CSD25481F4
SLPS420B - 2013年9月 - 修订2014年2月
CSD25481F4 ， 20 V P沟道FemtoFET MOSFET
1，产品特点
1
.
产品概述
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
漏极至源极电压
栅极电荷总数（ -4.5 V）
栅极电荷栅漏
–20
913
153
V
GS
= –1.8 V
漏极至源极导通电阻
V
GS
= –2.5 V
V
GS
= –4.5 V
阈值电压
–0.95
395
145
90
V
pC
pC
m
m
m
V
超低导通电阻
超低Q
g
和Q
gd
高工作漏极电流
超小尺寸（ 0402尺寸）
- 1.0毫米× 0.6毫米
超低简介
- 0.35毫米最大高度
集成ESD保护二极管
- 额定> 4 kV的HBM
- 额定> 2千伏的清洁发展机制
铅和卤素
符合RoHS
订购信息
设备
CSD25481F4
CSD25481F4T
数量
3000
250
媒体
7-Inch
REEL
7-Inch
REEL
包
Femto(0402)
1.0毫米X 0.6毫米
焊盘网格阵列（ LGA ）
船
磁带和
REEL
2应用程序
优化负载开关应用
优化的通用开关
应用
电池应用
手持设备和移动应用
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
G
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流
漏电流脉冲
(2)
(1)
价值
–20
–12
–2.5
–10
–35
–350
500
4
2
-55到150
单位
V
V
A
A
mA
mW
kV
kV
°C
连续栅钳位电流
门脉冲钳位电流
(2)
功耗
(1)
3介绍
这90毫欧， 20 V P沟道FemtoFET MOSFET
被设计和优化，以尽量减少在足迹
许多手持设备和移动应用程序。这
技术能够取代标准的小
信号的MOSFET同时提供至少60％的
减少占用空间的大小。
.
典型零件的尺寸
P
D
人体模型（ HBM ）
ESD
评级带电器件模型（ CDM）
T
J
,
T
英镑
工作结
存储温度范围
（ 1 ）典型
θJA
= 85°C / W 1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071-
毫米厚），在0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB的Cu焊盘。
（2）脉冲持续时间
≤
300
μs,
占空比
≤
2%
顶视图
5
0.3
mm
D
1.
00
m
m
60
0.
m
m
G
S
.
1
在此数据表地址的可用性结束一个重要的通知，保修变化，在安全关键应用程序使用，
知识产权问题和其他重要的免责声明。生产数据。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
4规格
4.1电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
漏极至源极电压
漏极至源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
栅极 - 源极阈值电压
V
GS
= 0 V，I
DS
= –250
μA
V
GS
= 0 V, V
DS
= –16 V
V
DS
= 0 V, V
GS
= –12 V
V
DS
= V
GS
, I
DS
= –250
μA
V
GS
= -1.8 V，I
DS
= –0.1 A
R
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
V
GS
= -2.5 V，I
DS
= –0.5 A
V
GS
= -4.5 V，I
DS
= –0.5 A
V
GS
= -8 V，I
DS
= –0.5 A
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ 4.5 V ）
栅极电荷栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在V
th
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
SD
= -0.5 A，V
GS
= 0 V
V
DS
= -10 V，I
F
= -0.5 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DS
= 0 V, V
GS
= –4.5 V,
I
DS
= -0.5 A，R
G
= 2
V
DS
= –10 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= -10 V，I
DS
= –0.5 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= –10 V,
F = 1 MHz的
V
DS
= -10 V，I
DS
= –0.5 A
动态特性
189
78
5.5
20
913
153
240
116
1030
4.1
3.6
16.9
6.7
–0.75
1010
7.5
pF
pF
pF
pC
pC
pC
pC
pC
ns
ns
ns
ns
V
pC
ns
–0.70
–0.95
395
145
90
75
3.3
–20
–100
–50
–1.20
800
174
105
88
V
nA
nA
V
m
m
m
m
S
测试条件
民
典型值
最大
单位
二极管的特性
4.2热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
θJA
(1)
(2)
结至环境热阻
(1)
典型值
85
245
单位
° C / W
° C / W
结至环境热阻
(2)
设备安装在FR4材料1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。
设备安装在FR4材料与铜最低安装面积。
2
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5 MOSFET的典型特征
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图1.瞬态热阻抗
10
I
DS
- 漏极 - 源极电流（A ）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
1.8
2
G001
10
I
DS
- 漏极 - 源极电流（A ）
V
GS
= 8V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 1.8V
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 55°C
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
3.5
4
G001
V
DS
= 5V
图2.饱和特性
图3.传输特性
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3
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
Q
g
- 栅极电荷（ NC）
1.4
1.6
G001
200
I
D
= 0.5A
V
DS
= 10V
- 电容（ NF）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
18
20
G001
C
国际空间站
= C
gd
+ C
gs
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
图4.栅极电荷
1.25
R
DS
(
on
)
- 通态电阻（mΩ ）
I
D
= -250uA
V
GS
(
th
)
- 阈值电压（ V）
1.15
1.05
0.95
0.85
0.75
0.65
0.55
0.45
75
25
25
75
125
T
C
- 外壳温度（ ° C）
175
G001
图5.电容
400
360
320
280
240
200
160
120
80
40
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（V）
12
G001
T
C
= 25 ° C，I
D
= 0.5A
T
C
≤ 125 ° C，I
D
= 0.5A
图6.阈值电压与温度
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
75
I
SD
- 源 - 漏极电流（A ）
归一化通态电阻
V
GS
= -4.5V ，我
D
= 0.5A
图7.通态电阻与栅极至源极电压
10
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
1
0.1
0.01
0.001
25
25
75
125
T
C
- 外壳温度（ ° C）
175
G001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
1
G001
图8.归通态电阻与温度
图9.典型的二极管正向电压
4
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
100
I
DS
- 漏极 - - 源电流（A ）
I
DS
- 漏极 - 源极电流（A ）
1ms
10ms
10
100ms
1s
DC
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
典型
ThetaJA
= 85℃ / W （最大铜）
0.0
50
25
0
25
50
75
100 125
T
A
- AmbientTemperature （ C ）
150
175
G001
1
0.1
单脉冲
典型
ThetaJA
= 245C / W （分铜）
0.01
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
50
G001
图10.最大安全工作区
图11.最大漏极电流与温度
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1，产品特点
1
.
产品概述
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
漏极至源极电压
栅极电荷总数（ -4.5 V）
栅极电荷栅漏
–20
913
153
V
GS
= –1.8 V
漏极至源极导通电阻
V
GS
= –2.5 V
V
GS
= –4.5 V
阈值电压
–0.95
395
145
90
V
pC
pC
m
m
m
V
超低导通电阻
超低Q
g
和Q
gd
高工作漏极电流
超小尺寸（ 0402尺寸）
- 1.0毫米× 0.6毫米
超低简介
- 0.35毫米最大高度
集成ESD保护二极管
- 额定> 4 kV的HBM
- 额定> 2千伏的清洁发展机制
铅和卤素
符合RoHS
订购信息
设备
CSD25481F4
CSD25481F4T
数量
3000
250
媒体
7-Inch
REEL
7-Inch
REEL
包
Femto(0402)
1.0毫米X 0.6毫米
焊盘网格阵列（ LGA ）
船
磁带和
REEL
2应用程序
优化负载开关应用
优化的通用开关
应用
电池应用
手持设备和移动应用
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
G
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流
漏电流脉冲
(2)
(1)
价值
–20
–12
–2.5
–10
–35
–350
500
4
2
-55到150
单位
V
V
A
A
mA
mW
kV
kV
°C
连续栅钳位电流
门脉冲钳位电流
(2)
功耗
(1)
3介绍
这90毫欧， 20 V P沟道FemtoFET MOSFET
被设计和优化，以尽量减少在足迹
许多手持设备和移动应用程序。这
技术能够取代标准的小
信号的MOSFET同时提供至少60％的
减少占用空间的大小。
.
典型零件的尺寸
P
D
人体模型（ HBM ）
ESD
评级带电器件模型（ CDM）
T
J
,
T
英镑
工作结
存储温度范围
（ 1 ）典型
θJA
= 85°C / W 1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071-
毫米厚），在0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB的Cu焊盘。
（2）脉冲持续时间
≤
300
μs,
占空比
≤
2%
顶视图
5
0.3
mm
D
1.
00
m
m
60
0.
m
m
G
S
.
1
在此数据表地址的可用性结束一个重要的通知，保修变化，在安全关键应用程序使用，
知识产权问题和其他重要的免责声明。生产数据。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
4规格
4.1电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
漏极至源极电压
漏极至源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
栅极 - 源极阈值电压
V
GS
= 0 V，I
DS
= –250
μA
V
GS
= 0 V, V
DS
= –16 V
V
DS
= 0 V, V
GS
= –12 V
V
DS
= V
GS
, I
DS
= –250
μA
V
GS
= -1.8 V，I
DS
= –0.1 A
R
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
V
GS
= -2.5 V，I
DS
= –0.5 A
V
GS
= -4.5 V，I
DS
= –0.5 A
V
GS
= -8 V，I
DS
= –0.5 A
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ 4.5 V ）
栅极电荷栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在V
th
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
SD
= -0.5 A，V
GS
= 0 V
V
DS
= -10 V，I
F
= -0.5 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DS
= 0 V, V
GS
= –4.5 V,
I
DS
= -0.5 A，R
G
= 2
V
DS
= –10 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= -10 V，I
DS
= –0.5 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= –10 V,
F = 1 MHz的
V
DS
= -10 V，I
DS
= –0.5 A
动态特性
189
78
5.5
20
913
153
240
116
1030
4.1
3.6
16.9
6.7
–0.75
1010
7.5
pF
pF
pF
pC
pC
pC
pC
pC
ns
ns
ns
ns
V
pC
ns
–0.70
–0.95
395
145
90
75
3.3
–20
–100
–50
–1.20
800
174
105
88
V
nA
nA
V
m
m
m
m
S
测试条件
民
典型值
最大
单位
二极管的特性
4.2热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
θJA
(1)
(2)
结至环境热阻
(1)
典型值
85
245
单位
° C / W
° C / W
结至环境热阻
(2)
设备安装在FR4材料1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。
设备安装在FR4材料与铜最低安装面积。
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5 MOSFET的典型特征
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图1.瞬态热阻抗
10
I
DS
- 漏极 - 源极电流（A ）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
1.8
2
G001
10
I
DS
- 漏极 - 源极电流（A ）
V
GS
= 8V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 1.8V
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 55°C
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
3.5
4
G001
V
DS
= 5V
图2.饱和特性
图3.传输特性
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
Q
g
- 栅极电荷（ NC）
1.4
1.6
G001
200
I
D
= 0.5A
V
DS
= 10V
- 电容（ NF）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
18
20
G001
C
国际空间站
= C
gd
+ C
gs
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
图4.栅极电荷
1.25
R
DS
(
on
)
- 通态电阻（mΩ ）
I
D
= -250uA
V
GS
(
th
)
- 阈值电压（ V）
1.15
1.05
0.95
0.85
0.75
0.65
0.55
0.45
75
25
25
75
125
T
C
- 外壳温度（ ° C）
175
G001
图5.电容
400
360
320
280
240
200
160
120
80
40
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（V）
12
G001
T
C
= 25 ° C，I
D
= 0.5A
T
C
≤ 125 ° C，I
D
= 0.5A
图6.阈值电压与温度
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
75
I
SD
- 源 - 漏极电流（A ）
归一化通态电阻
V
GS
= -4.5V ，我
D
= 0.5A
图7.通态电阻与栅极至源极电压
10
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
1
0.1
0.01
0.001
25
25
75
125
T
C
- 外壳温度（ ° C）
175
G001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
1
G001
图8.归通态电阻与温度
图9.典型的二极管正向电压
4
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SLPS420B - 2013年9月 - 修订2014年2月
典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
100
I
DS
- 漏极 - - 源电流（A ）
I
DS
- 漏极 - 源极电流（A ）
1ms
10ms
10
100ms
1s
DC
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
典型
ThetaJA
= 85℃ / W （最大铜）
0.0
50
25
0
25
50
75
100 125
T
A
- AmbientTemperature （ C ）
150
175
G001
1
0.1
单脉冲
典型
ThetaJA
= 245C / W （分铜）
0.01
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
50
G001
图10.最大安全工作区
图11.最大漏极电流与温度
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