W
NE
CSHDD8-40
CSHDD8-60
CSHDD8-100
中央
TM
半导体公司
产品特点:
高可靠性
低正向电压
高电流能力
高浪涌能力
UL可燃性分类94V -O
卓越的批次一致性
低功耗,高效益分析
高电压
硅肖特基整流器
单, 8.0 AMP , 40 THRU 100伏
D
2
PAK案例
描述:
中央半导体CSHDD8-40系列类型硅肖特基整流器
设计用于表面安装需要低正向压降快速开关应用。要订购
在24毫米磁带和卷轴(一十三分之八百“卷)设备, TR13后缀添加到零件号。
最大额定值:
( TC = 25° C除非另有说明)
SYMBOL CSHDD8-40 CSHDD8-60 CSHDD8-100单位
反向重复峰值电压
VRRM
阻断电压DC
VR
RMS反向电压
VR ( RMS )
平均正向电流( TC = 100 ° C)
IO
峰值正向浪涌电流( 8.3ms经)
IFSM
关键的增长速度反向电压
dv / dt的
工作和存储
结温
典型热阻
典型热阻
TJ , TSTG
Q
JC
Q
JA
40
40
28
60
60
42
8.0
150
10,000
-65到+150
2.0
50
100
100
70
V
V
V
A
A
V / ms的
°C
° C / W
° C / W
电气特性:
( TC = 25° C除非另有说明)
CSHDD8-40
CSHDD8-60
CSHDD8-100
符号测试条件
TYP MAX
TYP MAX
典型值
最大
IR
IR
VF
VF
VF
VF
CJ
VR =额定VRRM
VR =额定VRRM , TC = 125°C
IF=8.0A
IF = 8.0A , TC = 125°C
IF=16A
IF = 16A , TC = 125°C
VR = 4.0V , F = 1.0MHz的
300
100
15
0.65
0.57
0.84
0.72
300
100
15
0.75
0.65
0.95
0.85
300
100
15
0.85
0.75
1.10
1.00
单位
A
mA
V
V
V
V
pF
344
CSHDD8-40
CSHDD8-60
CSHDD8-100
表面贴装
硅肖特基整流器
8 AMP , 40 THRU 100伏
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述:
中央半导体CSHDD8-40
系列类型的硅肖特基整流器设计
表面贴装快速开关应用要求
低的正向电压降。要订购的24毫米设备
磁带和卷轴(一十三分之八百“卷) , TR13后缀添加到零件
号。
标记:全部型号
D
2
PAK案例
产品特点:
高可靠性
低正向电压
高电流能力
高浪涌能力
UL可燃性分类94V -O
卓越的批次一致性
低功耗,高效益分析
高电压
最大额定值:
( TC = 25° C除非另有说明)
符号
CSHDD8-40
反向重复峰值电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均正向电流( TC = 100 ° C)
峰值正向浪涌电流, TP = 8.3ms的
关键的增长速度反向电压
工作和存储
结温
典型热阻
典型热阻
VRRM
VR
VR ( RMS )
IO
IFSM
dv / dt的
TJ , TSTG
Θ
JC
Θ
JA
40
40
28
CSHDD8-60
60
60
42
8.0
150
10,000
-65到+150
2.0
50
CSHDD8-100
100
100
70
单位
V
V
V
A
A
V / μs的
°C
° C / W
° C / W
电气特性:
( TC = 25° C除非另有说明)
CSHDD8-40
CSHDD8-60
符号
IR
IR
VF
VF
VF
VF
CJ
测试条件
VR =额定
VR =额定
IF=8.0A
IF = 8.0A , TC = 125°C
IF=16A
IF = 16A , TC = 125°C
VR = 4.0V , F = 1.0MHz的
300
VRRM
VRRM , TC = 125°C
典型值
最大
100
15
0.65
0.57
0.84
0.72
300
典型值
最大
100
15
0.75
0.65
0.95
0.85
CSHDD8-100
典型值
最大
100
15
0.85
0.75
1.10
1.00
300
单位
A
mA
V
V
V
V
pF
R4 ( 2010年17月)
CSHDD8-40
CSHDD8-60
CSHDD8-100
表面贴装
硅肖特基整流器
8 AMP , 40 THRU 100伏
D
2
PAK案例 - 机械外形
前导码:
1 )阳极
2 )阴极
3 )阳极
4 )阴极
销2是共同的标签(4) 。
标记:全部型号
R4 ( 2010年17月)
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米