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CSD19531KCS
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SLPS407 - 2013年9月
100V N通道NexFET 功率MOSFET
检查样品：
CSD19531KCS
1
特点
超低的Qg和Qgd特性
低热阻
额定雪崩
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
TO- 220塑料包装
产品概述
T
A
= 25°C
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
漏源极电压
栅极电荷总数（ 10V ）
栅极电荷栅漏
漏极至源极导通电阻
阈值电压
典型的价值
100
37
7.5
V
GS
= 6V
V
GS
= 10V
2.7
7.3
6.4
单位
V
nC
nC
m
m
V
2
应用
次级侧同步整流器
热插拔电信
电机控制
设备
CSD19531KCS
订购信息
包
TO- 220塑料
包
媒体
管
数量
50
船
管
描述
这100V ， 6.4mΩ ， TO- 220 NexFET功率
MOSFET的设计，以减少损失
电源转换应用。
引脚输出图纸
绝对最大额定值
T
A
= 25°C
V
DS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流（包装有限公司） ，
T
C
= 25°C
I
D
连续漏电流（硅有限公司） ，
T
C
= 25°C
连续漏电流（硅有限公司） ，
T
C
= 100°C
I
DM
P
D
T
J
,
T
英镑
E
AS
漏电流脉冲
(1)
功耗
工作结存储
温度范围
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 60A ，L = 0.1mH ，R
G
= 25
价值
100
±20
100
105
67
122
179
-55到150
180
A
W
°C
mJ
A
单位
V
V
漏极（引脚2 ）
门
（引脚1）
（1）脉冲持续时间
≤300μs,
占空比
≤1%
源（引脚3 ）
20
R
DS
(
on
)
- 通态电阻（mΩ ）
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
GS
- 栅极 - 源极电压（V）
18
20
G001
R
DS （ ON）
VS V
GS
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
C
= 25 ° C，I
D
= 60A
T
C
≤ 125 ° C，I
D
= 60A
栅极电荷
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
4
8
12
16
20
24
28
Q
g
- 栅极电荷（ NC）
32
36
40
G001
I
D
= 60A
V
DS
= 50V
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
版权所有 2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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SLPS407 - 2013年9月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏源极电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ 10V ）
栅极电荷栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
SD
= 60A ，V
GS
= 0V
V
DS
= 50V ，我
F
= 60A,
的di / dt = 300A / μs的
V
DS
= 50V, V
GS
= 10V,
I
DS
= 60A ，R
G
= 0
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
V
DS
= 50V ，我
D
= 60A
V
GS
= 0V, V
DS
= 50V ， F = 1MHz的
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V
V
DS
= 0V, V
GS
= 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 6V ，我
D
= 60A
V
GS
= 10V ，我
D
= 60A
V
DS
= 10V ，我
D
= 60A
2.2
2.7
7.3
6.4
137
2980
560
13
1.3
38
7.5
11.9
7.3
98
8.4
7.2
16
4.1
0.9
270
83
1
3870
728
17
2.6
100
1
100
3.3
8.8
7.7
V
μA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态特性
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
θJC
R
θJA
热阻结到外壳
热阻结到环境
民
典型值
最大
0.7
62
单位
° C / W
° C / W
2
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版权所有 2013年，德州仪器
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SLPS407 - 2013年9月
典型MOSFET的特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图1.瞬态热阻抗
TEXT增加了间距
200
I
DS
- 漏极 - 源极电流（A ）
I
DS
- 漏极 - 源极电流（A ）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
V
GS
=10V
V
GS
=8V
V
GS
=6V
0.4
0.8
1.2
1.6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
2
G001
TEXT增加了间距
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 55°C
7
8
G001
V
DS
= 5V
图2.饱和特性
图3.传输特性
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3
CSD19531KCS
SLPS407 - 2013年9月
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
4
8
12
16
20
24
28
Q
g
- 栅极电荷（ NC）
32
36
40
G001
TEXT增加了间距
100000
C
国际空间站
= C
gd
+ C
gs
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
I
D
= 60A
V
DS
= 50V
- 电容（pF ）
10000
1000
100
10
1
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
90
100
G001
图4.栅极电荷
TEXT增加了间距
3.3
R
DS
(
on
)
- 通态电阻（mΩ ）
V
GS
(
th
)
- 阈值电压（ V）
3.1
2.9
2.7
2.5
2.3
2.1
1.9
1.7
1.5
75
25
25
75
125
T
C
- 外壳温度（ ° C）
175
G001
图5.电容
TEXT增加了间距
20
I
D
= 250uA
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
GS
- 栅极 - 源极电压（V）
18
20
G001
T
C
= 25 ° C，I
D
= 60A
T
C
≤ 125 ° C，I
D
= 60A
图6.阈值电压随温度的变化
TEXT增加了间距
2.2
I
SD
- 源 - 漏极电流（A ）
归一化通态电阻
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
75
25
25
75
125
T
C
- 外壳温度（ ° C）
I
D
=60A
175
G001
图7.导通电阻与栅极至源极电压
TEXT增加了间距
100
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
V
GS
= 6V
V
GS
= 10V
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
1
G001
图8.归通态电阻与温度
图9.典型的二极管正向电压
4
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
5000
1000
100
10
1
0.1
I
AV
- 峰值雪崩电流（ A）
I
DS
- 漏极 - 源极电流（A ）
1ms
10ms
100ms
1s
DC
100
T
C
= 25C
T
C
= 125C
TEXT增加了间距
单脉冲
典型
ThetaJA
= 50℃ / W的
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
1000
G001
0.01
0.01
10
0.01
0.1
T
AV
- 在雪崩时间（ms ）
1
G001
图10.最大安全工作区
图11.单脉冲松开电感开关
TEXT增加了间距
120
I
DS
- 漏极 - - 源电流（A ）
100
80
60
40
20
0
50
25
0
25
50
75
100 125
T
C
- 外壳温度（ ° C）
150
175
G001
图12.最大漏极电流与温度的关系
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CB1ZSA5615533290653
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CAT1024YI-25-GT2
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