CSD17559Q5
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SLPS374 - 2012年11月
30V N通道NexFET 功率MOSFET
检查样品：
CSD17559Q5
1
特点
极低的电阻
超Q
g
和Q
gd
低热阻
额定雪崩
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
SON 5毫米×6毫米的塑料包装
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
产品概述
T
A
= 25 ° C除非另有说明
漏源极电压
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
漏极至源极导通电阻
阈值电压
典型的价值
30
39
9.3
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
1.4
1.15
0.95
单位
V
nC
nC
m
m
V
2
订购信息
设备
CSD17559Q5
包
SON 5毫米×6毫米
塑料包装
媒体
13-Inch
REEL
数量
2500
船
磁带和
REEL
应用
同步降压在负载点的
网络，电信和计算机系统
同步整流
有源ORing和热插拔应用
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
DS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流（包装有限公司） ，
T
C
= 25°C
I
D
连续漏电流（硅有限公司） ，
T
C
= 25°C
连续漏电流
(1)
I
DM
漏电流脉冲，T
A
= 25°C
功耗
(1)
(1)(2)
价值
30
±20
100
单位
V
V
描述
该NexFET功率MOSFET的设计
最大限度地减少同步整流损耗和
其他电源转换应用。
顶视图
S
1
8
D
A
257
40
250
3.2
-55到150
541
A
A
W
°C
mJ
P
D
T
J
,
T
英镑
E
AS
工作结存储
温度范围
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 104A， L = 0.1mH ，R
G
= 25
S
2
7
D
S
3
D
6
D
（ 1 ）典型
θJA
= 40 ℃/ W于1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071-
毫米厚），在0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB的Cu焊盘。
（2）脉冲持续时间
≤300μs,
占空比
≤2%
G
4
5
D
P0093-01
空间
R
DS （ ON）
VS V
GS
6
R
DS
(
on
)
- 通态电阻（mΩ ）
5
4
3
2
1
0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
C
= 25 ℃， n = 40A
T
C
= 125℃ n = 40A
10
I
D
= 40A
V
DS
=15V
8
空间
栅极电荷
6
4
2
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（V）
12
G001
0
0
10
20
30
40
50
60
Q
g
- 栅极电荷（ NC）
70
80
90
G001
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
版权所有2012，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏源极电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
SD
= 40A ，V
GS
= 0V
V
DD
= 15V ，我
F
= 40A ，的di / dt = 300A / μs的
V
DS
= 15V, V
GS
= 4.5V,
I
DS
= 40A ，R
G
= 2
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
V
DS
= 15V ，我
DS
= 40A
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0V时，我
DS
= 250μA
V
GS
= 0V, V
DS
= 24V
V
DS
= 0V, V
GS
= 20V
V
DS
= V
GS
, I
DS
= 250μA
V
GS
= 4.5V ，我
DS
= 40A
V
GS
= 10V ，我
DS
= 40A
V
DS
= 15V ，我
DS
= 40A
1.2
1.4
1.15
0.95
235
7070
1780
87
1.2
39
9.3
14.4
8.3
50
20
41
32
14
0.8
80
37
1
9200
2314
113
2.4
51
30
1
100
1.7
1.5
1.15
V
μA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态特性
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
θJC
R
θJA
(1)
(2)
热阻结到外壳
(1)
热阻结到环境
(1) (2)
民
典型值
最大
1.2
50
单位
° C / W
° C / W
R
θJC
与安装在一个1英寸的设备确定
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司在1.5英寸× 1.5英寸（ 3.81厘米× （ 0.071毫米厚） Cu焊盘
3.81厘米） ， 0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB 。
θJC
由设计规定，而
θJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
设备安装在FR4材料1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。
2
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