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CSD18537NKCS
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SLPS390 - 2013年6月
60 -V , N通道NexFET 功率MOSFET
检查样品:
CSD18537NKCS
1
特点
超低的Qg和Qgd特性
低热阻
额定雪崩
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
TO- 220塑料包装
T
A
= 25°C
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
产品概述
典型的价值
60
14
2.3
V
GS
= 6V
V
GS
= 10V
3.0
14
11
单位
V
nC
nC
m
m
V
漏源极电压
栅极电荷总数( 10V )
栅极电荷栅漏
漏极至源极导通电阻
阈值电压
2
订购信息
设备
CSD18537NKCS
TO- 220塑料
媒体
数量
50
应用
高端同步降压转换器
电机控制
绝对最大额定值
描述
该NexFET功率MOSFET的设计
最大限度地减少电源转换应用的损失。
引脚输出
漏极(引脚2 )
T
A
= 25°C
V
DS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流(包装有限公司) ,
T
C
= 25°C
I
D
连续漏电流(硅有限公司) ,
T
C
= 25°C
连续漏电流(硅有限公司) ,
T
C
= 100°C
I
DM
P
D
T
J
,
T
英镑
E
AS
漏电流脉冲
(1)
功耗
工作结存储
温度范围
雪崩能量,单脉冲
I
D
= 33A ,L = 0.1mH ,R
G
= 25
价值
60
±20
50
54
34
91
79
-55到150
55
单位
V
V
A
A
W
°C
mJ
(引脚1)
源(引脚3 )
(1)脉冲持续时间
≤300μs,
占空比
≤2%
36
R
DS
(
on
)
- 通态电阻(mΩ )
32
28
24
20
16
12
8
4
0
0
2
4
R
DS ( ON)
VS V
GS
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
T
C
= 25 ℃, n = 25A
T
C
= 125℃ n = 25A
栅极电荷
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
3
6
9
Q
g
- 栅极电荷( NC)
12
15
G001
I
D
= 25A
V
DS
= 30V
6
8
10
12
14
16
V
GS
- 栅极 - 源极电压(V)
18
20
G001
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
版权所有 2013年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
CSD18537NKCS
SLPS390 - 2013年6月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G( TH )
Q
OSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏源极电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数( 10V )
栅极电荷栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
SD
= 25A ,V
GS
= 0V
V
DS
= 30V ,我
F
= 25A,
的di / dt = 300A / μs的
V
DS
= 30V, V
GS
= 10V,
I
DS
= 25A ,R
G
= 0
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
DS
= 30V ,我
D
= 25A
V
GS
= 0V, V
DS
= 30V , F = 1MHz的
V
GS
= 0V时,我
D
= 250μA
V
GS
= 0V, V
DS
= 48V
V
DS
= 0V, V
GS
= 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 6V ,我
D
= 25A
V
GS
= 10V ,我
D
= 25A
V
DS
= 30V ,我
D
= 25A
2.6
3.0
14
11
100
1140
136
4.0
5.5
14
2.3
5.2
3.3
25
4.5
3.2
12.6
3.9
0.9
77
50
1
1480
177
5.2
11.0
18
60
1
100
3.5
18
14
V
μA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
测试条件
典型值
最大
单位
动态特性
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
R
θJC
R
θJA
热阻结到外壳
热阻结到环境
典型值
最大
1.6
62
单位
° C / W
° C / W
2
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CSD18537NKCS
版权所有 2013年,德州仪器
CSD18537NKCS
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SLPS390 - 2013年6月
典型MOSFET的特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
图1.瞬态热阻抗
TEXT增加了间距
100
I
DS
- 漏极 - 源极电流(A )
I
DS
- 漏极 - 源极电流(A )
60
V
DS
= 5V
50
40
30
20
10
0
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 55°C
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
7
8
G001
TEXT增加了间距
80
60
40
20
V
GS
=10V
V
GS
=8V
V
GS
=6V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
2
G001
0
图2.饱和特性
图3.传输特性
版权所有 2013年,德州仪器
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3
CSD18537NKCS
SLPS390 - 2013年6月
www.ti.com
典型MOSFET的特性(续)
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
TEXT增加了间距
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
3
6
9
Q
g
- 栅极电荷( NC)
12
15
G001
TEXT增加了间距
50000
10000
- 电容(pF )
C
国际空间站
= C
gd
+ C
gs
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
I
D
= 25A
V
DS
= 30V
1000
100
10
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
60
G001
图4.栅极电荷
TEXT增加了间距
3.6
R
DS
(
on
)
- 通态电阻(mΩ )
I
D
= 250uA
V
GS
(
th
)
- 阈值电压( V)
3.4
3.2
3
2.8
2.6
2.4
2.2
2
75
25
25
75
125
T
C
- 外壳温度( ° C)
175
G001
图5.电容
TEXT增加了间距
36
32
28
24
20
16
12
8
4
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
GS
- 栅极 - 源极电压(V)
18
20
G001
T
C
= 25 ℃, n = 25A
T
C
= 125℃ n = 25A
图6.阈值电压随温度的变化
TEXT增加了间距
2.2
I
SD
- 源 - 漏极电流(A )
归一化通态电阻
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
75
25
25
75
125
T
C
- 外壳温度( ° C)
175
G001
图7.导通电阻与栅极至源极电压
TEXT增加了间距
100
V
GS
= 6V
V
GS
= 10V
I
D
=25A
10
1
0.1
0.01
0.001
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
1
G001
图8.归通态电阻与温度
图9.典型的二极管正向电压
4
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版权所有 2013年,德州仪器
CSD18537NKCS
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SLPS390 - 2013年6月
典型MOSFET的特性(续)
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
TEXT增加了间距
5000
1000
100
10
1
0.1
I
AV
- 峰值雪崩电流( A)
I
DS
- 漏极 - 源极电流(A )
1ms
10ms
100ms
1s
DC
100
T
C
= 25C
T
C
= 125C
TEXT增加了间距
单脉冲
典型
ThetaJA
= 55 ° C / W
0.1
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
100
G001
0.01
0.01
10
0.01
0.1
T
AV
- 在雪崩时间(ms )
1
G001
图10.最大安全工作区
图11.单脉冲松开电感开关
TEXT增加了间距
70
I
DS
- 漏极 - - 源电流(A )
60
50
40
30
20
10
0
50
25
0
25
50
75
100 125
T
C
- 外壳温度( ° C)
150
175
G001
图12.最大漏极电流与温度的关系
版权所有 2013年,德州仪器
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CSD18537NKCS
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操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CSD18537NKCS
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881140005 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881141877 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881141878 复制

电话:0755-83240490 82781578 83997461 82568894
联系人:李
地址:福田区中航路都会B座26楼26U室
CSD18537NKCS
TI
2021+
1374
NA
主营TI,ST,欢迎来电洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777607/83777708/82799993
联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
CSD18537NKCS
TI/德州仪器
25+23+
22363
TO-220-3
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联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
CSD18537NKCS
VBSEMI/台湾微碧
2024
26000
TO220
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ:2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ:2719079875 复制

电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
CSD18537NKCS
TI
2024
26000
TO220-3
原装现货上海库存,欢迎咨询
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
CSD18537NKCS
TI
20+
34500
TO220-3
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004264855 复制

电话:075582788161
联系人:王小姐
地址:深圳市华强北世纪汇都会轩4507
CSD18537NKCS
TI
21+
100000
TO220
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:358410056 复制
电话:755-83349415/83229300
联系人:侯先生
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园2栋中809室.
CSD18537NKCS
TI
13+
550
标准封装
全新原装热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:358410056 复制
电话:755-83349415/83229300
联系人:侯先生
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园2栋中809室.
CSD18537NKCS
TEXAS INSTRUMENTS
13+
7,250
标准封装
全新原装热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:28636116 复制 点击这里给我发消息 QQ:348965041 复制 点击这里给我发消息 QQ:982121146 复制 点击这里给我发消息 QQ:106368189 复制

电话:0755-66887761
联系人:陈
地址:宝安区石岩街道塘头社区松白路168号
CSD18537NKCS
TI/德州仪器
2020+
10000
TO-220-3
普通
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885587070 复制
电话:15289608497
联系人:韦
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区深南中路2070号电子科技大厦C座7B12
CSD18537NKCS
TI
3年内
3000
TO-220|3
全新原装现货
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