CSPEMI400
带ESD保护SIM卡的EMI滤波器阵列
特点
三个通道的EMI滤波，每ESD
保护
与ESD保护只有两个额外的渠道
± 10kV ESD保护（ IEC 61000-4-2 ，接触
放）
± 25kV的ESD保护（ HBM ）
比衰减为1GHz大30dB
10焊球， 1.960毫米X 1.330毫米足迹芯片
级封装（ CSP ）
无铅版本
产品说明
CAMD的CSPEMI400是EMI滤波器阵列ESD
保护功能，集成了三个PI滤波器（ CRC）和
ESD保护的两个额外的通道。该
CSPEMI400具有20pF的- 47Ω-的元件值
在20pF ， 20pF的和- 100Ω - 20pF的。该零件包括ava-
拦车型ESD二极管每个引脚上，从而提供了一个
对于敏感的电子非常高的保护水平
即可以进行静电释放组件
电荷（ ESD） 。连接到过滤器上的ESD二极管
端口安全地消散± 10kV的静电放电罢工，超过
IEC的最高要求61000-4-2接口
国家标准。采用MIL -STD- 883 （方法
3015 ）规范人体模型（ HBM ）
ESD，该引脚为保护接触放电
超过± 25kV的更大。
ESD二极管的管脚A4和C4的端口设计
其特征安全地耗散静电放电
± 10KV，远远超出的最大需求
IEC 61000-4-2国际标准。
该装置特别适于便携式elec-
TRONICS （如手机，PDA ，笔记本电脑的COM
计算机，因为它的小封装格式，且易于的）
对使用的引脚分配。特别是， CSPEMI400
是理想的EMI滤波和保护数据线
ESD的SIM卡插槽在手机中。
该CSPEMI400是一个节省空间的，低
简介芯片级封装可选无铅装订
ishing 。
应用
SIM卡插槽的手机
用于手机，笔记本电脑的I / O端口保护
计算机，PDA，等等。
在手机，掌上电脑的EMI滤波的数据端口或
笔记本电脑
电气原理图
R
1
A1
C
C
GND
R
1
A3
C
C
C3
A4
C
C
C4
C1
A2
C
C
R
2
C2
B2,B4
2005加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
09/28/05
R
1
=100Ω
R
2
=47Ω
490 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
●
联系电话： 408.263.3214
●
传真： 408.263.7846
●
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1
CSPEMI400
PACKAGE /引脚图
顶视图
（凸起往下看）
方向
记号
（见注2 ）
底部视图
（颠簸查看）
1
A
B
C
2
3
4
A4
A3
B2
C4
C3
C2
A2
B1
C1
A1
A1
方向
记号
AG
CSPEMI400
CSP封装
注意事项：
1 ）这些附图不按比例绘制。
2)
无铅器件是通过使用一个"指定
+
＆ QUOT ;字符的顶侧方位标记。
引脚说明
TYPE
EMI
滤波器
EMI
滤波器
设备
地
EMI
滤波器
ESD通道
ESD通道
针
A1
C1
A2
C2
B1
B2
A3
C3
A4
C4
描述
EMI滤波与ESD保护RST信号
EMI滤波与ESD保护RST信号
EMI滤波与ESD保护CLK信号
EMI滤波与ESD保护CLK信号
接地装置
接地装置
DAT EMI滤波与ESD保护
DAT EMI滤波与ESD保护
ESD Proection频道 - V
CC
供应
ESD Proection通道
订购信息
品名信息
标准完成
颠簸
10
包
CSP
订购零件
数
1
CSPEMI400
最热
AG
无铅完成
2
订购零件
数
1
CSPEMI400G
最热
AG
注1 ：部件是运带&卷轴形式，除非另有规定。
注2 ：无铅器件通过使用指定的"
+
＆ QUOT ;字符的顶侧方位标记。
2005加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
2
490 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
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09/28/05
CSPEMI400
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
存储温度范围
每个电阻的直流电源
DC封装额定功率
等级
-65到+150
100
300
单位
°C
mW
mW
标准工作条件
参数
工作温度范围
等级
-40至+85
单位
°C
电气运行特性
1
符号
R
1
R
2
C
V
STANDOFF
I
泄漏
V
SIG
参数
的R电阻
1
的R电阻
2
电容
对峙电压
二极管的泄漏电流
信号电压
积极钳
负钳
在系统ESD耐压
一）人体模型， MIL -STD- 883 ，
方法3015
二）符合IEC接触放电
61000-4-2
在ESD放电钳位电压
MIL -STD- 883 （方法3015 ） ， 8kV的
积极瞬变
负瞬态
截止频率
Z
来源
= 50Ω, Z
负载
= 50Ω
截止频率
Z
来源
= 50Ω, Z
负载
= 50Ω
V
IN
= 2.5VDC ， 1MHz时，
为30mV交流
I = 10μA
V
BIAS
= 3.3V
I
负载
= 10毫安
I
负载
= -10mA
注释2,4和5
±25
±10
注2,3,4和5
+12
-7
R = 100Ω ，C = 20pF的
R = 47Ω ，C = 20pF的
77
85
V
V
兆赫
兆赫
kV
kV
5.6
-1.5
6.8
-0.8
条件
民
80
38
16
典型值
100
47
20
6.0
300
9.0
-0.4
最大
120
56
24
单位
Ω
Ω
pF
V
nA
V
V
V
ESD
V
CL
f
C1
f
C2
注1：T
A
=25
°
C除非另有规定ED 。
注2 ：静电放电施加到输入和输出引脚相对于GND ，一次一个。
注3 ：钳位电压的测量是在所述EMI滤波器的静电销的相对侧。例如，如果静电被施加到引脚A1，
那么钳位电压的测量是在引脚C1 。
注4 ：未使用的引脚悬空
注5：参数通过设计保证。
2005加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
09/28/05
490 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
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联系电话： 408.263.3214
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传真： 408.263.7846
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3
CSPEMI400
演出信息
典型滤波器性能（额定条件下，除非另有说明， 50欧姆环境）
图1： A1 -C1的EMI滤波器性能
图2. A2 -C2 EMI滤波器性能
2005加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
4
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CSPEMI400
性能信息（续）
典型滤波器性能（额定条件下，除非另有说明， 50欧姆环境）
图3. A3 -C3的EMI滤波器性能
图4.典型二极管电容与输入电压（标准化为2.5VDC ）
2005加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
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5
CSPEMI400
带ESD保护SIM卡的EMI滤波器阵列
特点
三个通道的EMI滤波，每ESD
保护
与ESD保护只有两个额外的渠道
± 10kV ESD保护（ IEC 61000-4-2 ，接触
放）
± 25kV的ESD保护（ HBM ）
比衰减为1GHz大30dB
10焊球， 1.960毫米X 1.330毫米足迹芯片
级封装（ CSP ）
无铅版本
产品说明
CAMD的CSPEMI400是EMI滤波器阵列ESD
保护功能，集成了三个PI滤波器（ CRC）和
ESD保护的两个额外的通道。
该
CSPEMI400具有20pF的- 47Ω - 20pF的的元件值，
和20pF的- 100Ω - 20pF的。该零件包括avalanche-
型ESD二极管每个引脚上，这很提供
对于敏感的电子康波防护等级高
可能受到静电堂费
（ESD）。连接到过滤器的端口的ESD二极管
的设计和特征，以安全地消散
± 10kV的静电放电罢工，超过最大要求一
换货的IEC 61000-4-2国际标准。
采用MIL -STD- 883 （方法3015 ）规格
为人体模型（ HBM ） ESD ，针脚亲
tected的接触放电在大于± 25kV的。
ESD二极管的管脚A4和C4的端口设计
其特征安全地耗散静电放电
± 10KV，远远超出的最大需求
IEC 61000-4-2国际标准。
该装置特别适于便携式elec-
TRONICS （如手机，PDA ，笔记本电脑comput-
ERS是因为它的小封装格式和易于的）
使用的引脚分配。特别是， CSPEMI400是
从理想的EMI滤波和保护数据线
ESD的SIM卡插槽在手机中。
该CSPEMI400是一个节省空间的，低
简介芯片级封装可选无铅装订
ishing 。
应用
SIM卡插槽的手机
用于手机，笔记本电脑的I / O端口保护
计算机，PDA，等等。
在手机，掌上电脑的EMI滤波的数据端口或
笔记本电脑
电气原理图
R
1
A1
C
C
GND
R
1
A3
C
C
C3
A4
C
C
C4
C1
A2
C
C
R
2
C2
B2,B4
2003加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
10/10/03
R
1
=100
R
2
=47
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1
CSPEMI400
PACKAGE /引脚图
顶视图
（凸起往下看）
方向
记号
（见注2 ）
底部视图
（颠簸查看）
1
A
B
C
2
3
4
A4
A3
B2
C4
C3
C2
A2
B1
C1
A1
A1
方向
记号
AG
CSPEMI400
CSP封装
注意事项：
1 ）这些附图不按比例绘制。
2)
无铅器件是通过使用一个"指定
+
＆ QUOT ;字符的顶侧方位标记。
引脚说明
TYPE
EMI
滤波器
EMI
滤波器
设备
地
EMI
滤波器
ESD通道
ESD通道
针
A1
C1
A2
C2
B1
B2
A3
C3
A4
C4
描述
EMI滤波与ESD保护RST信号
EMI滤波与ESD保护RST信号
EMI滤波与ESD保护CLK信号
EMI滤波与ESD保护CLK信号
接地装置
接地装置
DAT EMI滤波与ESD保护
DAT EMI滤波与ESD保护
ESD Proection频道 - V
CC
供应
ESD Proection通道
订购信息
品名信息
标准完成
订购零件
颠簸
10
包
CSP
数
1
CSPEMI400
最热
AG
无铅完成
2
订购零件
数
1
CSPEMI400G
最热
AG
注1 ：部件是运带&卷轴形式，除非另有规定。
注2 ：无铅器件通过使用指定的"
+
＆ QUOT ;字符的顶侧方位标记。
2003加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
2
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
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10/10/03
CSPEMI400
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
存储温度范围
每个电阻的直流电源
DC封装额定功率
等级
-65到+150
100
300
单位
°C
mW
mW
标准工作条件
参数
工作温度范围
等级
-40至+85
单位
°C
电气运行特性
1
符号
R
1
R
2
C
V
STANDOFF
I
泄漏
V
SIG
参数
的R电阻
1
的R电阻
2
电容
对峙电压
二极管的泄漏电流
信号电压
积极钳
负钳
在系统ESD耐压
一）人体模型， MIL -STD- 883 ，
方法3015
二）符合IEC接触放电
61000-4-2
在ESD放电钳位电压
MIL -STD- 883 （方法3015 ） ， 8kV的
积极瞬变
负瞬态
截止频率
Z
来源
= 50, Z
负载
= 50
截止频率
Z
来源
= 50, Z
负载
= 50
V
IN
= 2.5VDC ， 1MHz时，
为30mV交流
I = 10μA
V
BIAS
= 3.3V
I
负载
= 10毫安
I
负载
= -10mA
注释2,4和5
±25
±10
注2,3,4和5
+12
-7
R = 100Ω ，C = 20pF的
R = 47Ω ，C = 20pF的
77
85
V
V
兆赫
兆赫
kV
kV
5.6
-1.5
条件
民
80
38
16
5.5
100
6.8
-0.8
9.0
-0.4
典型值
100
47
20
最大
120
56
24
单位
pF
V
A
V
V
V
ESD
V
CL
f
C1
f
C2
注1：T
A
=25
°
C除非另有规定ED 。
注2 ：静电放电施加到输入和输出引脚相对于GND ，一次一个。
注3 ：钳位电压的测量是在所述EMI滤波器的静电销的相对侧。例如，如果静电被施加到引脚A1，
那么钳位电压的测量是在引脚C1 。
注4 ：未使用的引脚悬空
注5：参数通过设计保证。
2003加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
10/10/03
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
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3
CSPEMI400
演出信息
典型滤波器性能（额定条件下，除非另有说明， 50欧姆环境）
图1： A1 -C1的EMI滤波器性能
图2. A2 -C2 EMI滤波器性能
2003加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
4
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CSPEMI400
性能信息（续）
典型滤波器性能（额定条件下，除非另有说明， 50欧姆环境）
图3. A3 -C3的EMI滤波器性能
图4.典型二极管电容与输入电压（标准化为2.5VDC ）
2003加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
10/10/03
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5
SIM卡的EMI滤波器阵列
带ESD保护
CSPEMI400
特点
三个通道的EMI滤波，每ESD
保护
与ESD保护只有两个额外的渠道
± 10kV ESD保护（ IEC 61000-4-2 ，接触
放）
± 25kV的ESD保护（ HBM ）
比衰减为1GHz大30dB
10焊球， 1.960毫米X 1.330毫米足迹芯片
级封装（ CSP ）
无铅版本
产品说明
该CSPEMI400是EMI滤波器阵列ESD
保护功能，集成了三个PI滤波器（ CRC ）
与ESD保护的两个附加信道。该
CSPEMI400具有20pF的- 47Ω-的元件值
在20pF ， 20pF的和- 100Ω - 20pF的。该部件包括
雪崩式ESD二极管每个引脚上，这
为敏感的一个非常高的水平的保护
即可以进行电子元件
静电放电（ ESD ） 。 ESD二极管
连接到过滤器的端口安全地消散静电放电
± 10kV的罢工，超过最大
在IEC 61000-4-2国际的要求
标准。采用MIL -STD- 883 （方法3015 ）
规范人体模型（ HBM ） ESD时，
引脚在更大的保护，接触放电
超过± 25kV的。
ESD二极管的管脚A4和C4端口
设计特点，以安全地耗散静电
± 10kV的罢工，以及超出最大
在IEC 61000-4-2国际的要求
标准。
该装置特别适于用于便携式
电子产品（如手机，PDA ，笔记本电脑
计算机，因为它的小封装格式），并
易于使用的引脚分配。
特别地，
CSPEMI400是理想的EMI滤波和保护
来自静电放电的数据线对SIM卡插槽中的移动
手机。
该CSPEMI400是一个节省空间的，低
简介芯片级封装可选无铅
精加工。
应用
SIM卡插槽的手机
用于手机，笔记本电脑的I / O端口保护
计算机，PDA，等等。
EMI滤波用于手机数据端口，掌上电脑
或笔记本电脑
2010 SCILLC 。版权所有。
2010年5月第2版
出版订单号：
CSPEMI400/D
CSPEMI400
引脚说明
TYPE
EMI
滤波器
EMI
滤波器
设备
地
EMI
滤波器
ESD通道
ESD通道
针
A1
C1
A2
C2
B1
B2
A3
C3
A4
C4
描述
EMI滤波与ESD保护RST信号
EMI滤波与ESD保护RST信号
EMI滤波与ESD保护CLK信号
EMI滤波与ESD保护CLK信号
接地装置
接地装置
DAT EMI滤波与ESD保护
DAT EMI滤波与ESD保护
ESD Proection频道 - V
CC
供应
ESD Proection通道
订购信息
品名信息
标准完成
颠簸
10
包
CSP
订购零件
1
数
CSPEMI400
无铅完成
订购零件
1
数
CSPEMI400G
2
最热
AG
最热
AG
注1 ：部件是运带&卷轴形式，除非另有规定。
注2 ：无铅器件通过使用指定的"
+
＆ QUOT ;字符的顶侧方位标记。
修订版2 |第11 3 | www.onsemi.com
CSPEMI400
电气运行特性
1
符号
R
1
R
2
C
参数
的R电阻
1
的R电阻
2
电容
V
IN
= 2.5VDC ， 1MHz时，
为30mV交流
I = 10μA
V
BIAS
= 3.3V
条件
民
80
38
16
典型值
100
47
20
最大
120
56
24
单位
pF
V
STANDOFF
I
泄漏
V
SIG
对峙电压
二极管的泄漏电流
信号电压
积极钳
负钳
在系统ESD耐压
一）人体模型， MIL -STD- 883 ，
方法3015
二）符合IEC接触放电
61000-4-2
在ESD放电钳位电压
MIL -STD- 883 （方法3015 ） ， 8kV的
积极瞬变
负瞬态
截止频率
Z
来源
= 50, Z
负载
= 50
截止频率
Z
来源
= 50, Z
负载
= 50
6.0
300
V
nA
I
负载
= 10毫安
I
负载
= -10mA
注意到2,4
5.6
-1.5
6.8
-0.8
9.0
-0.4
V
V
V
ESD
±25
±10
注意到图2,3和4
+12
-7
R = 100Ω ，C = 20pF的
77
kV
kV
V
CL
V
V
兆赫
f
C1
f
C2
R = 47Ω ，C = 20pF的
85
兆赫
注1：T
A
=25
°
除非另有规定ED 。
C
注2 ：静电放电施加到输入和输出引脚相对于GND ，一次一个。
注3 ：钳位电压的测量是在所述EMI滤波器的静电销的相对侧。例如，如果静电被施加到引脚
A 1，则钳位电压的测量是在引脚C1上。
注4 ：未使用的引脚悬空。
修订版2 |第11 5 | www.onsemi.com
QQ：2881677436 复制
