CSPESD301/302/303
1,2和3通道ESD阵列的CSP
特点
1 ， 2或3个通道的ESD保护
±15kV ESD保护（ IEC 61000-4-2 ，接触
放）
± 30kV的ESD保护（ HBM ）
同时支持交流和直流信号应用
低漏电流（ <100nA ）
芯片级封装，具有极低的导
电感，以获得最佳的ESD和过滤perfor-
曼斯
4磕碰， 1.06 X 0.93毫米足迹芯片级封装
年龄（ CSP）的
无铅版本
产品说明
该CSPESD301 /三百零三分之三百零二是一个家族的1，2，和3-
通道ESD保护阵列，它集成了两个，
三四个相同的雪崩式二极管。这是
意在这些二极管中的一个连接到GND
与其它二极管长达3提供ESD保护
行，这取决于所使用的配置。该
背到后端二极管连接提供ESD保护
重刑有交流信号高达5.9V的峰值节点。
这些器件提供了保护的非常高的水平
对于可能被分敏感的电子元件
遭离弃的静电放电（ ESD ） 。二极管
的设计和特征，以安全地消散
具有±15kV ESD的打击，远远超出了最大
在IEC 61000-4-2国际标要求
准。采用MIL -STD- 883 （方法3015 ）规格
化的人体模型（ HBM ） ESD ，这些设备
防止接触放电在大于
± 30kV的。该二极管也提供了一些EMI滤波，
结合使用了PCB走线或一系列的时候
电阻器。
这些设备特别适合井用于便携式
电子设备（例如蜂窝电话，PDA ，笔记本
计算机，因为它们的小封装格式），并
易于使用的引脚分配。
该CSPESD301 / 2/3是在一个节省空间的，
低调，芯片级封装，具有可选无铅
精加工。
应用
I / O端口保护
EMI滤波的数据端口
手机，笔记本电脑，PDA
无线手机
MP3播放器
数码相机
掌上电脑
电气原理图
A2
B1
A2
B1
B2
A1
A2
B1
B2
CSPESD301
CSPESD302
CSPESD303
2003加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
12/10/03
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
L
联系电话： 408.263.3214
L
传真： 408.263.7846
L
www.calmicro.com
1
CSPESD301/302/303
PACKAGE /引脚图
顶视图
（凸起往下看）
方向
记号
（见注2 ）
底部视图
（颠簸查看）
A1
1
A
B
2
n*
A2
B2
A1
B1
方向
记号
*请参阅订购信息
适当的打标。
CSPESD301/302/303
4焊球CSP封装
注意事项：
1 ）这些附图不按比例绘制。
2）无铅设备通过使用" + "字符为顶侧取向标记指定。
3 ）所有4颠簸始终存在。未使用的凸点电无关。
订购信息
品名信息
标准完成
订购零件
颠簸
4
4
4
包
CSP
CSP
CSP
数
1
CSPESD301
CSPESD302
CSPESD303
最热
F
G
H
无铅完成
2
订购零件
数
1
CSPESD301G
CSPESD302G
CSPESD303G
最热
F
G
H
注1 ：部件是运带&卷轴形式，除非另有规定。
注2 ：无铅器件通过使用指定的"
+
＆ QUOT ;字符的顶侧方位标记。
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2
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CSPESD301/302/303
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
存储温度范围
DC封装额定功率
等级
-65到+150
200
单位
°C
mW
标准工作条件
参数
工作温度范围
等级
-40至+85
单位
°C
电气运行特性
1
符号
V
SO
I
泄漏
V
SIG
参数
二极管防区外电压
二极管的泄漏电流
小信号钳位电压
积极钳
负钳
在系统ESD耐压
一）人体模型， MIL -STD- 883 ，
方法3015
B）每IEC 61000-4-2接触放电
在ESD放电钳位电压
MIL -STD- 883 （方法3015 ） ， 8kV的
相邻凸块之间
对角线之间的碰撞
动态电阻
相邻凸块之间
对角线之间的碰撞
电容
条件
I
二极管
=
±10A
V
IN
=3.3V
I
二极管
= 10毫安
I
二极管
= -10mA
注2， 3和4
±30
±15
注2， 3和4
19.5
19.9
注2， 3和4
0.85
1.10
在0VDC ， 1MHz时， 30mVAC
I
I
ESD
民
±5.9
典型值
最大
单位
V
100
6.0
-9.2
7.6
-7.6
9.2
-6.0
nA
V
V
kV
kV
V
ESD
V
CL
V
V
pF
R
D
C
27
注1：T
A
=25
°
C除非另有规定ED 。
注2 ：静电放电施加到输入和输出引脚相对于
另一个二极管，一次一个。
注3 ：未使用引脚悬空。
注4 ：这些参数由设计和煤焦保证
acterization 。
斜率= 1
/
R
D
10mA
10A
I
泄漏
3.3V
V
SO
V
SIG
V
CL
V
图1.参数传说
2003加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
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3
CSPESD301/302/303
演出信息
图2.典型的EMI滤波器性能（ 0VDC ， 50欧姆环境）
图3.典型电容与输入电压（归到0VDC ）
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4
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性能信息（续）
I（ μA ）
8
6
4
2
-8
-6
-4
-2
-2
-4
-6
-8
2
4
6
8
V (V)
图4.低电流I-V曲线
大电流I- V特性 - 垫A1至A2
2.0
1.5
1.0
电流[ A]
0.5
0.0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-12 -11 -10 -9
-8
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12
电压[V]
图5.高电流I-V曲线
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1,2和3通道ESD阵列的CSP
特点
1 ， 2或3个通道的ESD保护
±15kV ESD保护（ IEC 61000-4-2 ，接触
放）
± 30kV的ESD保护（ HBM ）
同时支持交流和直流信号应用
低漏电流（ <100nA ）
芯片级封装，具有极低的导
电感，以获得最佳的ESD和过滤perfor-
曼斯
4磕碰， 1.06 X 0.93毫米足迹芯片级封装
年龄（ CSP）的
无铅版本
产品说明
该CSPESD301 /三百零三分之三百零二是一个家族的1，2，和3-
通道ESD保护阵列，它集成了两个，
三四个相同的雪崩式二极管。这是
意在这些二极管中的一个连接到GND
与其它二极管长达3提供ESD保护
行，这取决于所使用的配置。该
背到后端二极管连接提供ESD保护
重刑有交流信号高达5.9V的峰值节点。
这些器件提供了保护的非常高的水平
对于可能被分敏感的电子元件
遭离弃的静电放电（ ESD ） 。二极管
的设计和特征，以安全地消散
具有±15kV ESD的打击，远远超出了最大
在IEC 61000-4-2国际标要求
准。采用MIL -STD- 883 （方法3015 ）规格
化的人体模型（ HBM ） ESD ，这些设备
防止接触放电在大于
± 30kV的。该二极管也提供了一些EMI滤波，
结合使用了PCB走线或一系列的时候
电阻器。
这些设备特别适合井用于便携式
电子设备（例如蜂窝电话，PDA ，笔记本
计算机，因为它们的小封装格式），并
易于使用的引脚分配。
该CSPESD301 / 2/3是在一个节省空间的，
低调，芯片级封装，具有可选无铅
精加工。
应用
I / O端口保护
EMI滤波的数据端口
手机，笔记本电脑，PDA
无线手机
MP3播放器
数码相机
掌上电脑
电气原理图
A2
B1
A2
B1
B2
A1
A2
B1
B2
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PACKAGE /引脚图
顶视图
（凸起往下看）
方向
记号
（见注2 ）
底部视图
（颠簸查看）
A1
1
A
B
2
n*
A2
B2
A1
B1
方向
记号
*请参阅订购信息
适当的打标。
CSPESD301/302/303
4焊球CSP封装
注意事项：
1 ）这些附图不按比例绘制。
2）无铅设备通过使用" + "字符为顶侧取向标记指定。
3 ）所有4颠簸始终存在。未使用的凸点电无关。
订购信息
品名信息
标准完成
订购零件
颠簸
4
4
4
包
CSP
CSP
CSP
数
1
CSPESD301
CSPESD302
CSPESD303
最热
F
G
H
无铅完成
2
订购零件
数
1
CSPESD301G
CSPESD302G
CSPESD303G
最热
F
G
H
注1 ：部件是运带&卷轴形式，除非另有规定。
注2 ：无铅器件通过使用指定的"
+
＆ QUOT ;字符的顶侧方位标记。
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2
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特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
存储温度范围
DC封装额定功率
等级
-65到+150
200
单位
°C
mW
标准工作条件
参数
工作温度范围
等级
-40至+85
单位
°C
电气运行特性
1
符号
V
SO
I
泄漏
V
SIG
参数
二极管防区外电压
二极管的泄漏电流
小信号钳位电压
积极钳
负钳
在系统ESD耐压
一）人体模型， MIL -STD- 883 ，
方法3015
B）每IEC 61000-4-2接触放电
在ESD放电钳位电压
MIL -STD- 883 （方法3015 ） ， 8kV的
相邻凸块之间
对角线之间的碰撞
动态电阻
相邻凸块之间
对角线之间的碰撞
电容
条件
I
二极管
=
±10A
V
IN
=3.3V
I
二极管
= 10毫安
I
二极管
= -10mA
注2， 3和4
±30
±15
注2， 3和4
19.5
19.9
注2， 3和4
0.85
1.10
在0VDC ， 1MHz时， 30mVAC
I
I
ESD
民
±5.9
典型值
最大
单位
V
100
6.0
-9.2
7.6
-7.6
9.2
-6.0
nA
V
V
kV
kV
V
ESD
V
CL
V
V
pF
R
D
C
27
注1：T
A
=25
°
C除非另有规定ED 。
注2 ：静电放电施加到输入和输出引脚相对于
另一个二极管，一次一个。
注3 ：未使用引脚悬空。
注4 ：这些参数由设计和煤焦保证
acterization 。
斜率= 1
/
R
D
10mA
10A
I
泄漏
3.3V
V
SO
V
SIG
V
CL
V
图1.参数传说
2003加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
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演出信息
图2.典型的EMI滤波器性能（ 0VDC ， 50欧姆环境）
图3.典型电容与输入电压（归到0VDC ）
2003加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
4
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
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联系电话： 408.263.3214
L
传真： 408.263.7846
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12/10/03
CSPESD301/302/303
性能信息（续）
I（ μA ）
8
6
4
2
-8
-6
-4
-2
-2
-4
-6
-8
2
4
6
8
V (V)
图4.低电流I-V曲线
大电流I- V特性 - 垫A1至A2
2.0
1.5
1.0
电流[ A]
0.5
0.0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-12 -11 -10 -9
-8
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12
电压[V]
图5.高电流I-V曲线
2003加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
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