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SLPS362A - 2012年9月 - 修订2013年1月
60 -V ， N通道NexFET 功率MOSFET
检查样品：
CSD18533KCS
1
特点
超低的Qg和Qgd特性
低热阻
额定雪崩
逻辑电平
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
TO- 220塑料包装
产品概述
T
A
= 25°C
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
漏源极电压
栅极电荷总数（ 10V ）
栅极电荷栅漏
漏极至源极导通电阻
阈值电压
典型的价值
60
28
3.9
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
1.9
6.9
5
单位
V
nC
nC
m
m
V
2
订购信息
设备
CSD18533KCS
包
TO- 220塑料
包
媒体
管
数量
50
船
管
应用
DC- DC转换器
次级侧同步整流器
电机控制
绝对最大额定值
T
A
= 25°C
V
DS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流（包装有限公司） ，
T
C
= 25°C
I
D
连续漏电流（硅有限公司） ，
T
C
= 25°C
连续漏电流（硅有限公司） ，
T
C
= 100°C
I
DM
P
D
T
J
,
T
英镑
E
AS
漏电流脉冲
(1)
功耗
工作结存储
温度范围
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 52A ，L = 0.1mH ，R
G
= 25
价值
60
±20
100
114
72
135
160
-55到150
135
A
W
°C
mJ
A
单位
V
V
描述
该NexFET功率MOSFET的设计
最大限度地减少电源转换应用的损失。
（1）脉冲持续时间
≤300μs,
占空比
≤2%
22
R
DS
(
on
)
- 通态电阻（mΩ ）
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
R
DS （ ON）
VS V
GS
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
C
= 25 ℃， n = 75A
T
C
= 125℃ n = 75A
栅极电荷
10
I
D
= 75A
V
DS
= 30V
8
6
4
2
6
8
10
12
14
16
V
GS
- 栅极 - 源极电压（V）
18
20
G001
0
0
5
10
15
20
25
Q
g
- 栅极电荷（ NC）
30
35
G001
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
版权所有 2012-2013 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏源极电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷总数（ 10V ）
栅极电荷栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
SD
= 75A ，V
GS
= 0V
V
DS
= 30V ，我
F
= 75A,
的di / dt = 300A / μs的
V
DS
= 30V, V
GS
= 10V,
I
DS
= 75A ，R
G
= 0
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
DS
= 30V ，我
D
= 75A
V
GS
= 0V, V
DS
= 30V ， F = 1MHz的
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
GS
= 0V, V
DS
= 48V
V
DS
= 0V, V
GS
= 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 75A
V
GS
= 10V ，我
D
= 75A
V
DS
= 30V ，我
D
= 75A
1.5
1.9
6.9
5.0
150
2420
300
7
1.4
14
28
3.9
9.4
4.6
31
5.7
4.8
13
3.2
0.8
97
49
1
3025
375
9.1
2.8
17
34
60
1
100
2.3
9.0
6.3
V
μA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态特性
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
θJC
R
θJA
热阻结到外壳
热阻结到环境
民
典型值
最大
0.8
62
单位
° C / W
° C / W
2
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典型MOSFET的特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图1.瞬态热阻抗
TEXT增加了间距
180
I
DS
- 漏极 - 源极电流（A ）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
0.5
1
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
=10V
V
GS
=6.5V
V
GS
=4.5V
1.5
G001
TEXT增加了间距
200
I
DS
- 漏极 - 源极电流（A ）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 55°C
5
6
G001
V
DS
= 5V
图2.饱和特性
图3.传输特性
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
I
D
= 75A
V
DS
= 30V
- 电容（pF ）
8
10000
50000
C
国际空间站
= C
gd
+ C
gs
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
TEXT增加了间距
6
1000
4
100
2
0
0
5
10
15
20
25
Q
g
- 栅极电荷（ NC）
30
35
G001
10
0
10
20
30
40
50
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
60
G001
图4.栅极电荷
TEXT增加了间距
2.5
R
DS
(
on
)
- 通态电阻（mΩ ）
V
GS
(
th
)
- 阈值电压（ V）
2.3
2
1.7
1.4
1.1
0.8
0.5
75
I
D
= 250uA
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
图5.电容
TEXT增加了间距
T
C
= 25 ℃， n = 75A
T
C
= 125℃ n = 75A
25
25
75
125
T
C
- 外壳温度（ ° C）
175
G001
6
8
10
12
14
16
V
GS
- 栅极 - 源极电压（V）
18
20
G001
图6.阈值电压随温度的变化
TEXT增加了间距
2.4
2.1
1.8
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
75
I
SD
- 源 - 漏极电流（A ）
归一化通态电阻
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
I
D
=75A
图7.导通电阻与栅极至源极电压
TEXT增加了间距
100
10
1
0.1
0.01
0.001
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
25
25
75
125
T
C
- 外壳温度（ ° C）
175
G001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
1
G001
图8.归通态电阻与温度
图9.典型的二极管正向电压
4
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
5000
1000
100
10
1
0.1
I
AV
- 峰值雪崩电流（ A）
I
DS
- 漏极 - 源极电流（A ）
1ms
10ms
100ms
1s
DC
100
TEXT增加了间距
单脉冲
典型
ThetaJA
=56C/W
0.1
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
100
G001
T
C
= 25C
T
C
= 125C
10
0.01
0.1
T
AV
- 在雪崩时间（ms ）
1
G001
0.01
0.01
图10.最大安全工作区
图11.单脉冲松开电感开关
TEXT增加了间距
120
I
DS
- 漏极 - - 源电流（A ）
100
80
60
40
20
0
50
25
0
25
50
75
100 125
T
C
- 外壳温度（ ° C）
150
175
G001
图12.最大漏极电流与温度的关系
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