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CSD19505KCS
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SLPS480 - 2014年1月
CSD19505KCS ,80V N通道NexFET 功率MOSFET
检查样品:
CSD19505KCS
1
特点
超低Q
g
和Q
gd
低热阻
额定雪崩
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
TO- 220塑料包装
产品概述
T
A
= 25°C
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
漏极至源极电压
栅极电荷总数( 10 V )
栅极电荷栅漏
漏极至源极导通电阻
阈值电压
典型的价值
80
76
11
V
GS
= 6 V
V
GS
= 10 V
2.6
2.9
2.6
单位
V
nC
nC
m
m
V
2
应用
次级侧同步整流器
电机控制
设备
CSD19505KCS
订购信息
TO- 220塑料
媒体
数量
50
描述
这80 V, 2.6 mΩ的TO- 220 NexFET功率
MOSFET的设计,以尽量减少功率损耗
转换应用。
引脚排列图纸
T
A
= 25°C
V
DS
V
GS
绝对最大额定值
价值
80
±20
150
208
147
201
300
-55至175
510
A
W
°C
mJ
A
单位
V
V
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流(包装有限公司)
I
D
连续漏电流(硅有限公司) ,
T
C
= 25°C
连续漏电流(硅有限公司) ,
T
C
= 100°C
I
DM
P
D
T
J
,
T
英镑
E
AS
漏电流脉冲
(1)
功耗
工作结
存储温度范围
雪崩能量,单脉冲
I
D
= 101 A,L = 0.1 mH的,R
G
= 25
漏极(引脚2 )
(引脚1)
(1)脉冲持续时间
300
μs,
占空比
1%
源(引脚3 )
10
R
DS
(
on
)
- 通态电阻(mΩ )
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
GS
- 栅极 - 源极电压(V)
18
20
G001
R
DS ( ON)
VS V
GS
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
T
C
= 25 ° C,I
D
= 100A
T
C
≤ 125 ° C,I
D
= 100A
栅极电荷
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
60
Q
g
- 栅极电荷( NC)
70
80
G001
I
D
= 100A
V
DS
= 40V
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
版权所有 2014年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
CSD19505KCS
SLPS480 - 2014年1月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G( TH )
Q
OSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏极至源极电压
漏极至源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
栅极 - 源极阈值电压
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数( 10 V )
栅极电荷栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
SD
= 100 A,V
GS
= 0 V
V
DS
= 40 V,I
F
= 100 A,
的di / dt = 300 A / μs的
V
DS
= 50 V, V
GS
= 10 V,
I
DS
= 100 A,R
G
= 0
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 40 V,I
D
= 100 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 40 V , F = 1兆赫
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
μA
V
GS
= 0 V, V
DS
= 64 V
V
DS
= 0 V, V
GS
= 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA
V
GS
= 6 V,I
D
= 100 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 100 A
V
DS
= 8 V,I
D
= 100 A
2.2
2.6
2.9
2.6
262
6090
1600
26
1.4
76
11
25
15
214
31
16
62
6
0.9
400
88
1.1
7820
2080
34
2.8
80
1
100
3.2
3.8
3.1
V
μA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
测试条件
典型值
最大
单位
动态特性
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
R
θJC
R
θJA
热阻结到外壳
热阻结到环境
典型值
最大
0.5
62
单位
° C / W
° C / W
2
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CSD19505KCS
版权所有 2014年,德州仪器
CSD19505KCS
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SLPS480 - 2014年1月
典型MOSFET的特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
图1.瞬态热阻抗
TEXT增加了间距
200
I
DS
- 漏极 - 源极电流(A )
I
DS
- 漏极 - 源极电流(A )
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
V
GS
=10V
V
GS
=8V
V
GS
=6V
0.6
0.7
G001
TEXT增加了间距
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 55°C
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
6
7
G001
V
DS
= 5V
图2.饱和特性
图3.传输特性
版权所有 2014年,德州仪器
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3
CSD19505KCS
SLPS480 - 2014年1月
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典型MOSFET的特性(续)
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
TEXT增加了间距
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
60
Q
g
- 栅极电荷( NC)
70
80
G001
TEXT增加了间距
100000
I
D
= 100A
V
DS
= 40V
- 电容(pF )
10000
1000
100
10
C
国际空间站
= C
gd
+ C
gs
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
70
80
G001
1
图4.栅极电荷
TEXT增加了间距
3.2
V
GS
(
th
)
- 阈值电压( V)
3
2.8
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
75 50 25
0
25 50 75 100 125 150 175 200
T
C
- 外壳温度( ° C)
G001
R
DS
(
on
)
- 通态电阻(mΩ )
I
D
= 250uA
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
图5.电容
TEXT增加了间距
T
C
= 25 ° C,I
D
= 100A
T
C
≤ 125 ° C,I
D
= 100A
6
8
10
12
14
16
V
GS
- 栅极 - 源极电压(V)
18
20
G001
图6.阈值电压与温度
TEXT增加了间距
2.4
I
SD
- 源 - 漏极电流(A )
归一化通态电阻
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
75 50 25
I
D
= 100A
0
25 50 75 100 125 150 175 200
T
C
- 外壳温度( ° C)
G001
V
GS
= 6V
V
GS
= 10V
图7.通态电阻与栅极至源极电压
TEXT增加了间距
100
10
1
0.1
0.01
0.001
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
1
G001
图8.归通态电阻与温度
图9.典型的二极管正向电压
4
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SLPS480 - 2014年1月
典型MOSFET的特性(续)
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
TEXT增加了间距
5000
1000
I
AV
- 峰值雪崩电流( A)
I
DS
- 漏极 - 源极电流(A )
10us
100us
1ms
10ms
DC
500
T
C
= 25C
T
C
= 125C
TEXT增加了间距
100
100
10
1
单脉冲
最大
ThetaJC
= 0.5 ° C / W
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
1000
G001
10
0.01
0.1
T
AV
- 在雪崩时间(ms )
1
G001
图10.最大安全工作区
图11.单脉冲松开电感开关
TEXT增加了间距
175
I
DS
- 漏极 - - 源电流(A )
150
125
100
75
50
25
0
50 25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
T
C
- 外壳温度( ° C)
G001
图12.最大漏极电流与温度
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封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CSD19505KCS
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制

电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
CSD19505KCS
TI(德州仪器)
22+
18477
原装原厂公司现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:421123133 复制

电话:13410941925
联系人:李先生【原装正品,可开发票】
地址:深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
CSD19505KCS
TI(德州仪器)
24+
7800
TO-220-3
原装正品现货,可开增值税专用发票
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2276945435 复制 点击这里给我发消息 QQ:2801615837 复制

电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
CSD19505KCS
TI
4500
21+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:229754250 复制

电话:0755-83254070/18680328178
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技工业园4栋9层9B10房
CSD19505KCS
TI
新年份
15000
TO-220-3
全新原装现货,质量保证,可开税票,可出样品!
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
CSD19505KCS
TI
21+
4500
TO-220
只做原装实单申请
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3449124707 复制 点击这里给我发消息 QQ:3441530696 复制 点击这里给我发消息 QQ:2480898381 复制

电话:0755-23140719/23915992
联系人:李先生 李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
CSD19505KCS
TI
24+
68500
TO-220
一级代理/放心采购
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1240061890 复制
电话:0755-82723916/82731800
联系人:朱小姐
地址:深圳市福田区华发北路华发大厦517A-C
CSD19505KCS
TI
24+
4500
TO-220
只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
CSD19505KCS
TI
21+
4500
TO-220
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:28636116 复制 点击这里给我发消息 QQ:348965041 复制 点击这里给我发消息 QQ:982121146 复制 点击这里给我发消息 QQ:106368189 复制

电话:0755-66887761
联系人:陈
地址:宝安区石岩街道塘头社区松白路168号
CSD19505KCS
TI/德州仪器
20+
4000
TO-220-3
普通
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:573661294 复制

电话:020-85822790
联系人:谭小姐
地址:广州新赛格电子城b3386室
CSD19505KCS
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24+
22000
TO-220-3
原装现货,价格优势!
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