低电容ESD保护阵列
SMD二极管专家
CSRS065V0P
特点
指令（RoHS设备）
ESD保护的4个高速I / O通道。
IEC61000-4-2 （ ESD ） ± 14KV （触点） ， ± 18KV （空气） 。
IEC61000-4-4 （ FET） 20A用于I / O ， 80A的电源。
工作电压： 5V
低电容： 1.3pF （典型值） 。
高元件密度。
0.067(1.70)
0.059(1.50)
0.119(3.02)
0.111(2.82)
SOT-23-6
机械数据
案例： SOT- 23-6标准封装，
模压塑料。
码头：焊接镀，每焊
MIL- STD- 750方法2026 。
安装位置：任意
重量： 0.015克（大约） 。
0.020(0.50)
0.012(0.30)
5
0.004(0.10)max
0.012(0.30)min
0.079(2.00)
0.071(1.80)
0.008(0.20)
0.004(0.10)
0.045(1.15)
0.041(1.05)
0.116(2.95)
0.104(2.65)
电路图
1
3
4
6
尺寸以英寸（毫米）
2
引脚配置
6
5
4
1
2
3
最大额定值
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
峰值脉冲电流（ TP = 8/20我们）
工作电源电压
符合IEC 61000-4-2 ESD （空气）
符合IEC 61000-4-2 ESD （联系）
符合IEC 61000-4-2 （空气）的ESD （ VDD ， GND ）
符合IEC 61000-4-2 （联系） ESD （ VDD ， GND ）
引线焊接温度
工作温度
储存温度
在任何I / O引脚的直流电压
符号
I
PP
V
DC
ESD
ESD
= VDD
T
SOL
T
j
T
英镑
V
IO
价值
6.5
6
18
14
30
260 （10秒）的
-55到+85
-55到+125
（GND -0.5）到（VDD 0.5 ）
单位
A
V
kV
kV
°C
°C
°C
V
REV ：C
QW-BP018
第1页
COMCHIP科技有限公司。
低电容ESD保护阵列
SMD二极管专家
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
相反的立场-O FF电压
反向漏电流
V
5脚
= 5 V, V
销2
=0V ,V
IO
= 0~5V
二极管的击穿电压
正向电压
I
R
= 1毫安， 5引脚到引脚2
I
F
= 15 mA时，引脚2到引脚5
I
PP
= 5 A， TP = 8 / 20us的，
任何通道引脚接地
钳位电压
IEC 61000-4-2 + 6kV的，联系方式
任何通道引脚接地
IEC 61000-4-2 + 6kV的，跟moed
VDD引脚接地
V
pin5
= 5V,V
pin2
= 0V, V
IO
=2.5V,
F = 1MHz时，所有通道引脚到地
V
pin5
= 5V,V
pin2
= 0V, V
IO
=2.5V
F = 1MHz时，通道之间的引脚
V
pin5
= 5V,V
pin2
= 0V, V
IN
=2.5V
F = 1MHz时， Channel_x引脚接地 -
channel_y引脚接地
V
C
V
BD
V
F
6
0.8
8.1
条件
引脚5到引脚2
V
RWM
= 5 V ， 5引脚到引脚2
符号最小典型最大单位
V
RWM
I
R
1
9
1
9
V
V
5
5
uA
V
12.5
V
9
1.3
1.6
结电容
C
j
0.12
0.14
pF
0.05
0.07
REV ：C
QW-BP018
第2页
COMCHIP科技有限公司。
低电容ESD保护阵列
SMD二极管专家
额定值和特性曲线（ CSRS065V0P ）
图。 1 - 功率降额曲线
110
100
12
11
10
图。 2 - 钳位电压与
峰值脉冲电流
％额定功率还是我的
PP
90
钳位电压（ V）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
I / O引脚与GND引脚
波形
参数：
tr=8us
td=20us
环境温度（ ℃）
峰值脉冲电流（ A）
图3 - 正向电压V.S.
正向电流
4.0
3.5
图4 - C的典型变化
IN
V.S. V
IN
2.0
1.8
1.6
输入电容（ pF）的
3.0
正向电压（ V）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
VDD = 5V ， GND = 0V ， F = 1MHz的，T
A
=25°C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
I / O引脚与GND引脚
波形
参数：
tr=8us
td=20us
0
1
2
3
4
5
峰值脉冲电流（ A）
输入电压（ V）
图。 5 - C的典型变化
IN
V.S.
温度
传输线路脉冲（ TLP ）电流（ A）
1.50
1.45
1.40
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
图。 6 - 传输线脉冲
（ TLP ）测量
传输线路脉冲（ TLP ）电流（ A）
18
16
14
图7 -Transmission线脉冲
（ TLP ）测量
输入电容（ pF）的
V_pulse
从脉冲
输电线路
TLP_I
V_pulse
1.35
1.30
1.25
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
20
40
60
80
100
120
VDD = 5V ， GND = 0V ，V
IN
= 2.5V F = 1MHz的
12
10
8
6
4
2
0
0
从脉冲
输电线路
TLP_I
100ns
+
TLP_V
DUT
100ns
+
TLP_V
-
DUT
I / O至GND
VDD到GND
0
1
2
3
4
5
6
7
8
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
温度（℃）
传输线路脉冲（ TLP ），电压（ V）
传输线路脉冲（ TLP ），电压（ V）
REV ：C
QW-BP018
第3页
COMCHIP科技有限公司。
QQ：2881677436 复制
