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CSD85312Q3E

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SLPS457 - 2013年11月

双20 V N通道NexFET 功率MOSFET

特点

常见的源连接

低漏地漏导通电阻

节省空间的SON 3.3× 3.3毫米塑料

包

优化的5 V门极驱动

低热阻

额定雪崩

无铅端子电镀

符合RoHS

无卤

产品概述

= 25°C

DD （ ON）

GS （ TH）

漏源极电压

栅极电荷总数（ 4.5 V ）

栅极电荷栅漏

排水地漏导通电阻

(Q1 + Q2)

阈值电压

典型的价值

11.7

1.6

= 4.5 V

= 8 V

1.1

11.7

10.3

单位

订购信息

设备

CSD85312Q3E

包

SON 3.3× 3.3毫米

塑料包装

媒体

13英寸

REEL

数量

2500

船

磁带和

REEL

应用

适配器或USB输入保护笔记本电脑

个人电脑和平板电脑

绝对最大额定值

= 25°C

英镑

漏源极电压

栅极至源极电压

连续漏电流（包装有限公司）

连续漏电流

(1)

漏电流脉冲

(2)

功耗

工作结温和存储温度

范围

雪崩能量，单脉冲

= 38 A，L = 0.1 mH的，R

= 25

价值

+10/–8

2.5

-55

150

单位

°C

描述

该CSD85312Q3E是20 V共源，双

N沟道器件设计的适配器或USB输入

保护。这个儿子3.3× 3.3毫米器件具有低

漏极到漏极导通电阻，最大限度地减少损失和

提供了空间，低元件数的限制

多单元电池充电应用。

顶视图

（ 1 ）典型

θJA

1英寸= 63 ° C / W

在0.060英寸厚（2盎司）。

FR4PCB

(

)

- 通态电阻（mΩ ）

（2）脉冲持续时间

≤

300

μs,

占空比

≤

TEXT增加了间距

与

DD （ ON）

= 25°C ，ID = 10A

= 125℃ ，ID = 10A

电路图片

常见的来源

排水1

排水2

常见门

- 栅极 - 源极电压（V）

G001

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

参数

静态特性

DSS

GSS

GS （ TH）

DD （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

G（ TH ）

OSS

D（上）

D（关闭）

(1)

漏源极电压

漏极至源极漏电流

门源漏电流

门源阈值电压

排水地漏导通电阻

(Q1 + Q2)

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

串联门极电阻

栅极电荷总数（ 4.5 V ）

栅极电荷栅漏

栅极电荷门源

栅极电荷在Vth的

输出充电

打开延迟时间

上升时间

关闭延迟时间

下降时间

二极管的正向电压

反向恢复电荷

反向恢复时间

= 10 A，V

= 0 V

= 10 V，I

= 10 A， di / dt的= 300 A / μs的

= 10 V, V

= 4.5 V，I

= 10 A，R

= 2

= 10 V, V

= 0 V

= 10 V，I

= 10 A

= 0 V, V

= 10 V ， F = 1兆赫

= 0 V，I

= 250

μA

= 0 V, V

= 16 V

= 0 V, V

= +10/–8 V

= V

, I

= 250

μA

= 4.5 V，I

= 10 A

= 8 V，I

= 10 A

= 10 V，I

= 10 A

0.85

1.10

11.7

10.3

1840

492

5.5

11.7

1.6

3.5

1.8

8.9

0.8

2390

640

15.2

100

1.40

14.0

12.4

μA

测试条件

民

典型值

最大

单位

动态特性

(1)

二极管的特性

(1)

所有动态和二极管特性测量相对于这两个水渠中的一个，与其他悬空。

热特性

= 25 ° C除非另有说明）

参数

θJC

θJA

(1)

(2)

热阻结到外壳

(1)

(1) (2)

民

典型值

最大

3.0

单位

° C / W

热阻结到环境

θJC

与安装在一个1英寸的设备确定

（ 6.45厘米

）， 2盎司上一个1.5英寸（ 0.071毫米厚） Cu焊盘×1.5英寸（ 3.81厘米×

3.81厘米）， 0.06英寸（1.52毫米）厚的FR4 PCB 。

θJC

由设计规定，而

θJA

是通过用户的电路板的设计来确定。

设备安装在FR4材料1英寸

（ 6.45厘米

）， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。

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门

漏

门

漏

最大

θJA

= 63 ° C / W

当安装在

1英寸

（ 6.45厘米

2 ）的

盎司（ 0.071毫米厚）

铜。

最大

θJA

= 150 ° C / W

安装在一个时

2最小焊盘面积

盎司（ 0.071毫米厚）

铜。

来源

M0137-01

来源

M0137-02

典型MOSFET的特性

= 25 ° C除非另有说明）

图1.瞬态热阻抗

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典型MOSFET的特性（续）

= 25 ° C除非另有说明）

TEXT增加了间距

100

- 漏 - 漏电流（ A）

0.4

= 8V

= 6V

= 4.5V

0.8

1.2

1.6

- 汲极到漏极电压（V ）

G001

TEXT增加了间距

= 5V

= 125°C

= 25°C

= 55°C

- 栅极 - 源极电压（ V）

G001

图2.饱和特性

TEXT增加了间距

- 栅极 - 源极电压（ V）

- 栅极电荷（ NC）

G001

图3.传输特性

TEXT增加了间距

10000

= 10A

=10V

- 电容（pF ）

1000

100

国际空间站

= C

+ C

OSS

= C

+ C

RSS

= C

- 漏极至源极电压（ V）

G001

图4.栅极电荷

TEXT增加了间距

1.5

(

)

- 阈值电压（ V）

1.4

1.3

1.2

1.1

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

125

- 外壳温度（ ° C）

175

G001

图5.电容

TEXT增加了间距

(

)

- 通态电阻（mΩ ）

= 250uA

- 栅极 - 源极电压（V）

G001

= 25°C ，ID = 10A

= 125℃ ，ID = 10A

图6.阈值电压随温度的变化

图7.导通电阻与栅极至源极电压

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典型MOSFET的特性（续）

= 25 ° C除非另有说明）

TEXT增加了间距

1.75

1.5

1.25

0.75

0.5

0.25

- 源 - 漏极电流（A ）

归一化通态电阻

= 8V

= 4.5V

=10A

100

0.1

0.01

0.001

= 25°C

= 125°C

TEXT增加了间距

125

- 外壳温度（ ° C）

175

G001

0.0001

0.2

0.4

0.6

0.8

- 源极到漏极电压（V ）

G001

图8.归通态电阻与温度

TEXT增加了间距

1000

- 峰值雪崩电流（ A）

- 漏极 - 源极电流（A ）

1ms

10ms

100

100ms

100

图9.典型的二极管正向电压

TEXT增加了间距

= 25C

= 125C

0.1

单脉冲

典型

ThetaJA

= 120C / W （分铜）

0.01

0.1

- 漏极至源极电压（ V）

G001

0.01

0.1

- 在雪崩时间（ms ）

G001

图10.最大安全工作区

图11.单脉冲松开电感开关

TEXT增加了间距

45.0

- 漏极 - 用于─漏电流（ A）

40.0

35.0

30.0

25.0

20.0

15.0

10.0

5.0

0.0

100 125

- 外壳温度（ ° C）

150

175

G001

图12.最大漏极电流与温度的关系

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