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CSD25211W1015

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SLPS296

–

2012年2月

P通道NexFET功率MOSFET

检查样品：

CSD25211W1015

1

特点

超低导通电阻

超低的Qg和Qgd特性

小尺寸1.0毫米X 1.5毫米

低调0.62毫米高度

无铅

栅源电压钳

门ESD保护 - 3KV

符合RoHS

无卤

产品概述

T

A

= 25 ° C除非另有说明

V

DS

Q

g

Q

gd

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

漏源极电压

栅极电荷总数（ -4.5V ）

栅极电荷栅漏

漏极至源极导通电阻

电压阈值

典型的价值

-20

3.4

0.2

V

GS

= -2.5V

V

GS

= -4.5V

-0.8

36

27

单位

V

nC

nC

m

m

V

订购信息

设备

CSD25211W1015

包

1

×

1.5晶片

级封装

媒体

7英寸的卷轴

数量

3000

船

磁带和

REEL

应用

电池管理

负荷开关

电池保护

绝对最大额定值

T

A

= 25 ° C除非另有说明

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

I

G

P

D

T

英镑

T

J

漏源极电压

栅极至源极电压

连续漏电流，T

A

= 25°C

漏电流脉冲，T

A

= 25°C

漏电流脉冲

功耗

(1)

(2)

(1)

价值

-20

-6

-3.2

-9.5

-0.5

-7

1

–55

150

单位

V

V

A

A

A

A

W

°C

描述

该设备被设计成提供最低

导通电阻和栅极电荷在最小的轮廓

可以用在一个优良的热特性

超低轮廓。

顶视图

连续漏电流，T

A

= 25°C

存储温度范围

工作结温范围

（ 1 ）典型

θJA

1英寸= 119 ° C / W

2

的2盎司铜对0.06"厚

FR4 PCB 。

（2 ）脉冲宽度

≤10s,

占空比

≤2%

R

DS （ ON）

VS V

GS

100

R

DS

(

on

)

- 导通状态电阻 - mΩ的

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

0

T

C

= 25°C

T

C

= 125C

1

2

3

4

5

6

G001

栅极电荷

6

I

D

= 1.5A

5

4

3

2

1

0

I

D

= 1.5A

V

DD

= 10V

0

2

Q

g

- 栅极电荷 - 数控（ NC ）

4

G001

V

GS

- 栅极 - 源极电压 - V

1

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

版权

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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

静态特性

BV

DSS

BV

GSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

g

Q

gd

Q

gs

Q

G（ TH ）

Q

OSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

Q

rr

t

rr

漏源极电压

栅极至源极电压

漏极至源极漏电流

门源漏电流

门源阈值电压

漏极至源极导通电阻

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电荷总数（ -4.5V ）

栅极电荷栅漏

栅极电荷门源

栅极电荷在Vth的

输出充电

打开延迟时间

上升时间

关闭延迟时间

下降时间

二极管的正向电压

反向恢复电荷

反向恢复时间

I

S

= -1.5A ，V

GS

= 0V

V

dd

= -10V ，我

F

= -1.5A ，的di / dt = 200A / μs的

V

DS

= -10V, V

GS

= -4.5V ，我

D

= -1.5A

R

G

= 4

V

DS

= -10V, V

GS

= 0V

V

DS

= -10V ，我

D

= -1.5A

V

GS

= 0V, V

DS

= -10V ， F = 1MHz的

V

GS

= 0V时，我

D

= -250μA

V

DS

= 0V时，我

G

= -250μA

V

GS

= 0V, V

DS

= -16V

V

DS

= 0V, V

GS

= -6V

V

DS

= V

GS

, I

D

= -250μA

V

GS

= -2.5V ，我

D

= -1.5A

V

GS

= -4.5V ，我

D

= -1.5A

V

DS

= -10V ，我

D

=-1.5A

-0.5

-0.8

36

27

12

475

234

10.5

3.4

0.2

1.1

0.6

3.8

13.6

8.8

36.9

14.2

-0.8

6.9

11.6

-1

570

281

13.1

4.1

-20

-6.1

-7.2

-1

-100

-1.1

44

33

V

V

μA

nA

V

m

m

S

pF

pF

pF

nC

nC

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

V

nC

ns

测试条件

民

典型值

最大

单位

动态特性

二极管的特性

热特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

R

θJA

热阻结到环境（最小面积铜）

热阻结到环境（ 1铜区）

2

民

典型值

最大

230

149

单位

° C / W

° C / W

2

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–

2012年2月

为0x1 。 CSP TTA MAX修订版1

5

P-陈1 。

为0x1 。 CSP TTA MIN修订版1

5

P-陈1 。

最大

θJA

= 149 ° C / W

安装在1时

寸

2

的2盎司铜。

最大

θJA

= 230 ° C / W

当安装在

2最小焊盘面积

盎司铜。

M0155-01

M0156-01

典型MOSFET的特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

图1.瞬态热阻抗

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–

2012年2月

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典型MOSFET的特性（续）

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

18

I

DS

- 漏极 - 源极电流 - 一个

I

DS

- 漏极 - 源极电流 - 一个

20

10

V

DS

= 5V

1

10

0.1

V

GS

=5.0V

V

GS

=4.5V

V

GS

=4.0V

V

GS

=2.5V

V

GS

=2.0V

0

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1

G001

0.01

T

C

= 125°C

T

C

= 25°C

T

C

= 55°C

0

0.5

1

1.5

2

2.5

G001

0.001

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

V

GS

- 栅极 - 源极电压 - V

图2.饱和特性

图3.传输特性

6

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

5

4

3

2

1

0

I

D

= 1.5A

V

DD

= 10V

- 电容 - nF的

0.5

0.4

0.3

0.2

C

国际空间站

= C

gd

+ C

gs

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

C

RSS

= C

gd

0.1

0

2

Q

g

- 栅极电荷 - 数控（ NC ）

4

G001

0

5

10

15

20

G001

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

图4.栅极电荷

图5.电容

1.5

R

DS

(

on

)

- 导通状态电阻 - mΩ的

I

D

= 250A

V

GS

(

th

)

- 阈值电压 - V

1.2

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

0

T

C

= 25°C

T

C

= 125C

1

2

3

4

5

6

G001

I

D

= 1.5A

0.9

0.6

0.3

0

75

25

25

75

125

175

G001

T

C

- 外壳温度 - 摄氏度

V

GS

- 栅极 - 源极电压 - V

图6.阈值电压随温度的变化

图7.导通电阻与栅极电压

4

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–

2012年2月

典型MOSFET的特性（续）

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

1.4

I

SD

- 源 - 漏电流 - 一个

归一化通态电阻

I

D

= 1.5A

V

GS

= 4.5V

1.2

10

T

C

= 25°C

T

C

= 125°C

1

0.1

1

0.01

0.8

0.001

0.6

75

25

25

75

125

175

G001

0.0001

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

G001

T

C

- 外壳温度 - 摄氏度

V

SD

- 源极到漏极电压 - V

图8.归通电阻与温度的关系

图9.典型的二极管正向电压

区有限公司

BY RDS （ ON）

1

0.1

1ms

10ms

100ms

1s

DC

单脉冲

典型

ThetaJA

= 184C / W （分铜）

I

(

AV

)

- 峰值雪崩电流 - 一个

15

10

I

DS

- 漏极 - 源极电流 - 一个

50

T

C

= 125°C

T

C

= 25°C

10

0.02

0.01

0.1

1

10

25

G001

5

0.01

0.1

t

(

AV

)

- 时间在雪崩 - 质谱

1

G001

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

图10.最大安全工作区

4.0

I

DS

- 漏极 - - 源电流 - 一个

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

50

25

0

25

50

75

图11.单脉冲松开电感开关

100

125

150

175

G001

T

C

- 外壳温度 - 摄氏度

图12.最大漏极电流与温度的关系

版权

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电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人：杨泽鹏

地址：深圳市福田区汉国中心55楼

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22+

3000

原装原厂公司现货

深圳市芯福林电子科技有限公司

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联系人：张女士

地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B

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TI

1948

18708

DSBGA6

只做原装实单申请

深圳市川蓝电子科技有限公司

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电话：0755-82522939

联系人：彭小姐

地址：广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020

CSD25211W1015

TI

18648

1948

原包装原标现货，假一罚十，

0.1

瀚佳科技（深圳）有限公司

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电话：0755-23140719/23915992

联系人：李先生李小姐

地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室

CSD25211W1015

TI

24+

68500

DSBGA6

一级代理/放心采购

北京元坤国际科技有限公司

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联系人：何小姐

地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

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TI/德州仪器

21+

16800

DSBGA6

全新原装正品/质量有保证

深圳市诚达吉电子有限公司

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电话：0755-82716764

联系人：张生

地址：福田区华强北上步工业区 501栋812

CSD25211W1015

186

22+

原装正品，特价销售

深圳市芯珵科技有限公司

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电话：13316817713

联系人：张先生

地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6楼

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TI

24+

9850

DSBGA-6

进口原装正品现货

深圳市徕派德电子有限公司

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电话：0755-82723916/82731800

联系人：朱小姐

地址：深圳市福田区华发北路华发大厦517A-C

CSD25211W1015

TI

24+

18648

DSBGA6

只做原装正品

深圳信泰电子器材有限公司

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TI

24+

6400

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