【CSD75207W15www.ti.comSLPS418 - 2013年6月双P通道NexFET功率】,IC型号CSD75207W15,CSD75207W15 PDF资料,CSD75207W15经销商,ic,电子元器件-51电子网

CSD75207W15

www.ti.com

SLPS418 - 2013年6月

双P通道NexFET功率MOSFET

检查样品：

CSD75207W15

特点

双P沟道MOSFET的

常见源配置

小尺寸1.5毫米× 1.5毫米

栅源电压钳

门ESD保护>4kV

- HBM JEDEC标准JESD22- A114

铅和卤素

符合RoHS

产品概述

D1D2

排水地漏电压

栅极电荷总数（ -4.5V ）

栅极电荷栅漏

–20

2.9

0.4

= –1.8V

D1D2(on)

排水地漏导通电阻

GS （ TH）

阈值电压

= –2.5V

= –4.5V

–0.8

119

订购信息

设备

CSD75207W15

包

1.5-mm × 1.5-mm

晶圆级封装

媒体

7-Inch

REEL

数量

3000

船

磁带和

REEL

应用

电池管理

电池保护

负载和输入切换

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有说明

D1D2

排水地漏电压

栅极至源极电压

连续漏地漏电流，

= 25°C

(1)

脉冲漏地漏电流，

= 25°C

(2)

连续源引脚电流

脉冲源引脚电流

(2)

价值

–20

-6.0

–2.4

-24

-1.2

-15

-0.5

-7

0.7

-55到150

单位

°C

描述

该设备被设计成提供最低

导通电阻和栅极电荷在最小的轮廓

可以用在一个优良的热特性

超低轮廓。低导通电阻再加上

小尺寸和低姿态使该器件非常适用

对于电池供电的空间受限的应用。

该设备也被授予了美国专利

7952145 ， 7420247 ， 7235845 ，和6600182 。

文本增加了空间

D1D2

英镑

连续栅钳位电流

门脉冲钳位电流

功耗

(1)

(2)

工作结存储

温度范围

（1）每设备，双方在传导

（2）脉冲持续时间为10μs ，占空比

≤2%

顶视图

140

D1D2

(

)

- 通态电阻（mΩ ）

130

120

110

100

P0109-01

D1D2(on)

VS V

= 25 ℃， n = -1A

= 125℃ n = -1A

- 栅极 - 源极电压（V）

G001

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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电气特性

= 25 ° C除非另有说明）。技术指标和图表是每MOSFET ，除非另有说明。排水地漏

测量完成与两个MOSFET串联（共源配置。

参数

静态特性

D1D2

GSS

DDS

GSS

GS （ TH）

D1D2(on)

国际空间站

OSS

RSS

G（ TH ）

OSS

D（上）

D（关闭）

排水地漏电压

栅极至源极电压

漏漏漏电流

门源漏电流

门源阈值电压

排水地漏导通电阻

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

串联门极电阻

栅极电荷总数（ -4.5V ）

栅极电荷 - 栅漏

栅极电荷 - 门源

栅极电荷在Vth的

输出充电

打开延迟时间

上升时间

关闭延迟时间

下降时间

二极管的正向电压

反向恢复电荷

反向恢复时间

D1D2

= -1A ，V

= 0V

= -10V ，我

= -1A ，的di / dt = 200A / μs的

= -10V ，我

= -1A ，的di / dt = 200A / μs的

D1D2

= –10V, V

= –4.5V,

D1D2

= -1A ，R

= 30

D1D2

= –9.5V, V

= 0V

D1D2

= –10V,

D1D2

= –1A

= 0V, V

D1D2

= –10V,

F = 1MHz的

= 0V时，我

D1D2

= –250μA

D1D2

= 0V时，我

= -250μA

= 0V, V

D1D2

= –16V

D1D2

= 0V, V

= -6V

D1D2

= V

, I

= –250μA

= -1.8V ，我

D1D2

= –1A

= -2.5V ，我

D1D2

= –1A

= -4.5V ，我

D1D2

= –1A

D1D2

= -10V ，我

D1D2

= –1A

动态特性

458

225

10.4

2.9

0.4

0.7

0.4

3.1

12.8

8.6

32.1

16.0

-0.8

10.5

-1

3.7

595

293

13.5

-0.6

–0.8

119

6.2

–20

-6.0

–1

-100

-1.1

162

μA

测试条件

民

典型值

最大

单位

二极管的特性

热特性

= 25 ° C除非另有说明）

参数

θJA

热阻结到环境

(1) (2)

(3) (2)

典型的价值

165

单位

° C / W

(1)

(2)

(3)

设备安装在FR4材料与铜最低安装面积。

测量偏置在平行状态这两个设备。

设备安装在FR4材料1英寸

铜（ 2盎司）。

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典型

θJA

= 70 ° C / W

当安装在

1inch

的2盎司铜。

典型

θJA

= 165 ° C / W

当安装在

2最小焊盘面积

盎司铜。

G1 S G2 D1 D2

M0169-01

G1 S G2 D1 D2

M0170-01

典型MOSFET的特性

= 25 ° C除非另有说明）

图1.瞬态热阻抗

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典型MOSFET的特性（续）

= 25 ° C除非另有说明）

TEXT增加了间距

D1D2

- 排水1至2漏电流（A ）

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

D1D2

- 排水1排2电压（V ）

1.4

G001

TEXT增加了间距

= 4.5V

= 2.5V

= 1.8V

D1D2

- 排水1至2漏电流（A ）

D1D2

= 5V

= 125°C

= 25°C

= 55°C

0.5

1.5

2.5

- 栅极 - 源极电压（ V）

G001

图2.饱和特性

TEXT增加了间距

- 栅极 - 源极电压（ V）

= 1A

D1D2

=10V

- 电容（ NF）

500

400

300

200

100

700

600

图3.传输特性

TEXT增加了间距

F = 1MHz的

= 0V

国际空间站

= C

+ C

OSS

= C

+ C

RSS

= C

0.5

1.5

2.5

- 栅极电荷（ NC）

3.5

G001

D1D2

- 排水1排2电压（V ）

G001

图4.栅极电荷

TEXT增加了间距

1.1

= -250uA

(

)

- 阈值电压（ V）

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

D1D2

(

)

- 通态电阻（mΩ ）

140

130

120

110

100

图5.电容

TEXT增加了间距

= 25 ℃， n = -1A

= 125℃ n = -1A

125

- 外壳温度（ ° C）

175

G001

- 栅极 - 源极电压（V）

G001

图6.阈值电压随温度的变化

图7.导通电阻与栅极至源极电压

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典型MOSFET的特性（续）

= 25 ° C除非另有说明）

TEXT增加了间距

1.5

归一化通态电阻

1.4

1.3

1.2

1.1

0.9

0.8

0.7

0.6

125

- 外壳温度（ ° C）

175

G001

TEXT增加了间距

- 源 - 漏极电流（A ）

= 1A

= 25°C

= 125°C

= 2.5V

= 4.5V

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.2

0.4

0.6

0.8

- 源极到漏极电压（V ）

G001

图8.归通态电阻与温度

TEXT增加了间距

1000

D1D2

- 排水1至2漏电流（A ）

- 峰值雪崩电流（ A）

1ms

10ms

100

100ms

100

图9.典型的二极管正向电压

TEXT增加了间距

0.1

单脉冲

典型

ThetaJA

= 165C / W （分铜）

0.01

0.1

D1D2

- 排水1排2电压（V ）

100

G001

= 25C

= 125C

0.01

0.1

- 在雪崩时间（ms ）

G001

图10.最大安全工作区

图11.单脉冲松开电感开关

TEXT增加了间距

4.0

D1D2

- 排水1至2漏电流（A ）

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

典型

ThetaJA

= 70℃ / W （最大铜）

0.0

100 125

- 环境温度（ ° C）

150

175

G001

图12.最大漏极电流与温度的关系

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