CSD87312Q3E
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SLPS333 - 2012年11月
双30 -V N通道NexFET 功率MOSFET
1
特点
常见的源连接
超低漏漏导通电阻
节省空间的SON 3.3× 3.3毫米塑料
包
优化5V栅极驱动器
低热阻
额定雪崩
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
.
产品概述
T
A
= 25°C
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DD （ ON）
V
GS （ TH）
漏源极电压
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
排水地漏导通电阻
(Q1+Q2)
阈值电压
典型的价值
30
6.3
0.7
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 8V
1.0
31
27
单位
V
nC
nC
m
m
V
订购信息
设备
CSD87312Q3E
包
SON 3.3× 3.3毫米
塑料包装
媒体
13-Inch
REEL
数量
2500
船
磁带和
REEL
应用
适配器/ USB输入保护笔记本电脑
个人电脑和平板电脑
绝对最大额定值
T
A
= 25°C
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,
T
英镑
E
AS
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流，T
C
= 25°C
漏电流脉冲
(2)
功耗
工作结存储
温度范围
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 24A ，L = 0.1mH ，R
G
= 25
(1)
价值
30
+10/-8
27
45
2.5
-55到150
29
单位
V
V
A
A
W
°C
mJ
描述
该CSD87312Q3E是一个30V的共源，双
N沟道器件设计的适配器/ USB输入
保护。这个儿子3.3× 3.3毫米器件具有低
漏极到漏极导通电阻，最大限度地减少损失和
提供了空间，低元件数的限制
多单元电池充电应用。
TEXT增加了间距
顶部
意见
意见
顶部
D1
D1
S
D1
D1
D2
D2
在0.060"厚FR4PCB （ 1 ）典型的R = 63 ° C /上1in W（ 2盎司）
（2）脉冲持续时间
≤300μs,
占空比
≤2%
TEXT增加了间距
V
GS
与
DDon
60
R
DS
(
on
)
- 通态电阻（mΩ ）
55
50
45
40
35
30
25
20
0
2
4
6
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压（V）
10
G001
D2
G
T
C
= 25 ℃， n = 7A
T
C
= 125℃ n = 7A
y
TEXT增加了间距
电路图片
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2012，德州仪器
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SLPS333 - 2012年11月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DD （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
(1)
漏源极电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
漏漏导通电阻（ Q1 +
Q2)
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
SD
= 7A ，V
GS
= 0V
V
DS
= 15V ，我
F
= 7A ，的di / dt = 300A / μs的
V
DS
= 15V, V
GS
= 4.5V ，我
DS
= 7A ，R
G
= 2
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
V
DS
= 15V ，我
D
= 7A
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
GS
= 0V, V
DS
= 24V
V
DS
= 0V, V
GS
= +10/-8V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 7A
V
GS
= 8V ，我
D
= 7A
V
DS
= 15V ，我
D
= 7A
0.8
1.0
31
27
39
960
190
12
5
6.3
0.7
1.9
1.0
4.0
7.8
16
17
2.9
0.8
5.3
12.2
1
1250
247
16
10
8.2
30
1
100
1.3
38
33
V
μA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态特性
(1)
二极管的特性
(1)
所有动态和二极管特性测量相对于这两个水渠中的一个，与其他悬空。
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
θJC
R
θJA
(1)
(2)
热阻结到外壳
(1)
(1) (2)
民
典型值
最大
4.2
63
单位
° C / W
° C / W
热阻结到环境
R
θJC
与安装在一个1英寸的设备确定
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司在1.5英寸× 1.5英寸（ 3.81厘米× （ 0.071毫米厚） Cu焊盘
3.81厘米） ， 0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB 。
θJC
由设计规定，而
θJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
设备安装在FR4材料1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。
2
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