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SN74SSTV32852-EP
24位至48位寄存缓冲器
与SSTL_2输入和输出
SCES700 - 2007年10月
1
特点
支持SSTL_2数据输入
输出满足SSTL_2 II类规范
差分时钟（ CLK和CLK ）输入
支持LVCMOS接通的水平
复位输入
RESET输入禁用差分输入
接收器，复位所有寄存器和部队
所有输出低
优化的引脚排列DIMM PCB布局
一个设备每DIMM要求
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
控制基线
- 一个封装/测试网站，一个制造
现场
-40 ° C扩展级温度性能
至85℃
增强递减制造源
（ DMS ）支持
增强型产品更改通知
资质谱系
(1)
德州仪器Widebus会员
家庭
1至2输出支持堆叠DDR DIMM内存
2
(1)
按照JEDEC和组件认证
行业标准，以确保可靠运行了一个多
扩展级温度范围。这包括，但不限于
到，高加速应力测试（ HAST ）或偏见85/85 ，
温度循环，高压灭菌器或无偏HAST ，
电，债券间的生活，和模塑料
生活。这样的资格测试不应该被看作是
超出规定的证明使用该组件的
性能和环境限制。
描述/订购信息
这24位至48位寄存缓冲器设计为2.3 V至2.7 -VV
CC
操作。
所有的输入都是SSTL_2 ，除了LVCMOS复位（ RESET ）输入。所有输出SSTL_2 ， II级兼容。
该SN74SSTV32852工作在差分时钟（ CLK和CLK ） 。数据被登记在的交叉点
CLK变为高电平和CLK变低。
该设备支持低功耗待机操作。当RESET为低电平时，差分输入接收器
残疾人和无驱动（浮动）的数据，时钟和基准电压（V
REF
）的输入是允许的。另外，当
RESET为低电平时，所有寄存器复位，所有输出都被拉低。该LVCMOS RESET输入总是要
在一个有效的逻辑高电平或低电平举行。
为了确保从寄存器定义的输出稳定的时钟已经提供之前， RESET必须在举行
上电时低的状态。
订购信息
(1)
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
包
(2)
LFBGA - GKF
磁带和卷轴
订购型号
CSSTV32852GKFREP
顶部端标记
SV852IEP
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/packaging 。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
Widebus是德州仪器的商标。
2007 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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24位至48位寄存缓冲器
与SSTL_2输入和输出
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逻辑图（正逻辑）
RESET
CLK
CLK
V
REF
R3
A3
A4
R4
之一的24频道
D1
T2
1D
C1
R
A5
Q1B
A2
Q1A
TO 23其他渠道
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
V
CC
or
V
DDQ
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
θ
JA
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
电源电压范围
输入电压范围
(2) (3)
输出电压范围
(2) (3)
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
连续电流通过每个V
CC
, V
DDQ
或GND
封装的热阻抗
(4)
存储温度范围
V
I
＆ LT ; 0
V
O
＆ LT ; 0或V
O
＆ GT ; V
DDQ
V
O
= 0至V
DDQ
-0.5到3.6
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
DDQ
+ 0.5
–50
±50
±50
±100
36
-65到150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
° C / W
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
这个值被限制为3.6伏的最大值。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
2007 ，德州仪器
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推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
DDQ
V
REF
V
TT
V
I
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
ICR
V
我（PP）的
I
OH
I
OL
T
A
(1)
电源电压
输出电源电压
参考电压（V
REF
= V
DDQ
/2)
终止电压
输入电压
交流高电平的输入电压
AC低电平输入电压
直流高电平的输入电压
DC低电平输入电压
高电平输入电压
低电平输入电压
共模输入电压范围
峰 - 峰值输入电压
高电平输出电流
低电平输出电流
工作自由空气的温度
-40
数据输入
数据输入
数据输入
数据输入
RESET
RESET
CLK ， CLK
CLK ， CLK
0.97
360
–20
20
85
1.7
0.7
1.53
V
REF
+ 150毫伏
V
REF
- 150毫伏
V
DDQ
2.3
1.15
V
REF
= 40毫伏
0
V
REF
+ 310毫伏
V
REF
- 310毫伏
1.25
V
REF
喃
最大
2.7
2.7
1.35
V
REF
+ 40毫伏
VCC
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mV
mA
°C
该设备的复位输入必须在有效的逻辑电平举行（不浮动），以确保器件正常工作。微分
输入不能悬空，除非RESET为低。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
电气特性
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
V
IK
V
OH
V
OL
I
I
I
CC
所有的输入
静态待机
静态工作
动态工作 -
只有时钟
I
CCD
动态工作 -
按每个数据输入
r
OH
r
OL
C
I
输出高
输出低
数据输入
CLK ， CLK
RESET
(1)
I
I
= -18毫安
I
OH
= –100
μA
I
OH
= -16毫安
I
OL
= 100
μA
I
OL
= 16毫安
V
I
= V
CC
或GND
RESET = GND
RESET = V
CC
, V
I
= V
IH （AC）的
或V
白细胞介素（AC）的
RESET = V
CC
, V
I
= V
IH （AC）的
或V
白细胞介素（AC）的
,
CLK和CLK的开关50 ％的占空
周期
RESET = V
CC
, V
I
= V
IH （AC）的
或V
白细胞介素（AC）的
,
CLK和CLK的开关50 ％的占空
周期，一个数据输入的切换
二分之一时钟频率，50 ％的占空
周期
I
OH
= -20毫安
I
OL
= 20毫安
V
I
= V
REF
- 310毫伏
V
ICR
= 1.25 V, V
我（PP）的
= 360毫伏
V
I
= V
CC
或GND
2.5 V
I
O
= 0
46
2.7 V
12
I
O
= 0
测试条件
V
CC
2.3 V
2.3 V至2.7 V
2.3 V
2.3 V至2.7 V
2.3 V
2.7 V
2.7 V
V
DDQ
– 0.2
1.95
0.2
0.35
±5
10
35
μA
μA
mA
μA/
兆赫
μA/
时钟
兆赫/
D输入
20
20
3.75
3.5
4.35
4.25
4
5
pF
V
民
典型值
(1)
最大
–1.2
单位
V
V
2.3 V至2.7 V
2.3 V至2.7 V
7
7
3
3
3.5
所有典型值是在V
CC
= 2.5 V ，T
A
= 25°C.
4
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时序要求
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明） （见
图1）
V
CC
= 2.5 V
±0.2 V
民
f
时钟
t
w
t
法案
t
INACT
t
su
t
h
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
时钟频率
脉冲持续时间， CLK ， CLK高或低
差分输入活动时间
(1)
单位
兆赫
ns
22
22
ns
ns
ns
ns
最大
200
2.5
差分输入无效时间
(2)
建立时间
保持时间
快速压摆率
(3) (4)
慢转换速率
(5) (4)
快速压摆率
(3) (4)
慢转换速率
(5) (4)
CLK ↑数据之前， CLK ↓
CLK ↑ ， ↓ CLK后的数据
0.75
0.9
0.75
0.9
V
REF
必须在有效的输入电平举行，数据输入，必须保持为低电平T的最短时间
法案
最大，复位后变为高电平。
V
REF
，数据和时钟输入必须在有效的电压电平（不飘浮）在t的最小时间被保持
INACT
最大，复位后为低电平。
数据信号输入的转换速率
≥1
V / ns的
CLK ， CLK输入转换率
≥1
V / ns的。
数据信号输入的转换速率
≥0.5
V / ns到<1 V / ns的
开关特性
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明） （见
图1）
参数
f
最大
t
pd
t
PHL
CLK和CLK
RESET
Q
Q
从
（输入）
TO
（输出）
V
CC
= 2.5 V
±0.2 V
民
200
1.1
3.1
5
最大
兆赫
ns
ns
单位
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