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CSD17552Q5A

www.ti.com

SLPS428 - 2012年11月

30 -V ， N通道NexFET 功率MOSFET

检查样品：

CSD17552Q5A

特点

超低的Qg和Qgd特性

低热阻

额定雪崩

无铅端子电镀

符合RoHS

无卤

SON 5毫米×6毫米的塑料包装

产品概述

DS （ ON）

GS （ TH）

漏源极电压

栅极电荷总数（ 4.5V ）

栅极电荷栅漏

漏极至源极导通电阻

阈值电压

9.0

2.0

= 4.5V

= 10V

1.5

6.1

5.1

订购信息

设备

CSD17552Q5A

包

SON 5毫米×6毫米

塑料包装

媒体

13-Inch

REEL

数量

2500

船

磁带和

REEL

应用

负载同步降压在点

网络，电信和计算机系统

优化控制FET应用

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有说明

价值

±20

106

3.0

-55到150

单位

°C

漏源极电压

栅极至源极电压

连续漏电流，T

= 25°C

连续漏电流，硅Limitted

连续漏电流，T

= 25°C

漏电流脉冲，T

= 25°C

(2)

功耗

(1)

描述

所述的NexFET功率MOSFET已被设计为

尽量减少电源转换应用的损失。

图1.顶视图

英镑

工作结存储

温度范围

雪崩能量，单脉冲

= 30A ，L = 0.1mH ，R

= 25

P0093-01

（ 1 ）典型

θJA

= 40 ℃/上1英寸W

(6.45-cm

2盎司（ 0.071毫米厚） Cu焊盘上0.06英寸（ 1.52毫米）厚

FR4 PCB 。

（2）脉冲持续时间

≤300μs,

占空比

≤2%

栅极电荷

- 栅极 - 源极电压（ V）

DS （ ON）

VS V

(

)

- 通态电阻（mΩ ）

- 栅极 - 源极电压（V）

G001

= 25 ℃， n = 15A

= 125℃ n = 15A

= 15A

=15V

- 栅极电荷（ NC）

G001

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

参数

静态特性

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

G（ TH ）

OSS

D（上）

D（关闭）

漏源极电压

漏极至源极漏电流

门源漏电流

门源阈值电压

漏极至源极导通电阻

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

串联门极电阻

栅极电荷总数（ 4.5V ）

栅极电荷栅漏

栅极电荷门源

栅极电荷在Vth的

输出充电

打开延迟时间

上升时间

关闭延迟时间

下降时间

二极管的正向电压

反向恢复电荷

反向恢复时间

= 11A ，V

= 0V

= 13V ，我

= 15A,

的di / dt = 300A / μs的

= 15V, V

= 4.5V,

= 15A ，R

= 2

= 15V, V

= 0V

= 15V ，我

= 15A

= 0V, V

= 15V ， F = 1MHz的

= 0V时，我

= 250μA

= 0V, V

= 24V

= 0V, V

= 20V

= V

, I

= 250μA

= 4.5V ，我

= 15A

= 10V ，我

= 15A

= 15V ，我

= 15A

1.1

1.5

6.1

5.1

1580

385

0.9

9.0

2.0

3.6

2.1

7.6

11.4

12.2

3.6

0.8

2050

500

1.8

100

1.9

7.5

6.2

μA

测试条件

民

典型值

最大

单位

动态特性

二极管的特性

热特性

= 25 ° C除非另有说明）

参数

θJC

θJA

(1)

(2)

热阻结到外壳

(1)

热阻结到环境

(1) (2)

民

典型值

最大

1.8

单位

° C / W

θJC

与安装在一个1英寸的设备确定

(6.45-cm

）， 2盎司在1.5英寸× 1.5英寸（ 3.81厘米× （ 0.071毫米厚） Cu焊盘

3.81厘米）， 0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB 。

θJC

由设计规定，而

θJA

是通过用户的电路板的设计来确定。

设备安装在FR4材料1英寸

(6.45-cm

）， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。

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门

来源

门

来源

最大

θJA

= 50℃ / W的

当安装在

1英寸

（ 6.45厘米

） 2-

盎司（ 0.071毫米厚）

铜。

最大

θJA

= 125°C / W

安装在一个时

最小焊盘面积

2盎司（ 0.071毫米厚）

铜。

漏

M0161-01

漏

M0161-02

典型MOSFET的特性

= 25 ° C除非另有说明）

图2.瞬态热阻抗

TEXT增加了间距

100

- 漏极 - 源极电流（A ）

100

= 5V

TEXT增加了间距

=10V

=6V

=4.5V

0.5

- 漏极至源极电压（ V）

1.5

G001

= 125°C

= 25°C

= 55°C

- 栅极 - 源极电压（ V）

G001

图3.饱和特性

图4.传输特性

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典型MOSFET的特性（续）

= 25 ° C除非另有说明）

TEXT增加了间距

- 栅极 - 源极电压（ V）

= 15A

=15V

- 电容（pF ）

10000

100000

国际空间站

= C

+ C

OSS

= C

+ C

RSS

= C

TEXT增加了间距

1000

100

- 栅极电荷（ NC）

G001

- 漏极至源极电压（ V）

G001

图5.栅极电荷

TEXT增加了间距

2.1

(

)

- 通态电阻（mΩ ）

= 250uA

(

)

- 阈值电压（ V）

1.9

1.7

1.5

1.3

1.1

0.9

0.7

图6.电容

TEXT增加了间距

= 25 ℃， n = 15A

= 125℃ n = 15A

125

- 外壳温度（ ° C）

175

G001

- 栅极 - 源极电压（V）

G001

图7.阈值电压与温度的关系

TEXT增加了间距

2.2

- 源 - 漏极电流（A ）

归一化通态电阻

1.8

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

0.4

125

- 外壳温度（ ° C）

175

G001

图8.导通电阻与栅极至源极电压

TEXT增加了间距

100

= 4.5V

= 10V

=15A

0.1

0.01

0.001

= 25°C

= 125°C

0.0001

0.2

0.4

0.6

0.8

- 源极到漏极电压（V ）

G001

图9.归通态电阻与温度

图10.典型的二极管正向电压

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典型MOSFET的特性（续）

= 25 ° C除非另有说明）

TEXT增加了间距

1000

- 峰值雪崩电流（ A）

- 漏极 - 源极电流（A ）

1ms

10ms

100

100ms

100

= 25C

= 125C

TEXT增加了间距

0.1

单脉冲

典型

ThetaJA

= 100C / W （分铜）

0.01

0.1

- 漏极至源极电压（ V）

G001

0.01

0.1

- 在雪崩时间（ms ）

G001

图11.最大安全工作区

图12.单脉冲松开电感开关

TEXT增加了间距

140.0

- 漏极 - - 源电流（A ）

120.0

100.0

80.0

60.0

40.0

20.0

0.0

包装有限公司

硅有限

100 125

- 外壳温度（ ° C）

150

175

G001

图13.最大漏极电流与温度的关系

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