CSD25213W10
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SLPS443 - 2013年6月
P通道NexFET功率MOSFET
检查样品：
CSD25213W10
1
特点
超低的Qg和Qgd特性
小尺寸1毫米× 1毫米
低调0.62毫米高度
无铅
栅源电压钳
门ESD保护
符合RoHS
无卤
产品概述
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
漏源极电压
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
漏极至源极导
阻力
阈值电压
–20
2.2
0.14
V
GS
= –2.5V
V
GS
= –4.5V
–0.85
54
39
V
nC
nC
m
m
V
订购信息
设备
CSD25213W10
包
1 × 1的晶圆级
包
媒体
7英寸的卷轴
数量
3000
船
磁带和
REEL
应用
电池管理
负荷开关
电池保护
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
G
P
D
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流，
T
A
= 25°C
(1)
漏电流脉冲，T
A
= 25°C
(2)
连续栅钳位电流
功耗
(1)
(3)
价值
–20
–6.0
-1.6
-16
-5
1
-55到150
单位
V
V
A
A
mA
W
°C
描述
该设备被设计成提供最低
导通电阻和栅极电荷在最小的轮廓
可以用在一个优良的热特性
超低轮廓。
顶视图
工作结存储
温度范围
G
R
C
R
G
S
S
R
DS （ ON）
VS V
GS
(1) R
θJA
在1英寸= 75 ° C / W
2
铜（2盎司）对0.060"厚的FR4 PCB 。
（2 ）脉冲宽度
≤300μs,
占空比
≤2%
（ 3 ）通过栅极电阻的限制。
D
100
R
DS
(
on
)
- 通态电阻（mΩ ）
90
80
70
60
50
40
30
20
0
1
栅极电荷
4.5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
C
= 25 ℃， n = -1A
T
C
= 125℃ n = -1A
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8 1 1.2 1.4 1.6
Q
g
- 栅极电荷（ NC）
1.8
2
2.2
G001
I
D
= 1A
V
DS
=10V
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（V）
6
G001
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
BV
GSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
R
C
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏源极电压
门源电压;
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
系列钳电阻
栅极电荷总数（ -4.5V ）
栅极电荷栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
S
= -1A ，V
GS
= 0V
V
DS
= -10V ，我
F
= –1A,
的di / dt = 200A / μs的
V
DS
= -10V ，我
F
= –1A,
的di / dt = 200A / μs的
V
DS
= –10V, V
GS
= -2.5V ，我
D
= –1A
R
G
= 10
V
DS
= –10V, V
GS
= 0V
V
DS
= -10V ，我
D
= –1A
V
GS
= 0V, V
DS
= -10V ， F = 10kHz的
V
GS
= 0V时，我
D
= –250μA
V
DS
= 0V时，我
G
= –250μA
V
GS
= 0V, V
DS
= –10V
V
DS
= 0V, V
GS
= –6V
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250μA
V
GS
= -2.5V ，我
D
= –1A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= –1A
V
DS
= -10V ，我
D
= –1A
–0.60
–0.85
54
39
6.2
368
148
7.8
20
5000
2.2
0.14
0.74
0.43
2.5
510
520
1000
970
–0.77
4.0
11
–1
2.9
478
192
10.1
–20
–6.0
–1
–100
–1.10
67
47
V
V
μA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
Ω
Ω
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态特性
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
θJA
结到环境的热阻
结到环境的热阻
(1)
(2)
民
典型值
75
265
最大
单位
° C / W
° C / W
(1)
(2)
设备安装在FR4材料1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。
设备安装在FR4材料与铜最低安装面积。
2
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
75
I
SD
- 源 - 漏极电流（A ）
归一化通态电阻
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 1A
10
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
1
TEXT增加了间距
0.1
0.01
0.001
25
25
75
125
T
C
- 外壳温度（ ° C）
175
G001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
1
G001
图8.归通态电阻与温度
TEXT增加了间距
1000
I
AV
- 峰值雪崩电流（ A）
I
DS
- 漏极 - 源极电流（A ）
1ms
10ms
100
100ms
1s
DC
100
图9.典型的二极管正向电压
TEXT增加了间距
T
C
= 25C
T
C
= 125C
10
10
1
0.1
单脉冲
典型
ThetaJA
= 265C / W （分铜）
0.01
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
50
G001
1
0.01
0.1
T
AV
- 在雪崩时间（ms ）
1
G001
图10.最大安全工作区
图11.单脉冲松开电感开关
TEXT增加了间距
2.0
I
DS
- 漏极 - - 源电流（A ）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
50
典型
ThetaJA
= 75℃ / W （最大铜）
25
0
25
50
75
100 125
T
A
- AmbientTemperature （ C ）
150
175
G001
图12.最大漏极电流与温度的关系
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