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CSHD10-100C
表面贴装
双通道,共阴极
高压
硅肖特基整流器
10安培, 100伏特
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述:
中央半导体CSHD10-100C
是硅肖特基整流器设计的表面
安装高压应用要求低正向
电压降。此设备具有两个制
5安培的肖特基整流器组装在一个共同的
阴极配置。
标记:全部型号
DPAK整流器外壳
最大额定值每台设备:
( TA = 25° C除非另有说明)
反向重复峰值电压
阻断电压DC
平均正向电流整流( TC = 75 ° C)
峰值正向浪涌电流, TP = 8.3ms的
工作和存储结温
热阻
符号
VRRM
VR
IO
IFSM
TJ , TSTG
Θ
JC
100
100
10
100
-65到+175
3.0
单位
V
V
A
A
°C
° C / W
每二极管电气特性:
( TA = 25° C除非另有说明)
符号
测试条件
典型值
最大
IR
VR=100V
50
IR
VF
VF
VR = 100V , TJ = 100℃
IF=5.0A
IF=10A
0.9
20
0.8
单位
A
mA
V
V
R0 (2010年9月)
CSHD10-100C
表面贴装
双通道,共阴极
高压
硅肖特基整流器
10安培, 100伏特
DPAK整流器外壳 - 机械概要
前导码:
1 )阳极1
2 )阴极
3 )阳极2
4 )阴极
2脚是共同的标签( 4 )
标记:全部型号
R0 (2010年9月)
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
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