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CSD19536KCS

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SLPS485 - 2014年1月

CSD19536KCS ， 100伏N通道NexFET 功率MOSFET

检查样品：

CSD19536KCS

特点

超低Q

和Q

低热阻

额定雪崩

无铅端子电镀

符合RoHS

无卤

TO- 220塑料包装

产品概述

= 25°C

DS （ ON）

GS （ TH）

漏极至源极电压

栅极电荷总数（ 10 V ）

栅极电荷栅漏

漏极至源极导通电阻

阈值电压

典型的价值

100

118

= 6 V

= 10 V

2.5

2.3

单位

应用

次级侧同步整流器

电机控制

设备

CSD19536KCS

订购信息

包

TO- 220塑料

包

媒体

管

数量

船

管

描述

这100 V， 2.3 mΩ的TO- 220 NexFET功率

MOSFET的设计，以尽量减少功率损耗

转换应用。

引脚输出图纸

= 25°C

绝对最大额定值

价值

100

±20

150

259

183

224

375

-55至175

806

°C

单位

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流（包装有限公司）

连续漏电流（硅有限公司），

= 25°C

连续漏电流（硅有限公司），

= 100°C

英镑

漏电流脉冲

(1)

功耗

工作结存储

温度范围

雪崩能量，单脉冲

= 127 ， L = 0.1 mH的，R

= 25

漏极（引脚2 ）

门

（引脚1）

（1）脉冲持续时间

≤

300

μs,

占空比

≤

源（引脚3 ）

(

)

- 通态电阻（mΩ ）

- 栅极 - 源极电压（V）

G001

DS （ ON）

VS V

- 栅极 - 源极电压（ V）

= 25 ° C，I

= 100A

≤ 125 ° C，I

= 100A

栅极电荷

40 50 60 70 80 90 100 110 120

- 栅极电荷（ NC）

G001

= 100A

= 50V

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

的NexFET是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

参数

静态特性

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

G（ TH ）

OSS

D（上）

D（关闭）

漏极至源极电压

漏极至源极漏电流

栅极 - 源极漏电流

栅极 - 源极阈值电压

漏极至源极导通电阻

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

串联门极电阻

栅极电荷总数（ 10 V ）

栅极电荷栅漏

栅极电荷门源

栅极电荷在V

输出充电

打开延迟时间

上升时间

关闭延迟时间

下降时间

二极管的正向电压

反向恢复电荷

反向恢复时间

= 100 A，V

= 0 V

= 50 V，I

= 100 A,

的di / dt = 300 A / μs的

= 50 V, V

= 10 V,

= 100 A，R

= 0

= 50 V, V

= 0 V

= 50 V，I

= 100 A

= 0 V, V

= 50 V ， F = 1兆赫

= 0 V，I

= 250

μA

= 0 V, V

= 80 V

= 0 V, V

= 20 V

= V

, I

= 250

μA

= 6 V，I

= 100 A

= 10 V，I

= 100 A

= 10 V，I

= 100 A

2.1

2.5

2.3

307

9250

1820

1.4

118

335

0.9

548

110

1.1

12000

2370

2.8

153

100

3.2

2.7

μA

测试条件

民

典型值

最大

单位

动态特性

二极管的特性

热特性

= 25 ° C除非另有说明）

参数

θJC

θJA

热阻结到外壳

热阻结到环境

民

典型值

最大

0.4

单位

° C / W

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典型MOSFET的特性

= 25 ° C除非另有说明）

图1.瞬态热阻抗

TEXT增加了间距

200

- 漏极 - 源极电流（A ）

180

160

140

120

100

0.1

=10V

=8V

=6V

0.2

0.3

0.4

0.5

- 漏极至源极电压（ V）

0.6

G001

TEXT增加了间距

200

180

160

140

120

100

- 栅极 - 源极电压（ V）

= 125°C

= 25°C

= 55°C

G001

= 5V

图2.饱和特性

图3.传输特性

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典型MOSFET的特性（续）

= 25 ° C除非另有说明）

TEXT增加了间距

- 栅极 - 源极电压（ V）

40 50 60 70 80 90 100 110 120

- 栅极电荷（ NC）

G001

= 100A

= 50V

- 电容（pF ）

10000

100000

TEXT增加了间距

1000

100

国际空间站

= C

+ C

OSS

= C

+ C

RSS

= C

- 漏极至源极电压（ V）

100

G001

图4.栅极电荷

TEXT增加了间距

3.1

(

)

- 阈值电压（ V）

2.9

2.7

2.5

2.3

2.1

1.9

1.7

1.5

1.3

1.1

75 50 25

25 50 75 100 125 150 175 200

- 外壳温度（ ° C）

G001

(

)

- 通态电阻（mΩ ）

= 250uA

图5.电容

TEXT增加了间距

= 25 ° C，I

= 100A

≤ 125 ° C，I

= 100A

- 栅极 - 源极电压（V）

G001

图6.阈值电压与温度

TEXT增加了间距

2.4

- 源 - 漏极电流（A ）

归一化通态电阻

2.2

1.8

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

0.4

75 50 25

= 100A

25 50 75 100 125 150 175 200

- 外壳温度（ ° C）

G001

= 6V

= 10V

图7.通态电阻与栅极至源极电压

TEXT增加了间距

100

0.1

0.01

0.001

= 25°C

= 125°C

0.0001

0.2

0.4

0.6

0.8

- 源极到漏极电压（V ）

G001

图8.归通态电阻与温度

图9.典型的二极管正向电压

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典型MOSFET的特性（续）

= 25 ° C除非另有说明）

TEXT增加了间距

5000

1000

- 峰值雪崩电流（ A）

- 漏极 - 源极电流（A ）

10us

100us

1ms

10ms

1000

= 25C

= 125C

TEXT增加了间距

100

单脉冲

最大

ThetaJC

= 0.4C / W

0.1

100

- 漏极至源极电压（ V）

1000

G001

0.01

0.1

- 在雪崩时间（ms ）

G001

图10.最大安全工作区

图11.单脉冲松开电感开关

TEXT增加了间距

175

- 漏极 - - 源电流（A ）

150

125

100

50 25

75 100 125 150 175 200

- 外壳温度（ ° C）

G001

图12.最大漏极电流与温度

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