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CSDD-16M
CSDD-16N
可控硅整流器
16 AMP , 600 THRU 800伏
中央
TM
半导体公司
描述:
中环半导体CSDD -16M
串联式是环氧模塑可控硅
整流器设计的传感电路的应用
和控制系统。
标识代码:全型号
D
2
PAK案例
最大额定值:
( TC = 25° C除非另有说明)
符号
重复峰值断态电压
RMS通态电流( TC = 90 ° C)
峰值一个周期浪涌( T = 10毫秒)
I
2
为融合吨值(T = 10毫秒)
峰值功率门控( TP = 10微秒)
平均门功耗
峰值正向栅电流( TP = 10微秒)
峰值正向栅极电压( TP = 10微秒)
峰值反向栅极电压( TP = 10微秒)
通态电流临界上升率
储存温度
结温
热阻
热阻
VDRM , VRRM
IT ( RMS )
ITSM
I
2
t
PGM
PG (AV)
IFGM
VFGM
VRGM
的di / dt
TSTG
TJ
Θ
JA
Θ
JC
CSDD
-16M
600
16
160
128
40
1.0
4.0
16
5.0
100
-40到+150
-40到+125
60
2.0
CSDD
-16N
800
单位
V
A
A
A
2
s
W
W
A
V
V
A / μs的
°C
°C
° C / W
° C / W
电气特性:
( TC = 25° C除非另有说明)
符号
测试条件
IDRM ,
IDRM ,
IGT
IH
VGT
VTM
dv / dt的
IRRM
IRRM
额定VDRM ,
额定VDRM ,
VRRM
VRRM , TC = 125°C
VD = 12V ,RL = 10Ω
IT=100mA
典型值
最大
10
2.0
单位
A
mA
mA
mA
V
V
V / μs的
3.4
8.8
0.64
1.40
500
15
20
1.50
1.60
VD = 12V ,RL = 10Ω
ITM = 32A , TP = 380μs
VD =
2
/
3
VDRM , TC = 125°C
R0 ( 2004年15月)
中央
TM
半导体公司
CSDD-16M
CSDD-16N
可控硅整流器
16 AMP , 600 THRU 800伏
D
2
PAK案例 - 机械外形
前导码:
1 )阴极
2 )阳极
3 )门
4 )阳极
标识代码:
全部型号
尺寸
英寸
MILLIMETERS
符号最小值
最大
最大
A
0.163 0.189 4.14
4.80
B
0.045 0.055 1.14
1.40
C
0.000 0.010 0.00
0.25
D
0.012 0.028 0.30
0.70
E
0.386 0.409 9.80 10.40
F
0.378 0.417 9.60 10.60
G
0.335 0.358 8.50
9.10
H
0.197 0.236 5.00
6.00
J
0.093 0.108 2.35
2.75
K
0.030 0.035 0.75
0.90
D2PAK ( REV : R2 )
R0 ( 2004年15月)
CSDD-16M
CSDD-16N
表面贴装
可控硅整流器
16 AMP , 600 THRU 800伏
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述:
中环半导体CSDD -16M系列
类型是环氧模塑可控硅
设计用于检测电路的应用和控制
系统。
标记:全部型号
D
2
PAK案例
最大额定值:
( TC = 25° C除非另有说明)
符号
重复峰值断态电压
VDRM , VRRM
RMS通态电流( TC = 90 ° C)
IT ( RMS )
峰值单周期浪涌, T = 10毫秒
I
2
为融合吨价, T = 10ms的
峰值功率门控, TP = 10微秒
平均门功耗
峰值正向栅电流, TP = 10微秒
峰值正向栅极电压, TP = 10微秒
峰值反向栅极电压, TP = 10微秒
通态电流临界上升率
工作结温
储存温度
热阻
热阻
ITSM
I
2
t
PGM
PG (AV)
IFGM
VFGM
VRGM
的di / dt
TJ
TSTG
Θ
JA
Θ
JC
CSDD-16M
600
16
160
128
40
1.0
4.0
16
5.0
100
CSDD-16N
800
单位
V
A
A
A
2
s
W
W
A
V
V
A / μs的
°C
°C
° C / W
° C / W
-40到+125
-40到+150
60
2.0
电气特性:
( TC = 25° C除非另有说明)
符号
测试条件
IDRM ,
IDRM ,
IGT
IH
VGT
VTM
dv / dt的
IRRM
IRRM
额定VDRM ,
额定VDRM ,
VRRM
VRRM , TC = 125°C
VD = 12V ,RL = 10Ω
IT=100mA
VD = 12V ,RL = 10Ω
ITM = 32A , TP = 380μs
VD =
2
/
3
VDRM , TC = 125°C
500
典型值
最大
10
2.0
单位
μA
mA
mA
mA
V
V
V / μs的
3.4
8.8
0.64
1.40
15
20
1.50
1.60
R1 ( 2010年17月)
CSDD-16M
CSDD-16N
表面贴装
可控硅整流器
16 AMP , 600 THRU 800伏
D
2
PAK案例 - 机械外形
前导码:
1 )阴极
2 )阳极
3 )门
4 )阳极
标记:
全部型号
R1 ( 2010年17月)
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CSDD-16M
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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