± 0.2
4
尺寸(mm)
5.5 ± 0.2
1.5 ± 0.2
0.5 ± 0.1
1.0MAX.
1.0
0.9MAX.
2.3MIN.
10MAX.
0.5 ± 0.2
2.3
2.3
0.8
2.3
1
2
3
wr
q
w
集热器
e
辐射源
r
集热器
e
q
V
CES ................................................. ...............................
400V
I
厘米................................................. ...................................
130A
MP-3
应用
频闪闪光。
最大额定值
符号
V
CES
V
GES
V
创业板
I
CM
T
j
T
英镑
( TC = 25 ° C)
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
峰栅极 - 发射极电压
集电极电流(脉冲)
结温
储存温度
条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 0V ,见4通知
V
CE
= 0V ,总重量= 10秒
见图1
评级
400
±15
±16
130
–40 ~ +150
–40 ~ +150
单位
V
V
V
A
°C
°C
电气特性
符号
V
( BR ) CES
I
CES
I
GES
V
GE (日)
参数
( TJ = 25 ° C)
测试条件
I
C
= 1mA时, V
GE
= 0V
V
CE
= 400V, V
GE
= 0V
V
GE
=
±16V,
V
CE
= 0V
V
CE
= 10V ,我
C
= 1毫安
范围
分钟。
450
0.5
典型值。
马克斯。
10
±0.1
4.0
单位
V
A
A
V
Feb.1999
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
三菱绝缘栅双极晶体管
CT20ASL-8
频闪闪光器使用
性能曲线
最大脉冲集电极电流
160
C
M
= 400F
120
脉冲集电极电流
CM
(A)
80
40
& LT ;
T
C
=
70°C
0
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
图1
应用实例
IXE
触发Vtrig
信号
C
M
Vtrig
+
V
CM
IGBT的栅极V
G
电压
R
G
V
CE
V
G
IGBT
氙管
当前
IXE
RECOMMEND条件
V
CM
= 300V
I
P
= 120A
C
M
= 300F
V
GE
= 12V
最大条件
350V
130A
400F
在导通期间的通知1的栅极驱动电压必须施加到满足的最大脉冲集电极电流的额定值。
和关断过程中的反向栅极电流必须保持小于50mA 。
(一般地,它是当R满足
G
330)
通知2的IGBT具有MOS结构和其栅极由薄氧化硅绝缘。
所以,请小心处理不是从静电荷之苦。
注意事项3,使用寿命应该忍受在充电电流5000投篮
(I
xe
130A :全发光状态)主冷凝器(C
M
=400F).
全发光条件下重复周期为3秒以上。
注意事项4.运行总时间必须在5000小时内应用。
Feb.1999
三菱绝缘栅双极晶体管
CT20ASL-8
频闪闪光器使用
CT20ASL-8
外形绘图
6.5
5.0 ± 0.2
4
尺寸(mm)
5.5 ± 0.2
1.5 ± 0.2
0.5 ± 0.1
1.0MAX.
1.0
0.9MAX.
2.3MIN.
10MAX.
0.5 ± 0.2
2.3
2.3
0.8
2.3
1
2
3
wr
q
w
集热器
e
辐射源
r
集热器
e
q
V
CES ................................................. ...............................
400V
I
厘米................................................. ...................................
130A
MP-3
应用
频闪闪光。
最大额定值
符号
V
CES
V
GES
V
创业板
I
CM
T
j
T
英镑
( TC = 25 ° C)
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
峰栅极 - 发射极电压
集电极电流(脉冲)
结温
储存温度
条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 0V ,见4通知
V
CE
= 0V ,总重量= 10秒
见图1
评级
400
±15
±16
130
–40 ~ +150
–40 ~ +150
单位
V
V
V
A
°C
°C
电气特性
符号
V
( BR ) CES
I
CES
I
GES
V
GE (日)
参数
( TJ = 25 ° C)
测试条件
I
C
= 1mA时, V
GE
= 0V
V
CE
= 400V, V
GE
= 0V
V
GE
=
±16V,
V
CE
= 0V
V
CE
= 10V ,我
C
= 1毫安
范围
分钟。
450
0.5
典型值。
马克斯。
10
±0.1
4.0
单位
V
A
A
V
Feb.1999
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
三菱绝缘栅双极晶体管
CT20ASL-8
频闪闪光器使用
性能曲线
最大脉冲集电极电流
160
C
M
= 400F
120
脉冲集电极电流
CM
(A)
80
40
& LT ;
T
C
=
70°C
0
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
图1
应用实例
IXE
触发Vtrig
信号
C
M
Vtrig
+
V
CM
IGBT的栅极V
G
电压
R
G
V
CE
V
G
IGBT
氙管
当前
IXE
RECOMMEND条件
V
CM
= 300V
I
P
= 120A
C
M
= 300F
V
GE
= 12V
最大条件
350V
130A
400F
在导通期间的通知1的栅极驱动电压必须施加到满足的最大脉冲集电极电流的额定值。
和关断过程中的反向栅极电流必须保持小于50mA 。
(一般地,它是当R满足
G
330)
通知2的IGBT具有MOS结构和其栅极由薄氧化硅绝缘。
所以,请小心处理不是从静电荷之苦。
注意事项3,使用寿命应该忍受在充电电流5000投篮
(I
xe
130A :全发光状态)主冷凝器(C
M
=400F).
全发光条件下重复周期为3秒以上。
注意事项4.运行总时间必须在5000小时内应用。
Feb.1999
我们所有的客户
关于文件中提到的名字,如三菱的变化
电气和三菱XX ,瑞萨科技公司
日立和三菱电机的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机,逻辑,模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM (闪速存储器,静态存储器等)等
因此,虽然三菱电机,三菱电机株式会社,三菱
半导体及其他三菱品牌名称提到的文件中,这些名称
已在事实上,所有被更改为瑞萨科技公司感谢您的理解。
除了我们的企业商标,标识和公司声明,没有改变任何已经
到文档中的内容作出,而这些变化不构成任何改动的
文件本身的内容。
注:三菱电机将继续高频&光学器件的业务运营
与功率器件。
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
三菱绝缘栅双极晶体管
CT20ASL-8
频闪闪光器使用
CT20ASL-8
外形绘图
6.5
5.0 ± 0.2
4
尺寸(mm)
5.5 ± 0.2
1.5 ± 0.2
0.5 ± 0.1
1.0MAX.
1.0
0.9MAX.
2.3MIN.
10MAX.
0.5 ± 0.2
2.3
2.3
0.8
2.3
1
2
3
wr
q
w
集热器
e
辐射源
r
集热器
e
q
V
CES ................................................. ...............................
400V
I
厘米................................................. ...................................
130A
MP-3
应用
频闪闪光。
最大额定值
符号
V
CES
V
GES
V
创业板
I
CM
T
j
T
英镑
( TC = 25 ° C)
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
峰栅极 - 发射极电压
集电极电流(脉冲)
结温
储存温度
条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 0V ,见4通知
V
CE
= 0V ,总重量= 10秒
见图1
评级
400
±15
±16
130
–40 ~ +150
–40 ~ +150
单位
V
V
V
A
°C
°C
电气特性
符号
V
( BR ) CES
I
CES
I
GES
V
GE (日)
参数
( TJ = 25 ° C)
测试条件
I
C
= 1mA时, V
GE
= 0V
V
CE
= 400V, V
GE
= 0V
V
GE
=
±16V,
V
CE
= 0V
V
CE
= 10V ,我
C
= 1毫安
范围
分钟。
450
0.5
典型值。
马克斯。
10
±0.1
4.0
单位
V
A
A
V
Feb.1999
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
三菱绝缘栅双极晶体管
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频闪闪光器使用
性能曲线
最大脉冲集电极电流
160
C
M
= 400F
120
脉冲集电极电流
CM
(A)
80
40
& LT ;
T
C
=
70°C
0
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
图1
应用实例
IXE
触发Vtrig
信号
C
M
Vtrig
+
V
CM
IGBT的栅极V
G
电压
R
G
V
CE
V
G
IGBT
氙管
当前
IXE
RECOMMEND条件
V
CM
= 300V
I
P
= 120A
C
M
= 300F
V
GE
= 12V
最大条件
350V
130A
400F
在导通期间的通知1的栅极驱动电压必须施加到满足的最大脉冲集电极电流的额定值。
和关断过程中的反向栅极电流必须保持小于50mA 。
(一般地,它是当R满足
G
330)
通知2的IGBT具有MOS结构和其栅极由薄氧化硅绝缘。
所以,请小心处理不是从静电荷之苦。
注意事项3,使用寿命应该忍受在充电电流5000投篮
(I
xe
130A :全发光状态)主冷凝器(C
M
=400F).
全发光条件下重复周期为3秒以上。
注意事项4.运行总时间必须在5000小时内应用。
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:刘经理
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