【CSD17551Q5Awww.ti.comSLPS375 - 2012年5月30V ， N通道Nex】,IC型号CSD17551Q5A,CSD17551Q5A PDF资料,CSD17551Q5A经销商,ic,电子元器件-51电子网

CSD17551Q5A

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SLPS375 - 2012年5月

30V ， N通道NexFET 功率MOSFET

检查样品：

CSD17551Q5A

特点

超低的Qg和Qgd特性

低热阻

额定雪崩

无铅端子电镀

符合RoHS

无卤

SON 5毫米×6毫米的塑料包装

产品概述

DS （ ON）

GS （ TH）

漏源极电压

栅极电荷总数（ 4.5V ）

栅极电荷栅漏

漏极至源极导通电阻

阈值电压

6.0

1.4

= 4.5V

= 10V

1.7

订购信息

设备

CSD17551Q5A

包

SON 5毫米×6毫米

塑料包装

媒体

13-Inch

REEL

数量

2500

船

磁带和

REEL

应用

负载同步降压在点

网络，电信和计算机系统

优化控制FET应用

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有说明

价值

±20

13.5

-55到150

31.3

(1)

单位

°C

描述

所述的NexFET功率MOSFET已被设计为

尽量减少电源转换应用的损失。

图1.顶视图

英镑

漏源极电压

栅极至源极电压

连续漏电流，T

= 25°C

连续漏电流，T

= 25°C

漏电流脉冲，T

= 25°C

功耗

(1)

工作结存储

温度范围

雪崩能量，单脉冲

= 25A ，L = 0.1mH ，R

= 25

(2)

P0093-01

（ 1 ）典型

θJA

= 41.9 ° C /上一个1英寸的W

(6.45-cm

2盎司（ 0.071毫米厚） Cu焊盘上0.06英寸（ 1.52毫米）厚

FR4 PCB 。

（2）脉冲持续时间

≤300μs,

占空比

≤2%

DS （ ON）

VS V

(

)

- 导通状态电阻 - mΩ的

- 栅极 - 源极电压（ V）

= 25 ℃， n = 11A

= 125℃ n = 11A

= 11A

= 15V

栅极电荷

- 栅极 - 源极电压 - V

G001

- 栅极电荷 - 数控（ NC ）

G001

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

参数

静态特性

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

G（ TH ）

OSS

D（上）

D（关闭）

漏源极电压

漏极至源极漏电流

门源漏电流

门源阈值电压

漏极至源极导通电阻

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

串联门极电阻

栅极电荷总数（ 4.5V ）

栅极电荷栅漏

栅极电荷门源

栅极电荷在Vth的

输出充电

打开延迟时间

上升时间

关闭延迟时间

下降时间

二极管的正向电压

反向恢复电荷

反向恢复时间

= 11A ，V

= 0V

= 13.5V ，我

= 11A,

的di / dt = 300A / μs的

= 15V, V

= 4.5V,

= 11A ，R

= 2

= 13V, V

= 0V

= 15V ，我

= 11A

= 0V, V

= 15V ， F = 1MHz的

= 0V时，我

= 250μA

= 0V, V

= 24V

= 0V, V

= 20V

= V

, I

= 250μA

= 4.5V ，我

= 11A

= 10V ，我

= 11A

= 15V ，我

= 11A

1.2

1.7

107

1060

247

1.4

2.8

1.6

7.2

9.1

15.5

11.9

4.3

0.8

8.7

13.5

1272

296

1.9

7.2

100

2.2

8.8

μA

测试条件

民

典型值

最大

单位

动态特性

二极管的特性

热特性

= 25 ° C除非另有说明）

参数

θJC

θJA

(1)

(2)

热阻结到外壳

(1)

热阻结到环境

(1) (2)

民

典型值

最大

4.2

52.3

单位

° C / W

θJC

与安装在一个1英寸的设备确定

(6.45-cm

）， 2盎司在1.5英寸× 1.5英寸（ 3.81厘米× （ 0.071毫米厚） Cu焊盘

3.81厘米）， 0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB 。

θJC

由设计规定，而

θJA

是通过用户的电路板的设计来确定。

设备安装在FR4材料1英寸

(6.45-cm

）， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。

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门

N-二陈×6 QFN TTA MAX Rev3型

来源

N-二陈×6 QFN TTA MIN Rev3型

门

来源

最大

θJA

= 52.3 ° C / W

当安装在

1英寸

（ 6.45厘米

） 2-

盎司（ 0.071毫米厚）

铜。

最大

θJA

= 133 ° C / W

安装在一个时

最小焊盘面积

2盎司（ 0.071毫米厚）

铜。

漏

M0137-01

漏

M0137-02

典型MOSFET的特性

= 25 ° C除非另有说明）

图2.瞬态热阻抗

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典型MOSFET的特性（续）

= 25 ° C除非另有说明）

TEXT增加了间距

100

- 漏极 - 源极电流 - 一个

100

= 5V

TEXT增加了间距

=10V

=6.5V

=3.5V

- 漏极至源极电压 - V

G001

= 125°C

= 25°C

= 55°C

- 栅极 - 源极电压 - V

G001

图3.饱和特性

TEXT增加了间距

- 栅极 - 源极电压（ V）

= 11A

= 15V

- 电容 - nF的

1.2

1.5

图4.传输特性

TEXT增加了间距

国际空间站

= C

+ C

OSS

= C

+ C

RSS

= C

0.9

0.6

0.3

- 栅极电荷 - 数控（ NC ）

G001

- 漏极至源极电压 - V

G001

图5.栅极电荷

TEXT增加了间距

2.5

(

)

- 导通状态电阻 - mΩ的

= 250uA

(

)

- 阈值电压 - V

图6.电容

TEXT增加了间距

= 25 ℃， n = 11A

= 125℃ n = 11A

1.5

0.5

125

- 外壳温度 - 摄氏度

175

G001

- 栅极 - 源极电压 - V

G001

图7.阈值电压与温度的关系

图8.导通电阻与栅极至源极电压

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典型MOSFET的特性（续）

= 25 ° C除非另有说明）

TEXT增加了间距

1.8

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

0.4

125

- 外壳温度 - 摄氏度

175

G001

TEXT增加了间距

100

- 源 - 漏电流 - 一个

=11A

= 25°C

= 125°C

归一化通态电阻

= 4.5V

= 6V

= 10V

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.2

0.4

0.6

0.8

- 源极到漏极电压 - V

G001

图9.归通态电阻与温度

TEXT增加了间距

200

- 峰值雪崩电流 - 一个

100

图10.典型的二极管正向电压

TEXT增加了间距

= 25C

= 125C

0.001

0.01

0.1

- 时间在雪崩 - 质谱

G001

图11.最大安全工作区

图12.单脉冲松开电感开关

TEXT增加了间距

16.0

- 漏极 - - 源电流 - 一个

14.0

12.0

10.0

8.0

6.0

4.0

2.0

0.0

100 125

- 外壳温度 - 摄氏度

150

175

G001

图13.最大漏极电流与温度的关系