添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1581页 > CSD17555Q5A
CSD17555Q5A
www.ti.com
SLPS353 - 2012年6月
30V N通道NexFET 功率MOSFET
检查样品：
CSD17555Q5A
1
特点
超Q
g
和Q
gd
低热阻
额定雪崩
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
SON 5毫米×6毫米的塑料包装
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
产品概述
T
A
= 25 ° C除非另有说明
漏源极电压
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
漏极至源极导通电阻
阈值电压
典型的价值
30
23
5
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
1.5
2.8
2.3
单位
V
nC
nC
m
m
V
2
订购信息
设备
CSD17555Q5A
包
SON 5毫米×6毫米
塑料包装
媒体
13-Inch
REEL
数量
2500
船
磁带和
REEL
应用
同步降压在负载点的
网络，电信和计算机系统
优化的控制和同步FET
应用
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
DS
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流（包装有限公司） ，
T
C
= 25°C
I
D
连续漏电流（硅有限公司） ，
T
C
= 25°C
连续漏电流
(1)
漏电流脉冲，T
A
= 25°C
功耗
(1)
(2)
价值
30
±20
100
单位
V
V
描述
该NexFET功率MOSFET的设计
最大限度地减少电源转换应用的损失。
顶视图
S
1
8
D
V
GS
A
116
24
153
3
-55到150
180
A
A
W
°C
mJ
I
DM
P
D
T
J
,
T
英镑
E
AS
S
2
7
D
工作结存储
温度范围
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 60A ，L = 0.1mH ，R
G
= 25
S
3
D
6
D
G
4
5
D
P0093-01
（ 1 ）典型
θJA
= 42 ° C / W 1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071-
毫米厚），在0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB的Cu焊盘。
（2）脉冲持续时间
≤300μs,
占空比
≤2%
空间
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
空间
R
DS （ ON）
VS V
GS
10
R
DS
(
on
)
- 导通状态电阻 - mΩ的
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
12
G001
T
C
= 25 ℃， n = 25A
T
C
= 125℃ n = 25A
I
D
= 25A
V
DS
=15V
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
Q
g
- 栅极电荷 - 数控（ NC ）
40
45
G001
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
版权所有2012，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
CSD17555Q5A
SLPS353 - 2012年6月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏源极电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
SD
= 25A ，V
GS
= 0V
V
DD
= 14V ，我
F
= 25A ，的di / dt = 300A / μs的
V
DS
= 15V, V
GS
= 4.5V,
I
DS
= 25A ，R
G
= 2
V
DS
= 14V, V
GS
= 0V
V
DS
= 15V ，我
DS
= 25A
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0V时，我
DS
= 250μA
V
GS
= 0V, V
DS
= 24V
V
DS
= 0V, V
GS
= 20V
V
DS
= V
GS
, I
DS
= 250μA
V
GS
= 4.5V ，我
DS
= 25A
V
GS
= 10V ，我
DS
= 25A
V
DS
= 15V ，我
DS
= 25A
1
1.5
2.8
2.3
109
3875
949
70
0.8
23
5
7.5
5
25
14
18
20
5.3
0.8
31
25
1
4650
1139
87
1.6
28
30
1
100
1.9
3.4
2.7
V
μA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态特性
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
θJC
R
θJA
(1)
(2)
热阻结到外壳
(1)
热阻结到环境
(1) (2)
民
典型值
最大
2.2
52
单位
° C / W
° C / W
R
θJC
与安装在一个1英寸的设备确定
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司在1.5英寸× 1.5英寸（ 3.81厘米× （ 0.071毫米厚） Cu焊盘
3.81厘米） ， 0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB 。
θJC
由设计规定，而
θJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
设备安装在FR4材料1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。
2
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
CSD17555Q5A
版权所有2012，德州仪器
CSD17555Q5A
www.ti.com
SLPS353 - 2012年6月
门
N-二陈×6 QFN TTA MAX Rev3型
来源
N-二陈×6 QFN TTA MIN Rev3型
门
来源
最大
θJA
= 52 ° C / W
当安装在
1英寸
2
（ 6.45厘米
2
） 2-
盎司（ 0.071毫米厚）
铜。
最大
θJA
= 128 ° C / W
安装在一个时
最小焊盘面积
2盎司（ 0.071毫米厚）
铜。
漏
M0137-01
漏
M0137-02
典型MOSFET的特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图1.瞬态热阻抗
版权所有2012，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
CSD17555Q5A
3
CSD17555Q5A
SLPS353 - 2012年6月
www.ti.com
典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
140
I
DS
- 漏极 - 源极电流 - 一个
120
100
80
60
40
20
0
I
DS
- 漏极 - 源极电流 - 一个
V
GS
=10V
V
GS
=6.5V
V
GS
=4.5V
V
GS
=2.5V
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 55°C
2
3
4
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
5
G001
TEXT增加了间距
V
DS
= 5V
0
1
2
3
4
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
5
G001
图2.饱和特性
TEXT增加了间距
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
I
D
= 25A
V
DS
=15V
- 电容 - nF的
8
6
5
4
3
2
1
0
图3.传输特性
TEXT增加了间距
C
国际空间站
= C
gd
+ C
gs
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
Q
g
- 栅极电荷 - 数控（ NC ）
40
45
G001
0
3
6
9
12
15
18
21
24
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
27
30
G001
图4.栅极电荷
TEXT增加了间距
2.5
R
DS
(
on
)
- 导通状态电阻 - mΩ的
I
D
= 250uA
V
GS
(
th
)
- 阈值电压 - V
2
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
图5.电容
TEXT增加了间距
T
C
= 25 ℃， n = 25A
T
C
= 125℃ n = 25A
1.5
1
0.5
0
75
25
25
75
125
T
C
- 外壳温度 - 摄氏度
175
G001
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
12
G001
图6.阈值电压随温度的变化
图7.导通电阻与栅极至源极电压
4
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
CSD17555Q5A
版权所有2012，德州仪器
CSD17555Q5A
www.ti.com
SLPS353 - 2012年6月
典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
2.4
2.1
1.8
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
75
I
SD
- 源 - 漏电流 - 一个
归一化通态电阻
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
I
D
=25A
100
10
1
0.1
0.01
0.001
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
TEXT增加了间距
25
25
75
125
T
C
- 外壳温度 - 摄氏度
175
G001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
1
G001
图8.归通态电阻与温度
TEXT增加了间距
I
AV
- 峰值雪崩电流 - 一个
2000
1000
I
DS
- 漏极 - 源极电流 - 一个
100
10
1
0.1
200
1ms
10ms
100ms
1s
DC
图9.典型的二极管正向电压
TEXT增加了间距
T
C
= 25C
T
C
= 125C
100
单脉冲
典型
ThetaJA
= 102C / W （分铜）
0.1
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
50
G001
0.01
0.01
10
0.01
0.1
T
AV
- 时间在雪崩 - 质谱
1
2
G001
图10.最大安全工作区
图11.单脉冲松开电感开关
TEXT增加了间距
TEXT增加了间距
160.0
I
DS
- 漏极 - - 源电流 - 一个
140.0
120.0
100.0
80.0
60.0
40.0
20.0
0.0
50
25
0
25
50
75
100 125
T
C
- 外壳温度 - 摄氏度
150
175
G001
包装有限公司
硅有限
图12.最大漏极电流与温度的关系
版权所有2012，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
CSD17555Q5A
5
查看更多CSD17555Q5APDF信息
推荐型号
C062T102M5X5CP
C114K102K5X5CP
CY3764VP208-167AXC
CY7C1523V18-278BZC
CR16MCS9VJE52
CY7C4235-35ASI
CS3741-4
CY7C291AL-35PC
CAT25C02RI
CCL200DK1-TTD2
CY3732VP44-83BBXC
CGH732T350X5L
C111120006
CB1RLU221553329
CB1HSA2115533290653
CH741UPT
CAT24WC02YI-1.8TE13F
CEC050C
CBP1252-222
CD5361B
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CSD17555Q5A
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市品优时代科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3003319701 复制
电话：0755-23612326
联系人：唐
地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室
CSD17555Q5A
TI
2019
23100
SON5X6
原装正品 钻石品质 假一赔十
北京三盛恒业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880567377 复制
电话：028-87781882
联系人：陈小姐
地址：北京市海淀区中关村西区海淀中街16号中关村公馆B座501室
CSD17555Q5A
TI
21+
2500
VSONP
进口原装,优势现货
深圳市力拓辉电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881140005 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881141877 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881141878 复制

电话：0755-83240490 82781578 83997461 82568894
联系人：李
地址：福田区中航路都会B座26楼26U室
CSD17555Q5A
TI
2021+
6046
NA
主营TI，ST,欢迎来电洽谈
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
CSD17555Q5A
TI/德州仪器
21+
16800
VSON8
全新原装正品/质量有保证
深圳市芯满林科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息

电话：18926544209/18025435189
联系人：夏小姐/朱先生
地址：深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
CSD17555Q5A
TI/德州仪器
24+
32000
SON5X6
百分百原装现货，价格优势，欢迎查询！
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
CSD17555Q5A
Texas Instruments
24+
10000
8-VSONP（5x6）
原厂一级代理，原装现货
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
CSD17555Q5A
Texas Instruments
24+
10000
8-PowerTDFN
原厂一级代理，原装现货
深圳伟诚铭科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：28636116 复制 点击这里给我发消息 QQ：348965041 复制 点击这里给我发消息 QQ：982121146 复制 点击这里给我发消息 QQ：106368189 复制

电话：0755-66887761
联系人：陈
地址：宝安区石岩街道塘头社区松白路168号
CSD17555Q5A
TI/德州仪器
20+
10000
VSONP-8
普通
深圳伟诚铭科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：28636116 复制 点击这里给我发消息 QQ：348965041 复制 点击这里给我发消息 QQ：982121146 复制 点击这里给我发消息 QQ：106368189 复制

电话：0755-66887761
联系人：陈
地址：宝安区石岩街道塘头社区松白路168号
CSD17555Q5A
TI/德州仪器
21+
9000
原装正品实单特价在途订单
VSONP-8
深圳伟诚铭科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：28636116 复制 点击这里给我发消息 QQ：348965041 复制 点击这里给我发消息 QQ：982121146 复制 点击这里给我发消息 QQ：106368189 复制

电话：0755-66887761
联系人：陈
地址：宝安区石岩街道塘头社区松白路168号
CSD17555Q5A
TI/德州仪器
19+
13000
VSONP-8
普通
查询更多CSD17555Q5A供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！