CSD25201W15
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SLPS269A
–
2010年6月
–
修订后的2011年7月
P通道NexFET功率MOSFET
检查样品：
CSD25201W15
1
特点
低电阻
小尺寸1.5毫米
×
1.5-mm
门ESD保护
–3kV
无铅
符合RoHS
无卤
栅源电压钳
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
产品概述
排水地漏电压
栅极电荷总数（ -4.5V ）
栅极电荷栅漏
–20
4.3
0.7
V
GS
=
–1.8V
漏极至源极导通电阻
V
GS
=
–2.5V
V
GS
=
–4.5V
阈值电压
–0.7
52
42
33
V
nC
nC
m
m
m
V
应用
电池管理
电池保护
设备
CSD25201W15
TEXT增加了间距
订购信息
包
1.5-mm
×
1.5-mm
晶圆级封装
媒体
7-Inch
REEL
数量
3000
船
磁带和
REEL
描述
该设备被设计成提供最低
导通电阻和栅极电荷在最小的轮廓
可以用在一个优良的热特性
超低轮廓。低导通电阻再加上
小尺寸和低姿态使该器件非常适用
对于电池供电的空间受限的应用。
顶视图
针A1指标
TEXT增加了间距
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
DS
V
GS
I
D
I
G
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流
漏电流脉冲
(1)(2)
(1)(2)
(1)(2)
价值
–20
–6
4
4
0.5
7
1.5
–55
150
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
符号
来源
连续栅极电流
脉冲栅电流
(1)(2)
功耗
(1)
G
D
S
门
P
D
T
J
,
T
英镑
D
D
S
工作结存储
温度范围
D
S
S
漏
P0117-01
（ 1 ）根据闵促足迹
（ 2 ）球限制
R
DS （ ON）
VS V
GS
100
R
DS （ ON）
- 导通状态电阻 - mΩ的
-V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
-V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
5
6
G006
栅极电荷
4.5
I
D
= -2A
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Q
g
- 栅极电荷 - 数控
3.5
4
4.5
G003
I
D
= -2A
V
DS
= -10V
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权
2010-2011年，德州仪器
CSD25201W15
SLPS269A
–
2010年6月
–
修订后的2011年7月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
BV
GSS
I
DDS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
(1)
(2)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
(1)
测试条件
V
GS
= 0V时，我
DS
=
–250μA
V
DS
= 0V时，我
G
=
–250μA
V
GS
= 0V, V
DS
=
–16V
V
DS
= 0V, V
GS
=
–6V
V
DS
= V
GS
, I
DS
=
–250μA
V
GS
=
–1.8V,
I
DS
=
–2A
V
GS
=
–2.5V,
I
DS
=
–2A
V
GS
=
–4.5V,
I
DS
=
–2A
V
DS
=
–10V,
I
DS
=
–2A
民
–20
–6.1
典型值
最大
单位
V
–7.2
–1
–100
V
μA
nA
V
m
m
m
S
–0.4
–0.7
52
42
33
12
490
–1.1
70
50
40
动态特性
640
280
91
35
5.6
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
1
V
nC
ns
V
GS
= 0V, V
DS
=
–10V,
F = 1MHz的
215
70
26
4.3
V
DS
=
–10V,
I
O
=
–2A
V
DS
=
–9.5V,
V
GS
= 0V
V
DS
=
–10V,
V
GS
=
–4.5V,
I
DS
=
–2A,
R
G
= 2
0.7
1
0.3
3.1
9.5
11
51
38
I
DS
=
–2A,
V
GS
= 0V
V
DD
=
–9.5V,
I
F
=
–2A,
的di / dt = 200A / μs的
0.7
5.7
10
栅极电荷总数（ -4.5V ）
栅极电荷 - 栅漏
栅极电荷 - 门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
(2)
上升时间
下降时间
(2)
关闭延迟时间
(2)
(2)
二极管的特性
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
包括：栅极钳位电阻
外部R
G
是除内部栅极钳位电阻
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
θJA
(1)
(2)
结到环境的热阻
(1)
结到环境的热阻
(2)
民
典型值
最大
283
185
单位
° C / W
° C / W
设备安装在FR4材料与铜最低安装面积。
设备安装在FR4材料1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。
2
版权
2010-2011年，德州仪器
QQ：2880707522 复制
