【CSD88537NDwww.ti.comSLPS455 - 2014年1月CSD88537ND ，双】,IC型号CSD88537ND,CSD88537ND PDF资料,CSD88537ND经销商,ic,电子元器件-51电子网

CSD88537ND

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SLPS455 - 2014年1月

CSD88537ND ，双路60V的N通道NexFET 功率MOSFET

检查样品：

CSD88537ND

1

特点

超低Q

g

和Q

gd

额定雪崩

无铅

符合RoHS

无卤

T

A

= 25°C

V

DS

Q

g

Q

gd

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

产品概述

典型的价值

60

14

2.3

V

GS

= 6 V

V

GS

= 10 V

3.0

15.0

12.5

单位

V

nC

m

V

漏极至源极电压

栅极电荷总数（ 10 V ）

栅极电荷栅漏

漏极至源极导通电阻

阈值电压

2

应用

半桥式电机控制

同步降压转换器

订购信息

设备

CSD88537ND

CSD88537NDT

数量

2500

250

媒体

13英寸卷轴

7英寸的卷轴

包

SO- 8塑料

包

船

磁带和

REEL

描述

这双SO - 8 ， 60 V ， 12.5 mΩ的NexFET功率

MOSFET被设计用作低半桥

目前的电机控制应用。

顶视图

绝对最大额定值

T

A

= 25°C

V

DS

V

GS

漏源极电压

栅极至源极电压

连续漏电流（包装有限公司）

价值

60

±20

15

16

8.0

(2)

单位

V

S1

G1

S2

G2

1

2

3

4

8

7

6

5

D1

D2

I

D

连续漏电流（硅有限公司），

T

C

= 25°C

连续漏电流

(1)

漏电流脉冲，T

A

= 25°C

功耗

(1)

A

I

DM

P

D

T

J

,

T

英镑

E

AS

62

2.1

-55到150

51

A

W

°C

mJ

工作结

存储温度范围

雪崩能量，单脉冲

I

D

= 32 ，L = 0.1毫亨，R

G

= 25

.

R

DS （ ON）

VS V

GS

30

R

DS

(

on

)

- 通态电阻（mΩ ）

27

24

21

18

15

12

9

6

3

0

2

4

6

8

10

12

14

16

V

GS

- 栅极 - 源极电压（V）

18

20

G001

（ 1 ）典型

θJA

= 60 ℃/上1英寸W

2

， 2盎司在0.06- Cu焊盘

英寸厚的FR4 PCB 。

（2）脉冲持续时间

≤

300

μs,

占空比

≤

2%

.

10

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

T

C

= 25 ° C，I

D

= 8A

T

C

≤ 125 ° C，I

D

= 8A

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

3

I

D

= 8A

V

DS

= 30V

栅极电荷

6

9

Q

g

- 栅极电荷（ NC）

12

15

G001

1

2

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

的NexFET是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

静态特性

BV

DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

G

Q

g

Q

gd

Q

gs

Q

G（ TH ）

Q

OSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

Q

rr

t

rr

漏极至源极电压

漏极至源极漏电流

栅极 - 源极漏电流

栅极 - 源极阈值电压

漏极至源极导通电阻

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

串联门极电阻

栅极电荷总数（ 10 V ）

栅极电荷栅漏

栅极电荷门源

栅极电荷在V

th

输出充电

打开延迟时间

上升时间

关闭延迟时间

下降时间

二极管的正向电压

反向恢复电荷

反向恢复时间

I

SD

= 8 A，V

GS

= 0 V

V

DS

= 30 V，I

F

= 8 A， di / dt的= 300 A / μs的

V

DS

= 30 V, V

GS

= 10 V，I

DS

= 8 A，R

G

= 0

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= 30 V，I

D

= 8 A

V

GS

= 0 V, V

DS

= 30 V ， F = 1兆赫

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

μA

V

GS

= 0 V, V

DS

= 48 V

V

DS

= 0 V, V

GS

= 20 V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

μA

V

GS

= 6 V，I

D

= 8 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 8 A

V

DS

= 30 V，I

D

= 8 A

2.6

3.0

15.0

12.5

42

1080

133

4.0

5.5

14

2.3

4.6

3.4

25

6

15

5

19

0.8

50

30

1

1400

173

5.2

11.0

18

60

1

100

3.6

19.0

15.0

V

μA

nA

V

m

S

pF

nC

ns

V

nC

ns

测试条件

民

典型值

最大

单位

动态特性

二极管的特性

热特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

R

θJL

R

θJA

(1)

(2)

热电阻交界处领导

(1)

热阻结到环境

(1) (2)

民

典型值

最大

20

75

单位

° C / W

R

θJC

与安装在一个1英寸的设备确定

2

(6.45-cm

2

）， 2盎司在1.5英寸× 1.5英寸（ 3.81厘米× （ 0.071毫米厚） Cu焊盘

3.81厘米）， 0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB 。

θJC

由设计规定，而

θJA

是通过用户的电路板的设计来确定。

设备安装在FR4材料1英寸

2

(6.45-cm

2

）， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。

2

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典型MOSFET的特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

图1.瞬态热阻抗

TEXT增加了间距

50

I

DS

- 漏极 - 源极电流（A ）

I

DS

- 漏极 - 源极电流（A ）

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

V

GS

=10V

V

GS

=8V

V

GS

=6V

0.3

0.6

0.9

1.2

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

1.5

G001

TEXT增加了间距

50

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

T

C

= 125°C

T

C

= 25°C

T

C

= 55°C

1

2

3

4

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

5

6

G001

V

DS

= 5V

图2.饱和特性

图3.传输特性

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3

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SLPS455 - 2014年1月

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典型MOSFET的特性（续）

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

TEXT增加了间距

10

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

3

6

9

Q

g

- 栅极电荷（ NC）

12

15

G001

TEXT增加了间距

100000

C

国际空间站

= C

gd

+ C

gs

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

C

RSS

= C

gd

I

D

= 8A

V

DS

= 30V

- 电容（pF ）

10000

1000

100

10

1

0

6

12

18

24

30

36

42

48

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

54

60

G001

图4.栅极电荷

TEXT增加了间距

3.6

R

DS

(

on

)

- 通态电阻（mΩ ）

I

D

= 250uA

V

GS

(

th

)

- 阈值电压（ V）

3.4

3.2

3

2.8

2.6

2.4

2.2

2

75

25

75

125

T

C

- 外壳温度（ ° C）

175

G001

图5.电容

TEXT增加了间距

30

27

24

21

18

15

12

9

6

3

0

2

4

6

8

10

12

14

16

V

GS

- 栅极 - 源极电压（V）

18

20

G001

T

C

= 25 ° C，I

D

= 8A

T

C

≤ 125 ° C，I

D

= 8A

图6.阈值电压与温度

TEXT增加了间距

2.2

I

SD

- 源 - 漏极电流（A ）

归一化通态电阻

2

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

0.4

75

25

75

125

T

C

- 外壳温度（ ° C）

I

D

= 8A

175

G001

图7.通态电阻与栅极至源极电压

TEXT增加了间距

100

T

C

= 25°C

T

C

= 125°C

V

GS

= 6V

V

GS

= 10V

10

1

0.1

0.01

0.001

0.0001

0

0.2

0.4

0.6

0.8

V

SD

- 源极到漏极电压（V ）

1

G001

图8.归通态电阻与温度

图9.典型的二极管正向电压

4

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典型MOSFET的特性（续）

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

TEXT增加了间距

1000

I

AV

- 峰值雪崩电流（ A）

I

DS

- 漏极 - 源极电流（A ）

10us

100us

100

1ms

10ms

DC

100

T

C

= 25C

T

C

= 125C

TEXT增加了间距

10

1

单脉冲

最大

thetaJL

= 20℃ / W的

0.1

1

10

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

100

G001

10

0.01

0.1

T

AV

- 在雪崩时间（ms ）

1

G001

图10.最大安全工作区

图11.单脉冲松开电感开关

TEXT增加了间距

21

I

DS

- 漏极 - - 源电流（A ）

18

15

12

9

6

3

0

50

25

0

25

50

75

100 125

T

C

- 外壳温度（ ° C）

150

175

G001

图12.最大漏极电流与温度

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