CSD22202W15
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SLPS431 - 2013年6月
P通道NexFET功率MOSFET
检查样品：
CSD22202W15
1
特点
低电阻
小尺寸1.5毫米× 1.5毫米
无铅
门ESD保护
符合RoHS
无卤
栅源电压钳
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
产品概述
排水地漏电压
栅极电荷总数（ -4.5V ）
栅极电荷栅漏
漏极至源极导通电阻
阈值电压
–8
6.5
1.0
V
GS
= –2.5V
V
GS
= –4.5V
–0.8
14.5
10.2
V
nC
nC
m
m
V
.
订购信息
设备
CSD22202W15
包
1.5-mm × 1.5-mm
晶片BGA封装
媒体
7-Inch
REEL
数量
3000
船
磁带和
REEL
应用
电池管理
电池保护
负载开关应用
.
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
DS
V
GS
I
D
I
G
P
D
T
J
,
T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流
(1)
（硅
Limitted ）
漏电流脉冲
(2)
连续栅极电流
功耗
(1)
(3)
描述
该设备被设计成提供最低
导通电阻和栅极电荷在最小的轮廓
可以用在一个优良的热特性
超低轮廓。低导通电阻再加上
小尺寸和低姿态使该器件非常适用
对于电池供电的空间受限的应用。
顶视图和电路配置
价值
–8
–6.0
-10
-48
-0.5
1.5
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
工作结存储
温度范围
来源
G
S
S
(1) R
θJA
在1英寸= 75 ° C / W
2
铜（2盎司）对0.060"厚的FR4 PCB 。
（2 ）脉冲宽度
≤300μs,
占空比
≤2%
（ 3 ）通过栅极电阻的限制。
S
S
S
门
D
D
D
漏
R
DS （ ON）
VS V
GS
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
C
= 25 ℃， n = -2A
T
C
= 125℃ n = -2A
栅极电荷
5
I
D
= 2A
V
DS
=4V
4
30
R
DS
(
on
)
- 通态电阻（mΩ ）
27
24
21
18
15
12
9
6
3
0
0
1
3
2
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（V）
6
G001
0
0
1
2
3
4
5
Q
g
- 栅极电荷（ NC）
6
7
8
G001
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2013年，德州仪器
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SLPS431 - 2013年6月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
BV
GSS
I
DDS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏源极电压
栅极至源极电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ -4.5V ）
栅极电荷 - 栅漏
栅极电荷 - 门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
DS
= -2A ，V
GS
= 0V
V
DS
= -4V ，我
F
= –2A,
的di / dt = 200A / μs的
V
DS
= –4V, V
GS
= –4.5V,
I
DS
= -2A ，R
G
= 10
V
DS
= –4V, V
GS
= 0V
V
DS
= –4V,
I
D
= –2A
V
GS
= 0V, V
DS
= –4V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0V时，我
DS
= –250μA
V
DS
= 0V时，我
G
= –250μA
V
GS
= 0V, V
DS
= –4V
V
DS
= 0V, V
GS
= –4V
V
DS
= V
GS
, I
DS
= –250μA
V
GS
= -2.5V ，我
DS
= –2A
V
GS
= -4.5V ，我
DS
= –2A
V
DS
= -4V ，我
DS
= –2A
-0.6
–0.8
14.5
10.2
15.3
1060
588
192
28
6.5
1.0
1.6
0.8
2.7
10.4
8.4
109
38
-0.75
22
19
-1
8.4
1390
765
250
–8
–6.0
–1
–100
-1.1
17.4
12.2
V
V
μA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态特性
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
θJA
结到环境的热阻
(1)
典型值
75
210
单位
° C / W
° C / W
结到环境的热阻
(2)
(1)
(2)
设备安装在FR4材料1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。
设备安装在FR4材料与铜最低安装面积。
2
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