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CSD17310Q5A
www.ti.com
SLPS255 - 2010年2月
30V ， N通道NexFET 功率MOSFET
检查样品：
CSD17310Q5A
1
特点
优化5V栅极驱动器
超Q
g
和Q
gd
低热阻
额定雪崩
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
SON 5毫米×6毫米的塑料包装
产品概述
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
漏源极电压
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
V
GS
= 3V
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 8V
阈值电压
1.3
30
8.9
2.1
5.7
4.5
3.9
V
nC
nC
m
m
m
V
2
应用
加载笔记本点
同步降压在负载点的
网络，电信和计算机系统
优化了同步FET应用
设备
文本和BR增加了间距
文本和BR增加了间距
订购信息
包
SON 5毫米×6毫米
塑料包装
媒体
13-Inch
REEL
数量
2500
船
磁带和
REEL
CSD17310Q5A
描述
该NexFET功率MOSFET的设计
最大限度地减少电源转换应用的损失，
并优化了5V栅极驱动应用。
顶视图
S
1
8
D
文本和BR增加了间距
文本和BR增加了间距
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,
T
英镑
E
AS
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流，T
C
= 25°C
连续漏电流
(1)
(1)
(2)
价值
30
+10 / –8
100
21
134
3.1
-55到150
168
单位
V
V
A
A
A
W
°C
mJ
漏电流脉冲，T
A
= 25°C
功耗
工作结存储
温度范围
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 58A， L = 0.1mH ，R
G
= 25
S
2
7
D
S
3
D
6
D
G
4
5
D
P0093-01
(1)
(2)
文字间距4
R
DS （ ON）
VS V
GS
16
R
DS （ ON）
- 导通状态电阻 - mΩ的
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
9
10
G006
R
qJA
= 40 ℃/ W于1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071毫米厚）
Cu焊盘上0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB 。
脉冲持续时间
≤300ms,
占空比
≤2%
文字间距4
栅极电荷
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
- 栅极电荷 - 数控
12
14
16
G003
I
D
= 20A
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
I
D
= 20A
V
DS
= 15V
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
2010 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
CSD17310Q5A
SLPS255 - 2010年2月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏源极电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
SD
= 20A ，V
GS
= 0V
V
DD
= 12.8V ，我
F
= 20A ，的di / dt = 300A / MS
V
DS
= 15V, V
GS
= 4.5V ，我
DS
= 20A,
R
G
= 2
V
DS
= 12.8V, V
GS
= 0V
V
DS
= 15V ，我
DS
= 20A
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
= 0V时，我
D
= 250毫安
V
GS
= 0V, V
DS
= 24V
V
DS
= 0V, V
GS
= +10/-8V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250毫安
V
GS
= 3V ，我
D
= 20A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 20A
V
GS
= 8V ，我
D
= 20A
V
DS
= 15V ，我
D
= 20A
动态特性
1200
630
59
0.9
8.9
2.1
2.7
1.4
15.9
6.5
11.6
15
5
0.85
21
22
1
1560
820
77
1.8
11.6
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
0.9
1.3
5.7
4.5
3.9
85
30
1
100
1.8
7.8
5.9
5.1
V
mA
nA
V
m
m
m
S
测试条件
民
典型值
最大
单位
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
QJC
R
qJA
(1)
(2)
热阻结到外壳
(1)
热阻结到环境
(1) (2)
民
典型值
最大
1.9
51
单位
° C / W
° C / W
R
QJC
与安装在一个1英寸的设备确定
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司在1.5英寸× 1.5英寸（ 3.81厘米× （ 0.071毫米厚） Cu焊盘
3.81厘米） ， 0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB 。
QJC
由设计规定，而
qJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
设备安装在FR4材料1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。
文本
文本
文本
文本
和
和
和
和
br
br
br
br
额外
额外
额外
额外
为
为
为
为
间距
间距
间距
间距
2
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产品文件夹链接（ S） ：
CSD17310Q5A
2010 ，德州仪器
CSD17310Q5A
www.ti.com
SLPS255 - 2010年2月
门
N-二陈×6 QFN TTA MAX Rev3型
来源
N-二陈×6 QFN TTA MIN Rev3型
门
来源
最大
qJA
= 51C / W
当安装在
1英寸
2
（ 6.45厘米
2
）的
2盎司（ 0.071毫米厚）
铜。
最大
qJA
= 123 ° C / W
安装在一个时
最小焊盘面积
2盎司（ 0.071毫米厚）
铜。
漏
M0137-01
漏
M0137-02
典型MOSFET的特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
10
Z
qJA
- 归热阻抗
1
0.5
0.3
0.1
0.1
0.05
P
占空比= T
1
/t
2
0.01
0.02
0.01
单脉冲
t
1
t
2
典型
q
JA
= 98
°
C / W （分铜）
T
J
= P
Z
q
JA
R
q
JA
0.1
1
t
p
- 脉冲宽度 - S
10
100
1k
G012
0.001
0.001
0.01
图1.瞬态热阻抗
2010 ，德州仪器
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CSD17310Q5A
3
CSD17310Q5A
SLPS255 - 2010年2月
www.ti.com
典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
60
I
DS
- 漏极 - 源极电流 - 一个
50
V
GS
= 8V
40
V
GS
= 4.5V
30
V
GS
= 3.5V
20
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
1
G001
TEXT增加了间距
60
V
DS
= 5V
I
DS
- 漏极 - 源极电流 - 一个
50
T
C
= 125°C
40
30
T
C
= 25°C
20
T
C
= -55°C
10
0
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
2.4
2.6
G002
V
GS
= 3V
V
GS
= 2.5V
图2.饱和特性
TEXT增加了间距
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
- 栅极电荷 - 数控
12
14
16
G003
图3.传输特性
TEXT增加了间距
3
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
2
C
国际空间站
= C
gd
+ C
gs
1.5
1
0.5
0
0
5
10
15
20
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
25
30
G004
I
D
= 20A
V
DS
= 15V
- 电容 - nF的
2.5
C
RSS
= C
gd
图4.栅极电荷
TEXT增加了间距
1.8
1.6
V
GS （ TH）
- 阈值电压 - V
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-75
-25
25
75
T
C
- 外壳温度 -
°C
125
175
G005
图5.电容
TEXT增加了间距
16
R
DS （ ON）
- 导通状态电阻 - mΩ的
I
D
= 250A
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
I
D
= 20A
9
10
G006
图6.阈值电压随温度的变化
图7.导通电阻与栅极至源极电压
4
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CSD17310Q5A
2010 ，德州仪器
CSD17310Q5A
www.ti.com
SLPS255 - 2010年2月
典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
1.6
归一化通态电阻
I
SD
- 源 - 漏电流 - 一个
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
-75
I
D
= 20A
V
GS
= 8V
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
-25
25
75
T
C
- 外壳温度 -
°C
125
175
G007
TEXT增加了间距
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
1
G008
图8.归通态电阻与温度
TEXT增加了间距
1k
I
（AV）
- 峰值雪崩电流 - 一个
I
DS
- 漏极 - 源极电流 - 一个
1k
图9.典型的二极管正向电压
TEXT增加了间距
100
1ms
10ms
1
区有限公司
由R
DS （ ON）
单脉冲
典型
θJA
= 98 ℃/ W（分铜）
0.1
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
1001
100ms
1s
100
10
T
C
= 25°C
10
T
C
= 125°C
0.1
DC
100
G009
0.01
0.01
1
0.01
0.1
1
10
t
（AV）
- 时间在雪崩 - 质谱
100
G010
图10.最大安全工作区
图11.单脉冲松开电感开关
TEXT增加了间距
120
I
DS
- 漏极 - 源极电流 - 一个
100
80
60
40
20
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125
T
C
- 外壳温度 -
°C
150
175
G011
图12.最大漏极电流与温度的关系
2010 ，德州仪器
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产品文件夹链接（ S） ：
CSD17310Q5A
5
用户指南
SLUU526
–
2011年8月
使用TPS51916EVM -746完整的DDR2， DDR3 ，
DDR3L和DDR4内存电源解决方案同步
降压控制器， 2 -A LDO ，缓冲基准
该TPS51916EVM - 746评估模块（ EVM）允许用户评估的表现
TPS51916低压降（ LDO ）稳压器。该TPS51916提供一个完整的电源支持DDR2 ，
以最低的总成本和最小的空间DDR3 ， DDR3L和DDR4内存系统。 TPS51916
集成了一个同步降压控制器（ VDDQ ）与2 -A汇/源追踪LDO （ VTT ）及缓冲，
低噪声基准（ VTTREF ） 。
目录
1
描述
...................................................................................................................
3
1.1
典型应用
................................................................................................
3
1.2
特点
.............................................................................................................
3
电气性能规格
....................................................................................
3
概要
....................................................................................................................
5
测试设置
...................................................................................................................
6
4.1
测试设备
.....................................................................................................
6
4.2
推荐测试设置
.......................................................................................
7
CON连接gurations
...............................................................................................................
8
5.1
S3 ， S5选择启用
..........................................................................................
8
测试程序
..............................................................................................................
8
6.1
线路/负载调整率和效率的测量程序
..............................................
8
6.2
测试点列表
..................................................................................................
8
6.3
设备关闭
..............................................................................................
9
性能数据和典型特性曲线
.................................................................
9
7.1
DDR3 VDDQ效率
...........................................................................................
9
7.2
DDR3 VDDQ负载调节
..................................................................................
10
7.3
DDR3 VDDQ线路调整
..................................................................................
10
7.4
DDR3 VTT负载调节
....................................................................................
11
7.5
DDR3 VTTREF负载调节
...............................................................................
11
7.6
DDR3 VTT电压差
....................................................................................
12
7.7
DDR3 S5启用Turnon /关机
...............................................................................
12
7.8
S5启用Turnon 1 -V的预偏置在VDDQ
................................................................
13
7.9
DDR3 S3启用Turnon /关机（ S5为ON ）
................................................................
13
7.10 DDR3 VDDQ输出纹波
.....................................................................................
14
7.11 DDR3 VDDQ开关节点
..................................................................................
14
7.12 DDR3 VDDQ输出瞬态
.................................................................................
15
7.13 DDR3 VTT瞬态1.5 -A灌，拉电流
...........................................
15
7.14热像
....................................................................................................
16
7.15 DDR3 VDDQ波德图
.........................................................................................
16
7.16 DDR3 VTT波德图
............................................................................................
17
EVM装配图和PCB布局
.............................................................................
17
材料清单
.............................................................................................................
21
图列表
D- CAP2是德州仪器的商标。
SLUU526
–
2011年8月
提交文档反馈
使用TPS51916EVM -746完整的DDR2， DDR3 ， DDR3L和DDR4
存储器电源解决方案同步降压控制器， 2 -A LDO ，缓冲
版权
2011年，德州仪器
参考
1
2
3
4
5
6
7
8
9
www.ti.com
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
TPS51916EVM -746示意图
...........................................................................................
5
提示与桶测量方法VDDQ输出纹波
................................................................
6
.......................................................................
DDR3 VDDQ效率
....................................................................................................
DDR3 VDDQ负载调节
..........................................................................................
DDR3 VDDQ线路调整
...........................................................................................
DDR3 VTT负载调节
.............................................................................................
DDR3 VTTREF负载调节
........................................................................................
DDR3 VTT电压差
.............................................................................................
DDR3 S5启用Turnon
.................................................................................................
DDR3 S5关机启用
.................................................................................................
DDR3 S5启用Turnon采用1 -V预偏置在VDDQ
................................................................
DDR3 S3启用Turnon
.................................................................................................
DDR3 S3启用关机
.................................................................................................
DDR3 VDDQ输出纹波
.............................................................................................
DDR3 VDDQ开关节点
...........................................................................................
VDDQ输出瞬态从DCM到CCM
.........................................................................
VDDQ输出瞬态从CCM到DCM
.........................................................................
DDR3 VTT瞬态1.5 -A灌，拉电流
....................................................
顶板12输入电压， 1.5 VDDQ / 20 A，空载时VTT ， 25 ° C环境无气流
........................
DDR3 VDDQ波德图12输入电压， 1.5 VDDQ / 10 A
...................................................................
DDR3 VTT波德图12输入电压， 1.5 VDDQ / 0和1 VTT -A采购
...........................................
TPS51916EVM - 746顶层装配图
...................................................................
TPS51916EVM - 746底部装配图
......................................................................
TPS51916EVM - 746顶部铜
.......................................................................................
TPS51916EVM - 746二层铜
...................................................................................
TPS51916EVM - 746 3层铜
...................................................................................
TPS51916EVM - 746底部铜
...................................................................................
TPS51916EVM - 746推荐测试设置
表格清单
7
9
10
10
11
11
12
12
12
13
13
13
14
14
15
15
15
16
16
17
17
18
18
19
19
20
1
2
3
4
TPS51916EVM - 746电气性能规格
...........................................................
3
S3 ， S5选择启用
...................................................................................................
8
测试点功能
........................................................................................................
8
材料TPS51916EVM -746法案
....................................................................................
21
2
使用TPS51916EVM -746完整的DDR2， DDR3 ， DDR3L和DDR4
存储器电源解决方案同步降压控制器， 2 -A LDO ，缓冲
版权
2011年，德州仪器
参考
SLUU526
–
2011年8月
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描述
1
描述
该TPS51916EVM - 746被设计为使用稳压的12V总线产生稳定的1.5 VDDQ输出
在高达20的负载电流。该TPS51916EVM -746演示TPS51916在典型的DDR3
应用程序具有D-CAP2 - 模式运作。该EVM还提供了测试点来评估
该TPS51916的性能。
1.1
典型应用
DDR2 / DDR2 / DDR3L / DDR4内存电源
SSTL_18 ， SSTL_15 ， SSTL_135和HSTL终止
1.2
特点
该TPS51916EVM - 746的特点：
全瓷VDDQ输出电容器D- CAP2 - 模式运作
20 -ADC稳态VDDQ输出电流
支持VDDQ预偏置启动
SW1和SW2提供S3，S5的功率控制
可选的外部VLDOIN电压效率和灵活的操作
便捷的测试点，用于探测关键波形
2
电气性能规格
表1. TPS51916EVM -746电气性能规格
参数
输入特性
电压范围
VIN
V5IN
最大输入电流
空载输入电流
VDDQ输出
DDR3 （默认设置） ， R15 = 47.5k ， R16 = 2K
VDDQ输出电压
（ VDDQSNS ）
DDR2 ， R15 = R16 =打开
DDR3L ， R15 = 28K ， R16 = 2K
DDR4 ， R15 = 18.2k ， R16 = 2K
VDDQ输出电压调节
行规（ VIN = 8 V - 20 V ）
负载调整率（ VIN = 12 V，I
VDDQ
= 0 A–20 A)
输出电压纹波
输出负载电流
输出过流保护
开关频率
峰值效率
满载效率
VTT输出
VTT输出电压
VTT输出电流
对于DDR2 （ 0.9 VTT ）和DDR3 （ 0.75 VTT ）
对于DDR3L （ 0.675 VTT ）及DDR4 （ 0.6 VTT ）
|I
VTT
|
＆ LT ;
2 A， 1.4 V
≤
V
VDDQSNS
≤
1.8 V
|I
VTT
|
＆ LT ;
1.5 A ， 1.2 V
≤
V
VDDQSNS
＆ LT ;
1.4 V
–2
–1.5
–40
–40
VTTREF
2
1.5
40
40
V
A
A
mV
mV
VIN = 12 V ， 1.5 VDDQ / 8的
VIN = 12 V ， 1.5 VDDQ / 20 A
VIN = 12 V，I
VDDQ
= 20 A
0
30
500
90.93%
87.3%
1.5
1.8
1.35
1.2
0.2%
0.5%
20
20
mVpp的
A
A
千赫
V
V
V
V
VIN = 8 V，I
VDDQ
= 20 A
VIN = 20 V，I
VDDQ
= 0 A
8
4.5
12
5
4.21
0.1
20
5.5
A
mA
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
VTT输出耐受VTTREF
VTTREF输出
VTTREF输出电压
VTTREF输出电流
VDDQSNS/2
–10
10
V
mA
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2011年，德州仪器
使用TPS51916EVM -746完整的DDR2， DDR3 ， DDR3L和DDR4
存储器电源解决方案同步降压控制器， 2 -A LDO ，缓冲
参考
3
电气性能规格
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表1. TPS51916EVM -746电气性能规格（续）
参数
VTTREF输出容差
VDDQSNS
测试条件
|四
TTREF
|
＆ LT ;
100
A,
1.2 V
≤
V
VDDQSNS
≤
1.8 V
|四
TTREF
|
＆ LT ;
10毫安， 1.2 V
≤
V
VDDQSNS
＆ LT ;
1.8 V
工作温度
民
49.2%
49%
25
典型值
最大
50.8%
51%
C
单位
4
使用TPS51916EVM -746完整的DDR2， DDR3 ， DDR3L和DDR4
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概要
图1. TPS51916EVM -746示意图
+
+
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使用TPS51916EVM -746完整的DDR2， DDR3 ， DDR3L和DDR4
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