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CSD25310Q2

www.ti.com

SLPS459 - 2014年1月

CSD25310Q2 ， 20 V P通道NexFET 功率MOSFET

检查样品：

CSD25310Q2

特点

超低Q

和Q

低导通电阻

低热阻

无铅端子电镀

符合RoHS

无卤

SON 2毫米×2毫米的塑料包装

产品概述

DS （ ON）

GS （ TH）

漏极至源极电压

栅极电荷总数（ -4.5 V）

栅极电荷栅漏

–20

3.6

0.5

= –1.8 V

漏极至源极导通电阻

= –2.5 V

= –4.5 V

阈值电压

-0.85

59.0

27.0

19.9

应用

电池管理

负荷管理

电池保护

订购信息

设备

CSD25310Q2

包

SON 2毫米×2毫米

塑料包装

媒体

7-Inch

REEL

数量

3000

船

磁带和

REEL

绝对最大额定值

= 25°C

英镑

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流（套餐限制）

连续漏电流

漏电流脉冲

(2)

功耗

(1)

描述

这个19.9毫欧，-20 V P沟道器件的设计

提供导通电阻和栅极电荷最低的

可能具有优良的热最小的轮廓

特点超低调。它的低

再加上超小体积电阻

在SON 2毫米×2毫米的塑料封装使

器件非常适用于电池供电的空间有限

操作。

顶视图

价值

–20

±8

–20

–9.6

2.9

-55到150

单位

°C

工作结存储

温度范围

(1) R

θJA

= 43 ℃/ 1平方英寸的Cu （2盎司）的0.060英寸厚的FR4 W

PCB 。

（2）脉冲持续时间10

μs,

占空比

≤

P0112-01

(

)

- 通态电阻（mΩ ）

DS （ ON）

VS V

- 栅极 - 源极电压（ V）

= 25 ° C，I

= 5A

≤ 125 ° C，I

= 5A

栅极电荷

4.5

3.5

2.5

1.5

0.5

1.5

2.5

3.5

- 栅极电荷（ NC）

4.5

G001

= 5A

= 10V

- 栅极 - 源极电压（V）

G001

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

的NexFET是a027317的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

电气特性

= 25℃ ，除非另有说明

参数

静态特性

DSS

GSS

GS （ TH）

漏极至源极电压

漏极至源极漏电流

栅极 - 源极漏电流

栅极 - 源极阈值电压

= 0 V，I

= –250

μA

= 0 V, V

= –16 V

= 0 V, V

= –8 V

= V

, I

= –250

μA

= -1.8 V，I

= –5 A

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

G（ TH ）

OSS

D（上）

D（关闭）

漏极至源极导通电阻

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

串联门极电阻

栅极电荷总数（ -4.5 V）

栅极电荷栅漏

栅极电荷门源

栅极电荷在V

输出充电

打开延迟时间

上升时间

关闭延迟时间

下降时间

二极管的正向电压

反向恢复电荷

反向恢复时间

= -5 A ，V

= 0 V

= -10 V，I

= -5 A ， di / dt的= 200 A / μs的

= –10 V, V

= -4.5 V，I

= –5 A

= 2

= –10 V, V

= 0 V

= -10 V，I

= –5 A

= 0 V, V

= -10 V ， F = 1兆赫

= -2.5 V，I

= –5 A

= -4.5 V，I

= –5 A

= -16 V，I

= –5 A

动态特性

504

281

16.7

1.9

3.6

0.5

1.1

0.6

5.0

–0.8

9.2

–1.0

4.7

655

365

21.7

–0.5

–0.8

59.0

27.0

19.9

–20

–1

–100

–1.1

89.0

32.5

23.9

μA

测试条件

民

TYP MAX

单位

二极管的特性

热特性

= 25 ° C除非另有说明）

参数

θJC

θJA

(1)

(2)

热阻结到外壳

(1)

热阻结到环境

(1) (2)

民

典型值

最大

4.5

单位

° C / W

θJC

与安装在一个1英寸的设备确定

(6.45-cm

）， 2盎司在1.5英寸× 1.5英寸（ 3.81厘米× （ 0.071毫米厚） Cu焊盘

3.81厘米）， 0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB 。

θJC

由设计规定，而

θJA

是通过用户的电路板的设计来确定。

设备安装在FR4材料1英寸

(6.45-cm

）， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。

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门

N通

来源

N通

门

来源

最大

θJA

= 55时，

装在1英寸

（ 6.45厘米

） 2盎司

（ 0.071毫米厚）的Cu 。

最大

θJA

= 215时，

安装在最小

的2盎司垫区域。

（ 0.071毫米厚）的Cu 。

漏

M0164-01

漏

M0164-02

典型MOSFET的特性

= 25 ° C除非另有说明）

图1.瞬态热阻抗

TEXT增加了间距

- 漏极 - 源极电流（A ）

- 漏极至源极电压（ V）

G001

TEXT增加了间距

- 漏极 - 源极电流（A ）

0.5

= 125°C

= 25°C

= 55°C

1.5

2.5

- 栅极 - 源极电压（ V）

3.5

G001

= 5V

= 4.5V

= 2.5V

= 1.8V

图2.饱和特性

图3.传输特性

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典型MOSFET的特性（续）

= 25 ° C除非另有说明）

TEXT增加了间距

- 栅极 - 源极电压（ V）

4.5

3.5

2.5

1.5

0.5

1.5

2.5

3.5

- 栅极电荷（ NC）

4.5

G001

TEXT增加了间距

10000

国际空间站

= C

+ C

OSS

= C

+ C

RSS

= C

- 电容（ NF）

1000

= 5A

= 10V

100

- 漏极至源极电压（ V）

G001

图4.栅极电荷

TEXT增加了间距

1.15

(

)

- 通态电阻（mΩ ）

= -250uA

(

)

- 阈值电压（ V）

1.05

0.95

0.85

0.75

0.65

0.55

0.45

图5.电容

TEXT增加了间距

= 25 ° C，I

= 5A

≤ 125 ° C，I

= 5A

125

- 外壳温度（ ° C）

175

G001

- 栅极 - 源极电压（V）

G001

图6.阈值电压与温度

TEXT增加了间距

1.6

归一化通态电阻

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

0.9

0.8

0.7

0.6

= 4.5V

= 2.5V

125

- 外壳温度（ ° C）

175

G001

图7.通态电阻与栅极至源极电压

TEXT增加了间距

100

- 源 - 漏极电流（A ）

= 25°C

= 125°C

= 5A

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.2

0.4

0.6

0.8

- 源极到漏极电压（V ）

G001

图8.归通态电阻与温度

图9.典型的二极管正向电压

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典型MOSFET的特性（续）

= 25 ° C除非另有说明）

TEXT增加了间距

1000

- 漏极 - - 源电流（A ）

- 漏极 - 源极电流（A ）

1ms

10ms

100

100ms

24.0

20.0

16.0

12.0

8.0

4.0

0.0

TEXT增加了间距

0.1

单脉冲

典型

ThetaJA

= 170℃ / W （分铜）

0.01

0.1

- 漏极至源极电压（ V）

G001

100 125

- 外壳温度（ ° C）

150

175

G001

图10.最大安全工作区

图11.最大漏极电流与温度

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