SN74SSTV32867-EP
26位寄存缓冲器
带SSTL_2输入和LVCMOS输出
www.ti.com
SCES664 - 2006年9月
特点
控制基线
- 一个封装/测试网站，一个制造
现场
-40 ° C扩展级温度性能
至85℃
提高制造业递减
源（ DMS ）支持
增强型产品变更通知
资质谱系
(1)
德州仪器会员
Widebus + 家庭
按照JEDEC和组件认证
行业标准，以确保可靠运行了一个多
扩展级温度范围。这包括，但不限于
到，高加速应力测试（ HAST ）或偏见85/85 ，
温度循环，高压灭菌器或无偏HAST ，
电，债券间的生活，和模塑料
生活。这样的资格测试不应该被看作是
超出规定的证明使用该组件的
性能和环境限制。
(1)
输出边缘控制电路可有效降低
开关噪声，在未终结DIMM
负载
支持SSTL_2数据输入
差分时钟（ CLK和CLK ）输入
支持LVCMOS接通的水平
复位输入
RESET输入禁用差分输入
接收器，复位所有寄存器和部队
所有输出低
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
描述/订购信息
这26位寄存缓冲器设计为2.3 V至2.7 -VV
CC
操作。
所有的输入都是SSTL_2 ，除了LVCMOS复位（ RESET ）输入。所有输出边缘控制LVCMOS
电路的未终结DIMM负载进行了优化。
该SN74SSTV32867 -EP工作在差分时钟（ CLK和CLK ） 。数据登记在路口
CLK的持续高CLK变低。
该设备支持低功耗待机操作。当RESET为低电平时，差分输入接收器
残疾人和无驱动（浮动）的数据，时钟和基准电压（V
REF
）的输入是允许的。另外，当
RESET为低电平时，所有寄存器复位，所有输出都被拉低。该LVCMOS RESET总是必须保持
在一个有效的逻辑高或低的水平。
为了确保从寄存器定义的输出稳定的时钟已经提供之前， RESET必须在举行
上电时低的状态。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
LFBGA - GKE
包
(1)
磁带和卷轴
订购型号
CSSTV32867SGKEREP
顶部端标记
S867EP
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
Widebus +是德州仪器公司的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2006年，德州仪器
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SN74SSTV32867-EP
26位寄存缓冲器
带SSTL_2输入和LVCMOS输出
SCES664 - 2006年9月
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
或V
DDQ
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
θ
JA
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
电源电压范围
输入电压范围
(2)
输出电压范围
(2) (3)
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
封装的热阻抗
(4)
存储温度范围
–65
V
I
＆ LT ; 0
V
O
＆ LT ; 0或V
O
＆ GT ; V
DDQ
V
O
= 0至V
DDQ
–0.5
–0.5
–0.5
最大
3.6
V
CC
+ 0.5
V
DDQ
+ 0.5
–50
±50
±50
±100
40
150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
° C / W
°C
连续电流通过每个V
CC
, V
DDQ
或GND
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
这个值被限制为3.6伏的最大值。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
DDQ
V
REF
V
TT
V
I
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
ICR
V
我（PP）的
I
OH
I
OL
T
A
(1)
电源电压
输出电源电压
参考电压（V
REF
= V
DDQ
/2)
终止电压
输入电压
交流高电平的输入电压
AC低电平输入电压
直流高电平的输入电压
DC低电平输入电压
高电平输入电压
低电平输入电压
共模输入电压范围
峰 - 峰值输入电压
高电平输出电流
低电平输出电流
工作自由空气的温度
–40
数据输入
数据输入
数据输入
数据输入
RESET
RESET
CLK ， CLK
CLK ， CLK
0.97
360
–8
8
85
1.7
0.7
1.53
V
REF
+ 150毫伏
V
REF
- 150毫伏
V
DDQ
2.3
1.15
V
REF
= 40毫伏
0
V
REF
+ 310毫伏
V
REF
- 310毫伏
1.25
V
REF
喃
最大
2.7
2.7
1.35
V
REF
+ 40毫伏
V
CC
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mV
mA
mA
°C
该设备的复位输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。差分输入端必须不
浮动除非RESET为低。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号
SCBA004.
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26位寄存缓冲器
带SSTL_2输入和LVCMOS输出
SCES664 - 2006年9月
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电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
V
IK
V
OH
V
OL
I
I
I
CC
所有的输入
静态待机
静态工作
动态
工作 -
只有时钟
I
CCD
I
I
= -18毫安
I
OH
= –100
A
I
OH
= -8毫安
I
OL
= 100
A
I
OL
= 8毫安
V
I
= V
CC
或GND
RESET = GND
RESET = V
CC
,
V
I
= V
IH （AC）的
或V
白细胞介素（AC）的
RESET = V
CC
,
V
I
= V
IH （AC）的
或V
白细胞介素（AC）的
,
CLK和CLK切换，
占空比为50％
RESET = V
CC
,
V
I
= V
IH （AC）的
或V
白细胞介素（AC）的
,
CLK和CLK切换，
占空比为50％ ，
一个数据输入的切换
二分之一时钟频率，
占空比为50％
V
I
= V
REF
±
310毫伏
V
ICR
= 1.25 V,
V
I
= V
CC
或GND
V
我（PP）的
= 360毫伏
2.5 V
I
O
= 0
2.5 V
5
μA /时钟
兆赫/
D输入
I
O
= 0
2.7 V
测试条件
V
CC
2.3 V
2.3 V至2.7 V
2.3 V
2.3 V至2.7 V
2.3 V
2.7 V
V
DDQ
– 0.2
1.7
0.2
0.45
±5
40
95
最小值典型值
(1)
最大
–1.5
单位
V
V
V
A
A
mA
44
μA / MHz的
动态
工作 -
按每个数据
输入
数据输入
3.5
4.5
5
pF
C
I (2)
CLK ， CLK
RESET
(1)
(2)
所有典型值是在V
CC
= 2.5 V ，T
A
= 25°C.
测量50 MHz的输入频率
时序要求
在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明） （见
图1）
V
CC
= 2.5
±
0.2 V
民
f
时钟
t
w
t
法案
t
INACT
t
su
t
h
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
时钟频率
脉冲持续时间
差分输入活动时间
(1)
差分输入无效时间
(2)
建立时间
保持时间
快速转换
率
(3) (4)
慢转换速率
(4) (5)
快速压摆率
(3) (4)
慢转换速率
(4) (5)
CLK ↑数据之前，
CLK “
CLK ↑ ， ↓ CLK后的数据
1.0
1.5
1.0
1.5
CLK ， CLK高或低
2.5
22
22
典型值
最大
200
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
单位
数据输入必须为t低的最短时间
法案
分钟，复位后变为高电平。
数据和时钟输入必须在有效的水平（不浮动） T的最短时间举行
INACT
分钟，复位后为低电平。
数据信号输入的转换速率
≥
1 V / ns的
CLK ， CLK输入转换率
≥
1 V / ns的。
数据信号输入的转换速率
≥
0.5 V / ns到< 1 V / ns的
4
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