CSD3120H
CSD3160H
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
单可控硅
POW -R - BLOK 模块
400安培/ 1200-1600伏特
A
B
L - DIA 。
（ 2 TYP 。 ）
A
K
H
G
E
M
F
M
描述：
POWEREX单可控硅
POW -R - BLOK 模块是
设计用于在应用程序中使用
需要相位控制和
孤立的包装。这些模块
被隔离，易于安装
与其它组分
常见的散热器。
产品特点：
CSD3120H ， CSD3160H
单可控硅
POW -R - BLOK 模块
400安培/ 1200-1600伏特
K
0.110 TAB
K
C
D
G
安装隔离
金属基板
低热阻
应用范围：
J
A
K
G
K
固态起动器
旁路开关
AC和DC电机控制
MILLIMETERS
80
65±0.3
65
64
46
36
30
22
9
7
直径。 5.5
2
TYPE
CSD3
外形绘图
维
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
英寸
3.15
2.559±0.012
2.56
2.52
1.81
1.48
1.18
0.87
0.35
0.28
0.216直径。
0.08
订货信息：
选择完整的八位
你想要的模块部件号
从下表中。
例如： CSD3120H是
1200伏， 400安培单
SCR POW -R - BLOK 模块。
电压
伏（ X100 ）
12
16
额定电流
安培（400）
0H
S-5
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
CSD3120H ， CSD3160H
单SCR POW -R - BLOK 模块
400安培/ 1200-1600伏特
绝对最大额定值
特征
峰值正向阻断电压
瞬态峰值正向阻断电压（不重复）T < 5ms的
DC正向阻断电压
峰值反向阻断电压
瞬态峰值反向阻断电压（不重复） ，T < 5ms的
DC反向阻断电压
RMS通态电流
通态平均电流， TC = 66℃
峰值单周期浪涌（不重复）通态电流（ 60Hz）的
峰值单周期浪涌（不重复）通态电流（ 50赫兹）
的I2t （用于热熔） ， 8.3毫秒
爆击率-的高层通态电流*
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
储存温度
工作温度
最大安装扭矩M5安装螺丝
最大安装扭矩M8端子螺丝
模块重量（典型）
V绝缘
* TJ = 125°C ， IG = 1.0A ， VD = 1/2 VDRM
符号
VDRM
超深亚微米
性病（DC）的
VRRM
VRSM
VR （ DC ）
IT （ RMS ）
IT （ AV ）
ITSM
ITSM
I2t
的di / dt
PGM
PG （AV）
VGFM
VGRM
IGFM
TSTG
Tj
—
—
—
VRMS
CSD3120H
1200
1350
960
1200
1350
960
620
400
8000
7300
267,000
100
10
3
10
5.0
4.0
-40至125
-40至125
17
72
450
2500
CSD3160H
1600
1700
1280
1600
1700
1280
620
400
8000
7300
267,000
100
10
3
10
5.0
4.0
-40至125
-40至125
17
72
450
2500
单位
伏
伏
伏
伏
伏
伏
安培
安培
安培
安培
A2sec
安培/秒
瓦
瓦
伏
伏
安培
°C
°C
英寸- Lb的
英寸- Lb的
克
伏
S-6
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
CSD3120H ， CSD3160H
单SCR POW -R - BLOK 模块
400安培/ 1200-1600伏特
电气和热特性，
TJ = 25 ° C除非另有说明
特征
阻塞状态最高配置
正向漏电流，峰值
反向漏电流，峰值
开展国家最高配置
峰值通态电压
开关最低金额
爆击率-的高层断态电压
热最高配置
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器（润滑）
门最高配置参数
栅极电流触发
栅极电压触发
非触发栅极电压
符号
IDRM
IRRM
VFM
dv / dt的
R（ J- C）
R（ C- S）
IGT
VGT
VGDM
测试条件
TJ = 125°C ， VDRM =额定
TJ = 125°C ， VRRM =额定
ITM = 1200A
TJ = 125°C ， VD = 2/3 VDRM
每个模块
每个模块
VD = 6V ， RL = 2Ω
VD = 6V ， RL = 2Ω
TJ = 125°C ， VD = 1/2 VDRM
CSD3120H/CSD3160H
40
40
1.4
500
0.1
0.08
100
3.0
0.25
单位
mA
mA
伏
伏/秒
° C /瓦
° C /瓦
mA
伏
伏
S-7
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
CSD3120H ， CSD3160H
单SCR POW -R - BLOK 模块
400安培/ 1200-1600伏特
最大
通态特性
瞬时通态电压，V
TM
（伏）
最大允许峰值浪涌
（不重复） CURRENT
触发
特征
2.6
最大峰值浪涌（不重复）
目前，我
TSM
（安培）
10000
瞬时栅极电压，V
G
（伏）
10
2
T
j
= 125
o
C
2.2
8000
10
1
V
GFM
= 10V
P
GM
= 10W
1.8
6000
V
GT
= 3.0V
I
GT
= 100毫安
T
j
= 25
o
C
V
GDM
= 0.25V
P
G（ AV ）
=
3.0W
1.4
4000
10
0
1.0
2000
I
GFM
=
4.0A
0.6
10
1
10
2
10
3
10
4
瞬时通态电流I
TM
,
（安培）
0
10
0
10
1
个循环： 60 H
Z
10
2
10
-1
10
1
10
2
10
3
10
4
瞬时栅极电流I
G
（毫安）
瞬态热阻抗，Z
（J -C ）
(t), (
o
C /瓦）
瞬态热阻抗
特性（结到外壳）
10
0
10
1
最大功耗，P
的AV （MAX）
（瓦）
最大通态功耗
（正弦波）
最大允许外壳温度
（正弦波）
最大允许外壳温度T
C
, (
o
C)
0.125
800
o
90
o
120
130
120
110
100
90
80
70
60
50
0
100
200
300
400
平均通态电流I
T（ AV ）
,
（安培）
360
o
电阻式，
电感
每个负载
单身
元素
0.100
600
360
o
电阻式，
电感
每个负载
单身
元素
60
o
= 30
o
180
o
0.075
400
0.050
200
0.025
= 30
o
60
o
90
o
120
o
180
o
0
10
-3
0
0
100
200
300
400
平均通态电流I
T（ AV ）
,
（安培）
10
-2
10
-1
10
0
时间t （秒）
最大平均通态功耗
耗散（方波）
最大功耗，P
的AV （MAX）
（瓦）
o
最大允许外壳温度
（方波）
最大允许外壳温度T
C
, ( C)
800
270
o
120
o
90
o
180
o
DC
130
120
110
100
90
80
70
60
50
0
= 30
o
60
o
90
o
120
o
180
o
270
o
DC
360
o
电阻式，
电感
每个负载
单身
元素
600
= 30
o
60
o
400
200
360
o
阻性，感性负载
PER单个元素
0
0
200
400
600
800
200
400
600
800
平均通态电流I
T（ AV ）
,
（安培）
平均通态电流I
T（ AV ）
,
（安培）
S-8
QQ：2880707522 复制
