CSD25302Q2
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SLPS234A - 2009年11月 - 修订2010年10月
P通道NexFET功率MOSFET
1
特点
超Q
g
和Q
gd
低热阻
额定雪崩
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
SON 2毫米×2毫米的塑料包装
产品概述
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
漏源极电压
栅极电荷总数（ -4.5V ）
栅极电荷栅漏
–20
2.6
0.5
V
GS
= –1.8V
漏极至源极导通电阻
V
GS
= –2.5V
V
GS
= –4.5V
阈值电压
–0.65
71
56
39
V
nC
nC
m
m
m
V
应用
电池管理
负荷管理
电池保护
设备
CSD25302Q2
订购信息
包
SON 2毫米×2毫米
塑料包装
媒体
13-Inch
REEL
数量
3000
船
磁带和
REEL
描述
该设备被设计成提供最低
导通电阻和栅极电荷在最小的轮廓
可以用在一个优良的热特性
超低轮廓。低导通电阻再加上
超小体积和低姿态让
器件非常适用于电池供电的空间有限
应用程序。
顶视图
S
1
S
6
S
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,
T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流，T
C
= 25°C
连续漏电流
(1)
(2)
价值
–20
±8
–5
–5
–20
2.4
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
漏电流脉冲，T
A
= 25°C
功耗
工作结存储
温度范围
（ 1 ）包装有限公司
（ 2 ）脉冲持续时间为10μs ，占空比
≤2%
S
2
5
S
G
3
D
4
D
P0112-01
R
DS （ ON）
VS V
GS
150
R
DS （ ON）
- 导通状态电阻 - mΩ的
I
D
= 3A
V
GS
- 栅极电压 - V
6
5
4
3
2
1
栅极电荷
I
D
= 3A
V
DS
= 10V
125
100
75
50
25
T
C
= 25°C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
G006
T
C
= 125°C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
G003
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
1
Q
g
- 栅极电荷 - 数控
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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电气特性
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gd
Q
gs
QG （日）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏源极电压
漏极至源极漏
门源漏
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷总数（ -4.5V ）
栅极电荷 - 栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
DS
= -3.0A ，V
GS
= 0V
V
dd
= -13V ，我
F
= -3.0A ，的di / dt = 300A / MS
V
DS
= –10V, V
GS
= -4.5V ，我
DS
= -3.0A ，R
G
= 2
V
DS
= –13V, V
GS
= 0V
V
DS
= -10V ，我
DS
= –3.0A
V
GS
= 0V, V
DS
= -10V ， F = 1MHz的
V
GS
= 0V时，我
DS
= -250mA
V
GS
= 0V, V
DS
= –16V
V
DS
= 0V, V
GS
= ±8V
V
DS
= V
GS
, I
DS
= -250mA
V
GS
= -1.8V ，我
DS
= –3.0A
V
GS
= -2.5V ，我
DS
= –3.0A
V
GS
= -4.5V ，我
DS
= –3.0A
V
DS
= -10V ，我
DS
= –3.0A
动态特性
270
120
40
2.6
0.5
0.54
0.2
2.3
3.2
13.2
8.6
1.3
–0.8
2.5
8.8
–1.0
350
150
55
3.4
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
–0.5
–0.65
71
56
39
12.3
–20
–1
–100
–0.9
92
70
49
V
mA
nA
V
m
m
m
S
测试条件
民
TYP MAX
单位
二极管的特性
热特性
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
R
QJC
R
qJA
(1)
(2)
热阻结到外壳
(1)
热阻结到环境
(1) (2)
民
TYP MAX
8.6
66
单位
° C / W
° C / W
R
QJC
与安装在一个1英寸的设备确定
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司在1.5英寸× 1.5英寸（ 3.81厘米× （ 0.071毫米厚） Cu焊盘
3.81厘米） ， 0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB 。
QJC
由设计规定，而
qJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
设备安装在FR4材料1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。
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门
来源
门
来源
最大
qJA
= 66 ° C / W
当安装在
1英寸
2
（ 6.45厘米
2
）的
2盎司（ 0.071毫米厚）
铜。
最大
qJA
= 207 ° C / W
当安装在
最小焊盘面积
2盎司（ 0.071毫米厚）
铜。
漏
M0161-01
漏
M0161-02
典型MOSFET的特性
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
10
Z
θJA
- 归热阻抗
1
0.5
0.3
0.1
0.1
0.05
P
占空比= T
1
/t
2
0.01
0.02
0.01
单脉冲
t
1
t
2
典型
θJA
= 166 ℃/ W（分铜）
T
J
= P
×
Z
θJA
×
R
θJA
0.01
0.1
1
10
100
1k
G012
0.001
0.0001
0.001
t
P
- 脉冲宽度 - S
图1.瞬态热阻抗
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典型MOSFET的特性（续）
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
5.0
4.5
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
G001
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.5
0.7
0.9
1.1
T
C
= 55°C
1.3
1.5
G002
V
DS
= 5V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 2V
V
GS
= 1.8V
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
图2.饱和特性
图3.传输特性
6
0.4
I
D
= 3A
V
DS
= 10V
V
GS
- 栅极电压 - V
5
4
3
2
1
0
0.0
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
- 电容 - nF的
0.3
C
OSS
= C
DS
+ C
GD
0.2
C
国际空间站
= C
GD
+ C
GS
0.1
C
RSS
= C
GD
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
G003
0
5
10
15
20
G004
Q
g
- 栅极电荷 - 数控
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
图4.栅极电荷
图5.电容
0.9
V
GS （ TH）
- 阈值电压 - V
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
75
25
25
75
125
175
G005
150
I
D
= 250A
R
DS （ ON）
- 导通状态电阻 - mΩ的
I
D
= 3A
125
100
75
50
25
T
C
= 25°C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
G006
T
C
= 125°C
T
C
- 外壳温度 -
°C
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
图6.阈值电压随温度的变化
图7.导通电阻与栅极至源极电压
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典型MOSFET的特性（续）
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
75
25
25
75
125
175
G007
10
I
SD
- 源极到漏极电流 - 一个
I
D
= 3A
V
GS
= 4.5V
归一化通态电阻
1
0.1
T
C
= 125°C
0.01
T
C
= 25°C
0.001
0.0001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
G008
T
C
- 外壳温度 -
°C
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
图8.归通态电阻与温度
图9.典型的二极管正向电压
100
6
5
I
D
- 漏电流 - 一个
10
1ms
I
D
- 漏电流 - 一个
4
3
2
1
1
区有限公司
由R
DS （ ON）
单脉冲
典型
θJA
= 166 ℃/ W（分铜）
0.1
1
V
D
- 漏极电压 - V
10
10ms
100ms
1s
DC
0.1
0.01
0.01
100
G009
0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
G011
T
C
- 外壳温度 -
°C
图10.最大安全工作区
图11.最大漏极电流与温度的关系
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