CSD18501Q5A
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SLPS319A - 2012年6月 - 修订2012年6月
40V N通道NexFET 功率MOSFET
检查样品：
CSD18501Q5A
1
特点
超Q
g
和Q
gd
低热阻
额定雪崩
逻辑电平
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
SON 5毫米×6毫米的塑料包装
产品概述
在25 ° C典型值
除非另有说明
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
漏源极电压
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
漏极至源极导通电阻
阈值电压
典型的价值
40
20
5.9
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
1.8
3.3
2.5
单位
V
nC
nC
m
m
V
2
订购信息
应用
DC- DC转换器
次级侧同步整流器
电池电机控制
设备
CSD18501Q5A
包
SON 5毫米×6毫米
塑料包装
媒体
13-Inch
REEL
数量
2500
船
磁带和
REEL
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
DS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流（包装有限公司） ，
T
C
= 25°C
I
D
连续漏电流（硅有限公司） ，
T
C
= 25°C
连续漏电流，T
A
= 25°C
(1)
I
DM
漏电流脉冲，T
A
= 25°C
功耗
(1)
(2)
价值
40
±20
100
单位
V
V
描述
该NexFET功率MOSFET的设计
最大限度地减少电源转换应用的损失。
顶视图
S
1
8
D
A
155
22
142
3.1
-55到150
231
A
A
W
°C
mJ
S
2
7
D
P
D
T
J
,
T
英镑
E
AS
S
3
D
6
D
工作结存储
温度范围
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 68A ，L = 0.1mH ，R
G
= 25
G
4
5
D
P0093-01
（ 1 ）典型
θJA
= 40 ℃/上1英寸W
2
， 2盎司在0.06- Cu焊盘
英寸厚的FR4 PCB 。
（2）脉冲持续时间
≤300μs,
占空比
≤2%
20
R
DS
(
on
)
- 导通状态电阻 - mΩ的
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
R
DS （ ON）
VS V
GS
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
C
= 25 ℃， n = 25A
T
C
= 125℃ n = 25A
栅极电荷
10
I
D
= 25A
V
DS
= 20V
8
6
4
2
6
8
10
12
14
16
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
18
20
G001
0
0
5
10
15
20
25
30
35
Q
g
- 栅极电荷 - 数控（ NC ）
40
45
G001
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
版权所有2012，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏源极电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷总数（ 10V ）
栅极电荷栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
DS
= 25A ，V
GS
= 0V
V
DS
= 20V ，我
F
= 25A ，的di / dt = 300A / μs的
V
DS
= 20V, V
GS
= 10V,
I
DS
= 25A ，R
G
= 2
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= 20V ，我
D
= 25A
V
GS
= 0V, V
DS
= 20V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
GS
= 0V, V
DS
= 32V
V
DS
= 0V, V
GS
= 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 25A
V
GS
= 10V ，我
D
= 25A
V
DS
= 20V ，我
D
= 25A
1.4
1.8
3.3
2.5
142
3200
725
18
1.2
20
42
5.9
8.1
5.7
48
4.7
10
20
3.4
0.8
21
40
1
3840
870
23
2.4
24
50
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
40
1
100
2.3
4.3
3.2
V
μA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态特性
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
θJC
R
θJA
(1)
(2)
热阻结到外壳
(1)
(1) (2)
民
典型值
最大
1
50
单位
° C / W
° C / W
热阻结到环境
R
θJC
与安装在一个1英寸的设备确定
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司在1.5英寸× 1.5英寸（ 3.81厘米× （ 0.071毫米厚） Cu焊盘
3.81厘米） ， 0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB 。
θJC
由设计规定，而
θJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
设备安装在FR4材料1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。
2
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门
N-二陈×6 QFN TTA MAX Rev3型
来源
N-二陈×6 QFN TTA MIN Rev3型
门
来源
最大
θJA
= 50℃ / W的
当安装在
1英寸
2
(6.45-cm
2
） 2-
盎司（ 0.071毫米厚）
铜。
最大
θJA
= 122 ° C / W
安装在一个时
最小焊盘面积
2盎司（ 0.071毫米厚）
铜。
漏
M0137-01
漏
M0137-02
典型MOSFET的特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图1.瞬态热阻抗
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
140
I
DS
- 漏极 - 源极电流 - 一个
120
100
80
60
40
20
0
V
GS
=10V
V
GS
=6.5V
V
GS
=4.5V
0
0.5
1
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
1.5
G001
TEXT增加了间距
200
I
DS
- 漏极 - 源极电流 - 一个
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 55°C
2
3
4
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
5
G001
V
DS
= 5V
图2.饱和特性
TEXT增加了间距
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
I
D
= 25A
V
DS
= 20V
- 电容 - pF的
8
10000
50000
图3.传输特性
TEXT增加了间距
C
国际空间站
= C
gd
+ C
gs
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
6
1000
4
100
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
Q
g
- 栅极电荷 - 数控（ NC ）
40
45
G001
10
0
4
8
12
16
20
24
28
32
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
36
40
G001
图4.栅极电荷
TEXT增加了间距
2.5
R
DS
(
on
)
- 导通状态电阻 - mΩ的
I
D
= 250uA
V
GS
(
th
)
- 阈值电压 - V
2
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
图5.电容
TEXT增加了间距
T
C
= 25 ℃， n = 25A
T
C
= 125℃ n = 25A
1.5
1
0.5
0
75
25
25
75
125
T
C
- 外壳温度 - 摄氏度
175
G001
6
8
10
12
14
16
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
18
20
G001
图6.阈值电压随温度的变化
图7.导通电阻与栅极至源极电压
4
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
2.4
2.1
1.8
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
75
I
SD
- 源 - 漏电流 - 一个
归一化通态电阻
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
I
D
=25A
100
10
1
0.1
0.01
0.001
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
TEXT增加了间距
25
25
75
125
T
C
- 外壳温度 - 摄氏度
175
G001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
1
G001
图8.归通态电阻与温度
TEXT增加了间距
I
AV
- 峰值雪崩电流 - 一个
2000
1000
I
DS
- 漏极 - 源极电流 - 一个
100
10
1
0.1
200
1ms
10ms
100ms
1s
DC
图9.典型的二极管正向电压
TEXT增加了间距
T
C
= 25C
T
C
= 125C
100
单脉冲
典型
ThetaJA
= 97C / W （分铜）
0.1
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
50
G001
0.01
0.01
10
0.01
0.1
T
AV
- 时间在雪崩 - 质谱
1
2
G001
图10.最大安全工作区
图11.单脉冲松开电感开关
TEXT增加了间距
120.0
I
DS
- 漏极 - - 源电流 - 一个
100.0
80.0
60.0
40.0
20.0
0.0
50
25
0
25
50
75
100 125
T
C
- 外壳温度 - 摄氏度
150
175
G001
图12.最大漏极电流与温度的关系
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